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公开(公告)号：CN1599250A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上级板和上级板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上级板和上级板驱动金属板相对应的开关下级板和下级板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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公开(公告)号：CN104697700B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510063605.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的控制精度，大幅提高芯片成品率；在完成键合面金属引线和键合面绝缘介质隔离层的制备后利用CMP工艺对待键合硅面做平整化处理，可以有效的提高硅玻璃阳极键合的气密性和强度，提高芯片长期可靠性；同时，通过键合面绝缘介质隔离层的制备有效避免了阳极键合过程中的高能离子对键合界面金属引线的损耗，可以有效提高金属电信号连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN104003350B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410205595.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放器件结构；4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合；5)对硅片进行减薄；6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；7)去除引线窗口内的埋氧层；8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装，工艺流程简单，能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。
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公开(公告)号：CN103011056B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210501839.4
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式锚点中锚点的数目。可以通过光刻允许的最小间距、保持有利于应力释放的极限间距两个因素确定组合式锚点中锚点间的间隙尺寸。本发明还提供一种采用所述组合式锚点结构MEMS器件。本发明通过对锚点的分布进行合理的设计以减小工艺过程中带来的热失配应力，从而增强基于SOG工艺制造的微结构的键合强度，能够显著提高工艺成品率，提高基于SOG工艺制造的MEMS器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103072941B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012777.5
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在结构层上淀积金属层；采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，可使MEMS器件本身和封装一起完成，能够缩短封装周期，提高工艺质量和成品率，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN102515089B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
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公开(公告)号：CN102569487B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210015241.4
申请日：2012-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。
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公开(公告)号：CN102496632B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110452444.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片，以及二者之间的二氧化硅层，其中：所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构，暴露出器件层硅片的背面，该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状；所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类，应用于核物理探测等领域中。
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