一种纳米导电薄膜及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117334403A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311464751.4

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种纳米导电薄膜及其制备方法,包括以下步骤:S1在清洗干净的基体上滴加聚苯乙烯微球水溶液,获得预处理基体;S2在去离子水中滴入表面活性剂,获得镀有单层聚苯乙烯微球的基体;S3在所述镀有单层聚苯乙烯微球的基体表面上磁控溅射或热蒸发厚银膜,得到沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体;S4将所述沉积有聚苯乙烯微球‑银薄膜的基体置于有机溶剂中超声去除聚苯乙烯小球,得到含有六边形银纳米点阵列的基体;S5取银纳米线溶液旋涂在表面含有所述六边形银纳米点阵列的基体上,之后再进行退火处理,得到纳米导电薄膜。本发明有效降低纳米线间的结电阻,降低Ag纳米线溶液的浓度,增加了电极的导电性和透光率。

    一种电触头表面膜损伤的原位分析检测方法和装置

    公开(公告)号:CN119757232A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411813710.6

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明涉及一种电触头表面膜损伤的原位分析检测方法和装置,包括如下步骤:1)调整样品测试平台高度及角度到合适位置;2)接通电接触测试平台电路,模拟电触头原位工作过程,得到电接触信息以及椭圆偏振光检测信息;3)将偏振光检测信息传递到光源采集设备,4)建立合适的物理光学模型和振子模型,进行数据拟合分析,得到电触头表面原位变化情况。本发明通过采用非接触式原位光谱测试技术,准确、快速、无损地实时检测电触头前期原位失效过程,为电触头材料电接触前期失效机理的研究提供了设备手段和试验依据。

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