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公开(公告)号：CN105174966A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510539816.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 公开了一种原位合成CNTs增韧TiB2基超高温陶瓷材料的制备方法，包括：恒温条件下还原MezOy/TiB2催化剂前驱体，得到Me/TiB2复合催化剂；向Me/TiB2复合催化剂通入CH4与N2的混合气体，使Me/TiB2复合催化剂的TiB2粉末的表面原位生长CNTs，得到CNTs/TiB2复合粉末；对CNTs/TiB2复合粉末进行放电等离子烧结，得到CNTs增韧TiB2基超高温陶瓷材料。根据本发明的方法，能大幅提高TiB2基陶瓷材料的断裂韧性、抗热震性能以及其他力学性能。
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公开(公告)号：CN105174965A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510539783.5
申请日：2015-08-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C04B35/58 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 公开了一种CNTs增韧TiB2陶瓷复合材料及其制备方法，其中制备方法包括：混合步骤，将TiB2基体粉末与CNTs粉末混合，得到TiB2与CNTs的混合粉料；烧结步骤，通过放电等离子烧结方法烧结所述混合粉料，得到CNTs增韧TiB2陶瓷复合材料。根据本发明的CNTs增韧TiB2陶瓷复合材料及其制备方法，通过CNTs增韧能够提高陶瓷复合材料的断裂韧性和抗热震性，采用SPS快速烧结技术可有效降低烧结时间和烧结温度，而且对晶粒异常长大起到抑制作用，从而使陶瓷复合材料具有良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN115818719B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202211599304.5
申请日：2022-12-12
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本申请公开了一种双离子掺杂正极材料、制备方法及电池，涉及电池材料技术领域。该双离子掺杂正极材料的制备方法，包括：将硝酸锰、锂源、铜源和燃料溶解于水中，搅拌混合得到混合液；将所述混合液加热燃烧20～30min后，静置，冷却得到反应物；对所述反应物进行研磨，得到双离子掺杂正极材料。该材料通过低温燃烧合成得到，燃烧反应速度快、操作工艺简单成本低，易于实现工业化生产。且通过金属Cu和Li进行双离子掺杂，在双离子的协同作用下，能够明显增强正极材料的电导率，并表现出更好的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN117776735A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311823679.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C04B35/581 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝粉体的制备方法，以商用氮化铝粉体为原料，通过高温分步和不同气氛处理，实现颗粒表面氧化膜的碳热还原反应，有效去除氮化铝粉体表面非晶氧化层和残余碳。本发明制备的高纯氮化铝粉体的氧含量≤0.40wt％、碳含量≤300ppm，采用该粉体可制备出热导率≥130W·m‑1·K‑1的不含烧结助剂的热压氮化铝陶瓷，远高于采用市售原料制备的热压氮化铝陶瓷。
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公开(公告)号：CN117334403A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311464751.4
申请日：2023-11-06
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明涉及一种纳米导电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1在清洗干净的基体上滴加聚苯乙烯微球水溶液，获得预处理基体；S2在去离子水中滴入表面活性剂，获得镀有单层聚苯乙烯微球的基体；S3在所述镀有单层聚苯乙烯微球的基体表面上磁控溅射或热蒸发厚银膜，得到沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体；S4将所述沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体置于有机溶剂中超声去除聚苯乙烯小球，得到含有六边形银纳米点阵列的基体；S5取银纳米线溶液旋涂在表面含有所述六边形银纳米点阵列的基体上，之后再进行退火处理，得到纳米导电薄膜。本发明有效降低纳米线间的结电阻，降低Ag纳米线溶液的浓度，增加了电极的导电性和透光率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116283305A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211589748.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C04B35/582 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝氮化硼复合陶瓷及其制备方法，包括如下制备步骤：步骤S10，将氮化铝粉末、氮化硼粉末、氧化钙粉末和氧化钇粉末混合，得到的混合粉末装入球磨罐中，同时加入磨球和溶剂进行球磨，形成粉末浆料；步骤S20，将所述粉末浆料进行真空干燥，形成复合粉末；步骤S30，将所述复合粉末在保护气氛下进行热压烧结。该制备方法可以有效去除了产品杂质，显著降低了氧含量，净化了氮化铝晶界，制得的氮化铝氮化硼复合陶瓷拥有优异的导热性能，可以广泛运用于大功率LED器件和5G通讯等复杂形状的对导热性能要求高的散热器件领域。
