公开(公告)号：CN114497099A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210051765.2

申请日：2022-01-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  陈辉 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  常峻淞 ,  胡心怡 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  李张南 ,  王凯 ,  顾郅扬 ,  柴智 ,  李龙飞 ,  吴永杰 ,  吴天泽 ,  王一鸣

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅光电导的光敏探测器及其工作方法。其光敏探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅MOSFET部分和光电子调制结构，光电子调制结构包括衬底电极、光电子调制P+掺杂区和光电子调制电极；衬底电极设置在P型半导体衬底的底部；在复合介质栅MOSFET部分的衬底表面设有N型源极和漏极，光电子调制P+掺杂区设置于N型源极和漏极的外围；光电子调制电极位于光电子调制P+掺杂区的表面。本发明可通过控制P型衬底底部和光电子调制P+掺杂区之间的电场实现MOS电容感光时对体区内光电子的收集以及抑制相邻探测器之间的电学串扰，进而有效提高光敏探测器的量子效率以及MTF。

公开(公告)号：CN111540758A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010384628.1

申请日：2020-05-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  沈凡翔 ,  李张南 ,  王子豪 ,  王凯 ,  顾郅扬 ,  胡心怡 ,  柴智

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅横向耗尽的光敏探测器及其方法。其探测器的单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，复合介质栅晶体管包括源漏区、第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅极；复合介质栅MOS电容在衬底上依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅极，第一浮栅与第二浮栅相连；复合介质栅MOS电容的衬底中设有N或N-型感光区域；感光区域的四周设有P或P+型隔离区，用于将复合介质栅晶体管与复合介质栅MOS电容分隔开。本发明能够提高探测器的量子效率、扩大光响应的波长范围和减小表面能级产生复合导致的噪声。

公开(公告)号：CN107459471B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710783753.8

申请日：2017-09-04

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 王凯 ,  陈强 ,  岳邦毅 ,  郝卫强

IPC: C07C303/40 ,  C07C311/16

Abstract: 本发明要求保护一种N‑叔丁基苯磺酰胺的合成方法，该方法为将苯磺酰胺、物料、催化剂、溶剂置四口瓶中，搅拌，加热回流反应，原料苯磺酰胺消失即为反应终点，得反应物，反应物冷却到室温，过滤掉不溶物，减压脱溶得N‑叔丁基苯磺酰胺。

公开(公告)号：CN106588568A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611076798.3

申请日：2016-11-30

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 王凯 ,  陈强

IPC: C07C29/147 ,  C07C31/27 ,  C07C67/343 ,  C07C69/74

CPC classification number: C07C29/147 ,  C07C67/343 ,  C07C31/27 ,  C07C69/74

Abstract: 本发明属于药物合成技术领域，涉及一种1,1‑环丙基二甲醇的制备方法。具体而言，本发明的制备方法包括下列步骤：1)在催化剂A、溶剂A和缚酸剂的参与下，利用丙二酸二乙酯和1,2‑二氯乙烷制备1,1‑环丙基二甲酸二乙酯；2)在溶剂B和催化剂B的参与下，利用还原剂还原1,1‑环丙基二甲酸二乙酯，得到目标产物1,1‑环丙基二甲醇。本发明的制备方法所采用的原料廉价、易得、无毒，催化剂活性较高，溶剂可回收，成本显著降低；反应条件温和，产物易于分离，工业三废少，符合绿色化学要求。另外，本发明的制备方法能够显著提高目标产物的收率，2步总收率可高达88％。

公开(公告)号：CN103951567B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410014655.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 王凯 ,  张秀芹 ,  陈强

IPC: C07C211/48 ,  C07C209/52

Abstract: 一种N-取代苯基-1,7,7-三甲基二环[2.2.1]庚烷-2-胺的制备方法，在反应容器中加入有机溶剂、3,5-二甲基苯胺及2-莰酮，再加入适量催化剂，将其放入带有空气冷凝管及回流冷凝装置的微波反应器中，调节到合适的微波输出功率，搅拌条件下反应10-30分钟，冷却后加入适量硼氢化钠，反应20-40分钟，重复上述步骤，TLC点板监控反应进程，直至反应原料不再减少为止。反应结束后，减压脱溶，在适宜温度下，将适量水缓慢加入上述体系中，搅拌1-2小时，加入有机溶剂C，萃取，得到最终产物仲胺。本发明催化剂廉价易得，反应时间大大缩短，反应收率提高，减少中间反应步骤，节约成本，环境友好。

公开(公告)号：CN104844537A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510072398.4

