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公开(公告)号：CN112897477A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110166131.7
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内竖直放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下将气压升至30‑40kPa，设置反应电流为100‑120A，阴阳两极起弧反应。冷却钝化后，在顶盖处收集到的黑色粉末为50‑200nm多面体状硒化钛纳米晶。本发明制备的多面体状硒化钛纳米晶可作为某种特定的场发射材料，具有良好的应用发展前景。
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公开(公告)号：CN112875657B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110153039.7
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用。先以锰粉、硒粉为原料，采用直流电弧法制备出硒化锰纳米颗粒，再将均匀混合的硒化锰纳米颗粒与氧化石墨烯悬浊液冷冻干燥，然后将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中煅烧，即可得硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为176.6F/g。
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公开(公告)号：CN112850661A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110152414.6
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种硒化钛纳米线的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至15‑25kPa、设置反应电流为90‑100A，阴阳两极起弧反应。在石墨锅下沿处收集到黑色粉末，其微观形貌为长度介于1.5‑3μm、直径为20‑100nm的硒化钛纳米线。测试硒化钛纳米线的荧光特性，荧光光谱(PL)的最大发射峰有蓝移现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112850661B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110152414.6
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种硒化钛纳米线的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至15‑25kPa、设置反应电流为90‑100A，阴阳两极起弧反应。在石墨锅下沿处收集到黑色粉末，其微观形貌为长度介于1.5‑3μm、直径为20‑100nm的硒化钛纳米线。测试硒化钛纳米线的荧光特性，荧光光谱(PL)的最大发射峰有蓝移现象。
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公开(公告)号：CN112875656B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110153038.2
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供碳包覆硒化锰纳米球制备方法及其应用。采用直流电弧法，以锰粉、硒粉和碳粉为原料，按摩尔比为1:1:(0.5‑2)的比例混合均匀放入直流电弧放电装置反应室内的阳极铜锅中，在氩气氛围下，以电流为60‑160A的条件起弧，反应后经冷却钝化在顶盖和水冷壁收集到的黄绿色粉末为碳包覆硒化锰球纳米球，纳米球直径为20‑100nm，碳壳层厚度为7‑10nm。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将碳包覆硒化锰纳米球涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为452.4F/g。
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公开(公告)号：CN112897477B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110166131.7
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种多面体状硒化钛纳米晶的制备方法。将钛粉、硒粉以化学计量比均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内竖直放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下将气压升至30‑40kPa，设置反应电流为100‑120A，阴阳两极起弧反应。冷却钝化后，在顶盖处收集到的黑色粉末为50‑200nm多面体状硒化钛纳米晶。本发明制备的多面体状硒化钛纳米晶可作为某种特定的场发射材料，具有良好的应用发展前景。
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公开(公告)号：CN112875657A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110153039.7
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料制备方法及其应用。先以锰粉、硒粉为原料，采用直流电弧法制备出硒化锰纳米颗粒，再将均匀混合的硒化锰纳米颗粒与氧化石墨烯悬浊液冷冻干燥，然后将其在5％NH3/Ar混合气体氛围中煅烧，即可得硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将硒化锰/还原氧化石墨烯纳米复合材料涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为176.6F/g。
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公开(公告)号：CN112875656A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110153038.2
申请日：2021-02-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供碳包覆硒化锰纳米球制备方法及其应用。采用直流电弧法，以锰粉、硒粉和碳粉为原料，按摩尔比为1:1:(0.5‑2)的比例混合均匀放入直流电弧放电装置反应室内的阳极铜锅中，在氩气氛围下，以电流为60‑160A的条件起弧，反应后经冷却钝化在顶盖和水冷壁收集到的黄绿色粉末为碳包覆硒化锰球纳米球，纳米球直径为20‑100nm，碳壳层厚度为7‑10nm。本发明还公开了其在超级电容器方面的应用，将碳包覆硒化锰纳米球涂覆在泡沫镍上，在1A/g的电流密度下，其质量比电容为452.4F/g。
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