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公开(公告)号：CN113484711A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110776550.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法，包括栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO、计算机主机、LED显示屏、加热装置、多器件测量主板、继电器供电电池；所述栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO分别通过USB传输线、GPIB传输线、网线与计算机主机相连，实现通讯连接和远程控制；所述NI数字IO与多器件测试主板上的9pin接线端子相连，进而为继电器的状态切换提供相应的动作信号；所述继电器供电电池为继电器提供工作电压；所述加热装置中的加热片贴合于被测器件上，并配合温控使用，给被测器件加热，提供高温条件。
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公开(公告)号：CN113341199A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110623698.2
申请日：2021-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器，由多种低温共烧陶瓷瓷带层组成，在瓷带层表面印刷导带并按照一定顺序堆叠而成；所述低温共烧陶瓷瓷带层包括顶盖、顶部功率连接层、顶部信号连接层、铁氧体磁环包覆层、铁氧体磁环外部垂直连接层、铁氧体磁环、铁氧体磁环中央垂直连接层、底部信号连接层、底部信号汇集层、底部基板层。本发明提出了基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术和铁氧体磁环线圈方法的高温电流传感器，可实现在高温环境下功率模块的电流测量，具有测量准确、成本低、用性强、易集成易推广等诸多优点。
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公开(公告)号：CN113281623A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN113092979A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN113030608A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110207863.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置，所述实验装置包括：PCB板和功率器件测试电路；PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座；功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局；本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座，使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局，进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489645B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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公开(公告)号：CN111487515A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN107315877B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710508574.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。
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公开(公告)号：CN111224535A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010164044.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排，包括：高压电容器组、低压电容器组、叠层母排、压接型模块以及压接型模块连接板；高压电容器组包括多个高压电容器，呈环形排布；低压电容器组包括多个低压电容器，呈环形排布；高压电容器组与低压电容器组通过叠层母排串联连接，关于叠层母排镜像对称；压接型模块包括第一压接型模块和第二压接型模块，均与叠层母排连接。本发明中上述电容串联母排避免了路径重叠，从而可以减小功率回路的长度，达到了减小直流母排寄生电感的目的，实现了电容内部杂散电感的抵消，实现了叠层母排与电容器整体的寄生电感优化。
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公开(公告)号：CN105514095B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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