申请日：2015-02-11

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 王凯 ,  陈强 ,  张秀芹

IPC: C07D277/68

CPC classification number: C07D277/68

Abstract: 本发明涉及一种D-荧光素重要中间体2-氰基-6-甲氧基-苯并噻唑的制备方法，在反应瓶中加入对氨基苯甲醚、乙酸及适量硫氰酸钠，适宜温度下滴加溴素的乙酸溶液。反应结束后，用碱A的水溶液中和至一定pH值，过滤得产物1。再将上述产物溶于有机溶剂B中，加入一定浓度的无机碱C的水溶液，反应结束后加入有机溶剂D，分液、脱除溶剂得产物2。产物2无需纯化，加入适量草酸二乙酯，加热回流，结束后用无机酸E、水淬灭反应，过滤得产物3。向产物3中加入有机溶剂F，通入适量氨气，反应结束后，脱溶得产物4。最后在体系中加入三氯氧磷，搅拌回流反应，结束后加入冰水，用有机溶剂G萃取、脱除溶剂得最终产物。本发明特点是：选用廉价易得的原料，反应过程中无剧毒物质(氰化物)产生，排放少，对环境友好；同时实验条件温和，实验步骤缩短，收率高。本实验部分中间产物无需分离提纯可直接投入下一步反应，节约成本，适合逐步放大生产。

公开(公告)号：CN103012047B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201310008683.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 张秀芹 ,  王凯 ,  陈强

IPC: C07C15/38 ,  C07C1/32

Abstract: 本发明涉及一种9,10-苯并菲的简便制备方法。依次将镁屑、邻二卤代苯、溶剂呋喃或乙醚投入反应瓶，在30℃～80℃温度下回流0.5小时，然后滴加邻二卤代苯。反应瓶中邻二卤代苯、镁屑和滴加的邻二卤代苯的物质的量之比为1:（1.0～1.8）:（1.0～1.5），控制滴加速度，1～2小时滴完，滴加结束后保温2～12小时。抽滤，滤液蒸馏除去溶剂，得到黄色油状物，重结晶得到9,10-苯并菲，优化工艺后总收率在收率85%以上。该合成方法工艺简单，能耗低，反应温度低，容易控制，副产物少，后处理简单，产物纯度高，具有良好的工业化前景。

公开(公告)号：CN103087032A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310019174.8

申请日：2013-01-18

Applicant: 常州南京大学高新技术研究院

Inventor： 王凯 ,  张秀芹 ,  陈强

IPC: C07D311/92

Abstract: 一种萘并吡喃类化合物的制备方法，在反应瓶中加入有机溶剂和原料二苯甲酮，搅拌条件下，将四氯化钛与有机溶剂的混合溶液缓慢滴加到体系中。然后在适宜温度下，缓慢滴加三乙胺与有机溶剂的混合溶液，滴加完毕后，保持一定温度反应10~36小时。反应结束后，适宜温度下，分批加入氯化铵，萃取得有机相，脱溶得黄色油状物。将油状物，溶于有机溶剂中，将其缓慢滴加到萘酚的有机溶液中。加入催化剂A，回流反应8~24小时，反应结束后脱去溶剂，纯化得萘并吡喃类化合物。本发明特点是：选用廉价易得，且催化效率较高的催化剂，同时实验条件温和，实验步骤缩短，收率提高。本实验中间产物无需提纯分离可直接投入下步反应，节约成本。

公开(公告)号：CN119573905A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411673724.2

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  王静怡 ,  王一鸣 ,  孙琰雯 ,  刘淇 ,  王志诚 ,  杨婷 ,  王凯 ,  吴天泽

IPC: G01K7/01 ,  H03K7/08 ,  H03K5/156

Abstract: 本发明公开了一种基于BJT的占空比调制的单电容温度传感器，属于集成电路领域。该温度传感器电路在一个周期中，分别对电容充电一个正温度系数电压和负温度系数电压，计算两段充电时间，用充电到正温度系数电压的时间除以两段时间相加的和，该比值与温度成正比关系，即把温度转换为了占空比输出，相比于采用高精度ADC量化的方法，能够大程度的降低功耗和电路复杂度。另外，该电路做了单电容设计，即两段充电过程均对同一个电容进行，只需设计两段充电电流合适的比例，即可使得两段时间之和(即周期时间)与温度无关，由于电容通常占据整个芯片的大部分面积，因此相比于双电容的设计，大大节省了面积，并且可以避免电容失配带来的误差。

公开(公告)号：CN119521812A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411431535.4

申请日：2024-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈凡翔 ,  李铸轩 ,  李张南 ,  王凯 ,  陈辉 ,  刘欣亮 ,  余苏霖 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/15 ,  H10F39/18

Abstract: 本发明公开了一种多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件，属于光电探测器与存储器领域。该多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件包括形成在半导体衬底中沿垂直方向依次排布的电荷读取层、电荷转移层和电荷存储层。其中电荷读取层为具备将电荷信号转化为电压或电流信号的读出功能以及将电荷信号重置为初态的复位功能的半导体器件，电荷转移层具备将电荷信号沿垂直方向转移的功能，电荷存储层具备存储单个或多个电荷包的功能，通过对不同层施加适当的电压，探测单元可以实现感光、转移、读取和复位。本发明的器件将光电探测功能从平面转为立体，可进行多光谱探测、光电倍增、数据存储等应用。