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公开(公告)号：CN107275427A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710410516.7
申请日：2017-06-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H02S30/10
Abstract: 一种基于金属型材基底的复合型光伏光热一体化构件，该构件包括保温层、金属型材基底层、缓冲层、由多个光伏电池单元构成的光伏组件层、透明覆盖层和金属边框；所述的保温层处于最下方，所述的金属型材基底层位于保温层上方，所述的缓冲层位于金属型材基底层的上方，所述的光伏组件层位于缓冲层之间，所述的透明覆盖层包括两层且均位于缓冲层上方，所述的金属边框设置于各层的外部；所述的金属型材基底层上层与缓冲层相贴合，下层与保温层相贴合，所述的金属基底层为横截面翅鳍状的板层，由多个供散热介质流通的流道组成。能将金属型材基本特性以及内置中空流道结构特性相结合，实现对光伏光热一体化构件有效降温，且可以与建筑相结合。
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公开(公告)号：CN106739927A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611099693.X
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: B60H1/00 , B60H1/32 , B60R16/033
CPC classification number: B60H1/00735 , B60H1/3205 , B60R16/033
Abstract: 一种太阳能电池供电的直流压缩机空调系统，属于太阳能发电应用领域。包括将太阳能转换成电能的太阳能电池(1)、控制空调系统运转的控制单元(2)、用于存储电能并提供能源的储能单元(3)、压缩机(4)、用于将高温高压状态的制冷剂变为低温低压状态的膨胀阀(5)、通过制冷剂的状态改变以吸收车内热量的冷凝器(6)、将空调系统的热量通过热交换散发到环境空气中的蒸发器(7)、用于测量空间温度的测温单元(8)。本发明的优点在于它能克服现有技术的弊端，结构设计合理新颖。
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公开(公告)号：CN119836017A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411976034.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种具有动量匹配和各向异性层间激子的二维异质结器件，涉及光电探测技术领域。器件结构包括：衬底，形成于衬底上二维异质结包括上下两层具有各向异性晶格结构的二维材料，形成于所述二维异质结的源漏极分别对应与上述两层二维材料接触。两种各向异性材料组成了具有层间激子态的二类能带异质结，利用层间激子可以突破光敏材料的本征带隙限制实现红外光响应，且层间激子的动量匹配使得层间激子态的跃迁为直接跃迁，有利于增强异质结器件的光吸收效率，提高光响应度。同时层间激子的各向异性对红外偏振光敏感，最终异质结器件实现了突破光敏材料带隙限制的红外偏振响应。
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公开(公告)号：CN118299393A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410452577.X
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种基于胶体量子点的红外焦平面阵列探测器及其制备方法，涉及红外成像技术领域。该焦平面阵列探测器包括读出电路基底、第一电极、第二电极、量子点吸收层、第三电极。读出电路基底存在像素区域和公共地电极区域，第一电极位于像素区域，第二电极位于公共地电极区域；所述第一、第二电极均可构成探测单元，提升像元利用率。所述第一、第二电极均被量子点吸收层覆盖。所述的制备方法与现有技术相比，加工工艺流程大大简化，具有生产简单、成本低、制备成功率高的特点，在实际生产中的应用具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN111921557B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010570603.0
申请日：2020-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 纳米摩擦电荷增强锰氧化物/高分子复合材料去除甲醛的装置和方法，属于甲醛去除技术领域。通过电纺丝+水热技术制备大面积锰氧化物/高分子纳米复合材料(MnOx/PI&PA纳米复合结构纤维网)，并通过增加催化剂表面电荷方面来协同锰氧化物催化氧化，提高氧气向活性氧的转化产率，促进中间产物分解，从而提升甲醛催化分解速率和催化稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118076192A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410190110.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿微型同质结三极晶体管的加工方法，涉及晶体管领域。其步骤是：1)制备带有沟道的衬底并旋涂均匀的钙钛矿薄膜后通过FIB刻蚀掉沟道外的钙钛矿薄膜并放置顶电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子的特定浓度分布；3)通过对器件的顶电极和中间电极及中间电极和底电极间的钙钛矿薄膜分别施加电压，驱动游离离子空间重排，形成NPN或PNP的三极晶体管结构；通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳三极晶体管；通过调整偏置高电压的大小，实现放大倍数可调。
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公开(公告)号：CN117832304A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410028640.7
申请日：2024-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种一步法制备的二维范德华半导体突触器件，属于半导体突触器件领域。所述二维范德华半导体突触器件，包括衬底、沟道、源电极和漏电极，设置绝缘层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由多层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，整体位于绝缘层上；所述沟道材料中含有可以存储电子或空穴的缺陷。所述沟道材料中的缺陷产生于电极沉积的过程。与现有技术相比，显著降低了二维半导体突触制备工艺的复杂度，精简化工艺的突触制备技术方法在实际生产中的应用具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN117558769A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311520540.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C01G39/02
Abstract: 一种含有不同含氧量的复合氧化钼空穴传输层L‑MoOx/MoO3的硅基太阳电池，属于太能电池技术领域。将低氧含量的L‑MoOx材料加入到电极/MoO3/氧化物钝化层/c‑Si电池结构中，形成电极/L‑MoOx/MoO3/氧化物钝化层/c‑Si电池结构。可以在大幅度提升空穴载流子的传输性能。
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公开(公告)号：CN113702451B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110957687.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即#imgabs0##imgabs1#因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
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公开(公告)号：CN113861985B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111365400.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高产原位钝化中红外HgTe胶体量子点制备方法。属于胶体量子点合成领域。其中，合成过程采用热注射法，含卤素元素的HgI2作为Hg源的反应物，在反应时I‑原位生长在胶体量子点表面，在钝化表面的同时，起到调节掺杂的目的，达到p型掺杂效果。并且使用TMSTe作为Te源，由于其具有很高的反应活性，与Hg前驱体发生充分反应，不会与Hg形成络合物限制HgTe的产率。
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