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公开(公告)号：CN102789024A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110129324.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种T型分支波导，利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中：硅柱区域中，刻蚀形成的硅柱呈长方晶格排列在SOI顶层硅上，硅柱的深度为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导为T型分支波导的输入波导，且距离硅柱区域与所述SOI条形波导平行的两边界均有一距离。该T型分支波导对于入射光束角度极不敏感，分束区的长度可以控制在10μm以内，极大缩短总体器件长度，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计。
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公开(公告)号：CN102789023A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128181.2
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种光子晶体分束器，利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中：空气孔区域中，刻蚀形成的空气孔呈正方晶格排列在SOI顶层硅上，其深度即为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导即为分束器的输入波导，其距离空气孔区域与之平行的两边界均有一距离。该分束器分束区的长度可以控制在10μm以内，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计，能够更为广泛的用在未来的光子芯片中。
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公开(公告)号：CN102693900A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210174632.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101958238A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010223192.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101724909A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910200125.8
申请日：2009-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 一种三维光子晶体制备方法，利用二氧化硅或氮化硅作为掩模层，通过氧离子注入方法将掩模层上的所需图形转移到硅衬底材料内，在硅衬底内形成第一层二氧化硅结构，接着再外延单晶硅并平坦化外延层表面，沉积掩模层、光刻刻蚀、氧离子注入并退火等形成第二层二氧化硅结构，重复上述步骤n次，直至构建完成设计所需的三维光子晶体结构。该方法与半导体工艺完全兼容，可以制备大面积的三维光子晶体，并可根据需要切割成较小尺寸，具有高效、低成本的优势，在光电集成器件中，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101266176A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810036214.9
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅硅键合的绝缘体上硅(SOI)的高温压力传感器芯片及制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅衬底上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。将支撑硅衬底与倒扣的SOI片进行键合，对SOI片的背面进行减薄和抛光后在剩余的顶层硅上制备力敏电阻。由于采用SOI的氧化埋层来实现敏感元件和弹性元件的隔离，器件在高温环境下仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN101110428A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710043680.5
申请日：2007-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于MEMS领域的多层SOI材料及制备方法，其特征在于采用SOI(Silicon－On－Insulator绝缘体上的硅)材料或者具有类SOI的多层复合结构衬底，采用硅硅直接键合或熔融键合、结合研磨和抛光或者智能剥离的方法获得具有晶体硅层和绝缘埋层相叠分布的多层结构的SOI材料。该材料可便利的实现特定的MEMS复杂器件的制造，精确控制器件中的某些特征尺寸，从而完善SOI之于MEMS的应用。对于一些沟槽隔离的微机械加工的微电子器件，该材料也是其实现单片集成的有效解决方案。
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公开(公告)号：CN113418604B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110870943.X
申请日：2021-07-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于纳米颗粒的布洛赫表面波激发器，其用于光谱仪，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，所述布拉格反射单元由高折射率介质层和低折射率介质层交替堆叠而成，其顶层为缺陷层，且所述顶层的表面设有纳米颗粒。本发明还提供了相应的光谱仪及其测量方法。本发明的布洛赫表面波激发器使得光谱仪的面内尺寸能够达到纳米级别，可以测量较小的光源信号。并且，本发明制备方法简单，成本低廉。另外，本发明的光谱仪在使用时，对入射光谱要求简单，对入射光谱偏振没有要求。同时，本发明只需要拍摄一次后焦面图，不仅操作简单，而且节省时间。
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公开(公告)号：CN118584568A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410704869.8
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米天线路由单元、光谱路由器。其中光谱路由器包括纳米天线路由单元，以及两个对称分布在所述纳米天线路由单元两侧的光栅端口；所述纳米天线路由单元包括衬底和在所述衬底上形成的金膜，所述金膜表面具有两个相接的深度互不相同的凹槽，两个所述凹槽用来将不同波段的光分别路由到不同方向后被所述光栅端口接收。本发明在提高消光比的同时保持了宽带宽，且结构简单，可在等离子光电芯片里集成，提高了器件的集成度，同时降低了制造复杂度。
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