一种纳米导电薄膜及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117334403A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311464751.4

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种纳米导电薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1在清洗干净的基体上滴加聚苯乙烯微球水溶液,获得预处理基体;S2在去离子水中滴入表面活性剂,获得镀有单层聚苯乙烯微球的基体;S3在所述镀有单层聚苯乙烯微球的基体表面上磁控溅射或热蒸发厚银膜,得到沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体;S4将所述沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体置于有机溶剂中超声去除聚苯乙烯小球,得到含有六边形银纳米点阵列的基体;S5取银纳米线溶液旋涂在表面含有所述六边形银纳米点阵列的基体上,之后再进行退火处理,得到纳米导电薄膜。本发明有效降低纳米线间的结电阻,降低Ag纳米线溶液的浓度,增加了电极的导电性和透光率。

    一种检测银纳米线和银纳米颗粒相对含量的方法

    公开(公告)号:CN116858794A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310758860.0

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明涉及一种检测银纳米线和银纳米颗粒相对含量的方法,包括以下步骤:(1)采用紫外分光光度计检测待测样品,得到待测样品的紫外可见吸收光谱;所述待测样品中含有银纳米线和银纳米颗粒;(2)收集待测样品的紫外可见吸收光谱数据图,使用相关函数进行分峰处理,并计算各自峰面积,得到所述待测样品中不同位置的峰面积;(3)通过定义峰中心位置在370~385nm处的峰面积为X,定义峰中心位置在460~475nm处的峰面积为Y,则计算得出银纳米线与银纳米颗粒峰面积比值=X/Y;银纳米线的相对百分比含量为=X/(X+Y)×100%,银纳米颗粒的相对百分比含量为=Y/(X+Y)×100%。本发明提供了一种简单、快速和低成本的测试方法,在短时间内,不需要较大工作量就可以判断出各个部分相对含量。

    一种电触头表面膜损伤的原位分析检测方法和装置

    公开(公告)号:CN119757232A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411813710.6

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明涉及一种电触头表面膜损伤的原位分析检测方法和装置,包括如下步骤:1)调整样品测试平台高度及角度到合适位置;2)接通电接触测试平台电路,模拟电触头原位工作过程,得到电接触信息以及椭圆偏振光检测信息;3)将偏振光检测信息传递到光源采集设备,4)建立合适的物理光学模型和振子模型,进行数据拟合分析,得到电触头表面原位变化情况。本发明通过采用非接触式原位光谱测试技术,准确、快速、无损地实时检测电触头前期原位失效过程,为电触头材料电接触前期失效机理的研究提供了设备手段和试验依据。

    一种继电器触点含有有机污染物膜层检测方法

    公开(公告)号:CN116879182A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310870237.4

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明涉及一种继电器触点含有有机污染物膜层检测方法,包括:S1:对待测继电器触点位置进行椭圆偏振光谱测试;S2:构建触点的色散模型和物理模型,并使用Point By Point模型优化衬底拟合;S3:基于拟合结果得到待测继电器触点位置对应的膜层厚度;S4:根据得到的膜层厚度与预设的厚度阈值的大小关系,判定待测继电器触点是否含有有机污染物膜层。本发明能够实时、快速、准确的检测继电器触点是否存在表面产生有机污染物的异常现象。

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