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公开(公告)号：CN113441715B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110734749.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供一种硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将H3BO3、TiO2、WO3、MoO3、Nb2O5、Ta2O5和炭黑球磨混合后，得到混合粉末。然后将混合粉末经碳热还原氮化反应，得到硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末。本发明在原料中添加适当过量的硼元素不仅可以净化晶界，而且硼元素还能分别与过剩的游离碳和氮原位反应生成BC或BN，从而发挥第二相粒子的强韧化作用。本发明制备得到的硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末为超细固溶体粉末，其是制备高性能B掺杂超细晶(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)‑Co‑Ni金属陶瓷的前提。
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公开(公告)号：CN113444952A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110735002.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供一种高强度高韧性的高熵金属陶瓷及其制备方法，高熵金属陶瓷为(TiaWbMocNbdTae)CxN1‑x金属陶瓷。其中，0.2≤x≤0.8，Ti、W、Mo、Nb、Ta的含量范围为0.1≤(a，b，c，d，e)≤0.3。该高熵金属陶瓷的制备方法包括：将TiO2、WO3、MoO3、Nb2O5、Ta2O5和炭黑球磨后，经碳热还原氮化，得到(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉。然后在(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉中加入Co粉和Ni粉混合，得到混合粉末。该混合粉末经球磨、过筛、干燥后，将其置于石墨模具中进行放电等离子烧结，得到高熵金属陶瓷。本发明将多组元按等摩尔或近等摩尔的比例进行固溶，高的构型熵有利于单相固溶体的形成，并通过多组元协同作用从而提高材料的性能，得到的高熵金属陶瓷的整个硬质相为高熵合金，具有较高的硬度、强度和韧性。
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公开(公告)号：CN113441715A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110734749.9
申请日：2021-06-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供一种硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将H3BO3、TiO2、WO3、MoO3、Nb2O5、Ta2O5和炭黑球磨混合后，得到混合粉末。然后将混合粉末经碳热还原氮化反应，得到硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末。本发明在原料中添加适当过量的硼元素不仅可以净化晶界，而且硼元素还能分别与过剩的游离碳和氮原位反应生成BC或BN，从而发挥第二相粒子的强韧化作用。本发明制备得到的硼掺杂超细(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)粉末为超细固溶体粉末，其是制备高性能B掺杂超细晶(Ti,W,Mo,Nb,Ta)(C,N)‑Co‑Ni金属陶瓷的前提。
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公开(公告)号：CN110078518B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910309889.4
申请日：2019-04-17
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明涉及一种ZrB2基超高温陶瓷结构及其光固化3D打印方法和装置。所述方法为：(1)将巯基/乙烯基Zr‑B‑Si‑C前驱体和光引发剂搅拌混合均匀后注入3D打印机的原料池中；(2)将打印结构的图纸导入计算机并设置打印参数，然后打印得到Zr‑B‑Si‑C聚合物陶瓷素坯结构；(3)将步骤(2)得到的Zr‑B‑Si‑C聚合物陶瓷素坯结构进行烧结，得到所述ZrB2基超高温陶瓷结构。本发明解决了传统烧结制坯‑机械加工制备超高温陶瓷结构高成本、高机械加工应力、长周期，且无法制备精密结构的问题，提供了一种超高温陶瓷复杂结构的光固化3D打印方法，具有低成本、快速成型、致密度高的特点。
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