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公开(公告)号：CN112946451B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN113009308A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110202189.2
申请日：2021-02-23
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法，所述装置包括：高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元；所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效，填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断，即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切，保证装置长时间稳定运行，控制过程简单，装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN113092979B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112946451A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN111487515B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN113009308B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110202189.2
申请日：2021-02-23
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法，所述装置包括：高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元；所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效，填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断，即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切，保证装置长时间稳定运行，控制过程简单，装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN113092979A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN111487515A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
申请人： 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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公开(公告)号：CN115659768A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211107281.1
申请日：2022-09-09
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 华北电力大学 , 国网山西省电力公司超高压变电分公司
IPC分类号： G06F30/25 , G06F119/02 , G06F119/04
摘要： 本发明公开一种IGBT剩余使用寿命预测方法及装置，该方法包括：初始化状态识别模块、状态跟踪模块和寿命预测模块参数；状态识别模块采用马氏距离通过失效前兆参数对器件状态进行识别；状态跟踪模块和寿命预测模块基于正则化粒子滤波算法对器件的失效前兆参数进行跟踪或预测，当器件处于健康状态时，启动状态跟踪模块；当器件处于老化状态时，启动寿命预测模块。该装置包括：传感单元、通信单元、供电单元、存储器和处理器以及控制中心。通过实施本发明，在器件进入老化状态后进行预测，提升了预测的准确性。采用正则化粒子滤波算法相比粒子滤波算法减少了粒子多样性损失。此外，该方法结构完整，且预测部分比其他算法运行时间短，可实时使用。
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公开(公告)号：CN109752638B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910084809.X
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。
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