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公开(公告)号：CN118091356A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410469102.1
申请日：2024-04-18
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法，涉及半导体辐照、半导体特性参数测试领域。本系统包括分别设置于辐照保护单元a和辐照保护单元b中的漏极测试单元、栅极测试单元、特性参数监测单元、驱动单元、信息处理控制单元和信息传输单元，漏极测试单元、栅极测试单元分别向待测半导体器件发送测试信号，待测半导体器件通过特性参数监测单元连接信息处理控制单元监测辐照条件下待测半导体器件特性参数变化情况。本发明无需测试人员进出辐照间即可实现远距离智能化监测不同辐照条件下多个半导体器件的特性参数，具有操作简单、体积小、测试数量可达到万颗器件、测试结果准确快捷、判断器件工作状态等优点。
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公开(公告)号：CN117276335B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311541154.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有解耦合反向导通能力的增强型GaN HEMT及其制作方法，在该晶体管栅极区域，p型氮化镓层上分段分布有第一栅区域金属和第二栅区域金属，其中第一栅区域金属由第一肖特基金属层与第二欧姆金属层组成，第二栅区域金属仅由第二肖特基金属层组成；第一栅区域金属和第二栅区域金属之间填充有介质层，第一栅区域金属上方设有互联金属层且与源极上方的互联金属层相连，形成反向续流二极管；第二栅区域金属上方设有栅极金属层，作为该晶体管的真实栅极。本发明将晶体管的反向开启电压与栅极阈值电压解耦合，降低了反向开启电压，减小了反向导通损耗，在反向工作状态时不受栅极电压的控制，栅极漏电流低，制备简单，集成度高。
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公开(公告)号：CN115295661A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210893162.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/20 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN113671688B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110852943.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种广谱可调超窄带通滤光系统。该系统包括具有缺陷模的一维光子晶体、级联光子晶体结构和多通道滤光通路；其中，具有缺陷模的一维光子晶体包括由高折射率介电材料和低折射率介电材料周期堆叠构成的布拉格反射结构、缺陷层和布拉格反射结构的镜像结构依次排列构成；多个具有缺陷模的一维光子晶体通过连接层连接在一起形成级联光子晶体结构；多个级联光子晶体结构分别分装在多通道滤光通路中。本发明基于级联光子晶体结构的超窄带通滤光片，具有结构简单，光子晶体薄膜材料选择丰富等优点，通过优化光子晶体结构参数可实现广谱超窄带通滤光，满足了多种场景下的需求。
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公开(公告)号：CN114899225A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477893.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，栅源连通区域和漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层，每个第二栅极金属层上表面均设有对应的第二互联金属层，第二栅极金属层一侧超出其上表面对应的第二互联金属层的一侧形成阶梯场板结构。本发明通过在晶体管栅源和栅漏连通区域中均设置第二栅极金属层和第二互联金属层形成阶梯场板结构，利用该阶梯场板结构有效改善了晶体管在正向和反向偏置电压下的内部电场分布，从而提升了晶体管的击穿电压和减小漏电流；构成该阶梯场板结构的金属层和晶体管电极区域的金属层同时形成，制备方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112255537B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011088859.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/26 , G01R31/54
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，开关测试电路包括主电路和控制电路，主电路包含串联的电源模块、负载模块和待测模块；电源模块包含直流DC电源和储能电容C1；负载模块包含负载电感L1、控制三级管Q3、续流二极管D1、负载电阻R1和控制三极管Q4；待测模块包含控制三极管Q2和待测三极管Q1；控制电路分别连接待测三极管Q1的栅极、控制三极管Q2的栅极、控制三极管Q3的栅极和控制三极管Q4的栅极。本发明测试过程中待测三极管只需导通一次，有效避免了器件自热，消除了与温度相关的氮化镓内部缺陷引起的测试误差，提高了测试精度，并且电路中集成了负载电阻和负载电感，扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN112255537A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011088859.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/26 , G01R31/54
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，开关测试电路包括主电路和控制电路，主电路包含串联的电源模块、负载模块和待测模块；电源模块包含直流DC电源和储能电容C1；负载模块包含负载电感L1、控制三级管Q3、续流二极管D1、负载电阻R1和控制三极管Q4；待测模块包含控制三极管Q2和待测三极管Q1；控制电路分别连接待测三极管Q1的栅极、控制三极管Q2的栅极、控制三极管Q3的栅极和控制三极管Q4的栅极。本发明测试过程中待测三极管只需导通一次，有效避免了器件自热，消除了与温度相关的氮化镓内部缺陷引起的测试误差，提高了测试精度，并且电路中集成了负载电阻和负载电感，扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN107611004B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710691390.5
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga2O3或者GaN纳米柱有序阵列；在上述含有GaN纳米柱有序阵列的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)横向外延和厚膜生长，获得低应力高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用氧化镓/氮化镓与异质衬底如蓝宝石之间的热应力，采用控制降温速率的方法实现纳米柱与蓝宝石衬底的原位自分离获得GaN衬底材料。
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公开(公告)号：CN106803478B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611113575.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。
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公开(公告)号：CN106757323B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611103463.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。
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