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公开(公告)号：CN113916622A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010655942.9
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明提供了一种评估石墨烯薄膜洁净度的方法，包括通过水与石墨烯薄膜的接触角的大小来判断所述石墨烯薄膜表面的洁净度，所述洁净度是指所述石墨烯薄膜表面的洁净面积占所述石墨烯薄膜表面面积的比例。本发明一实施方式的方法，可快速、无损、大面积评估石墨烯薄膜的洁净度。
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公开(公告)号：CN108493456B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810391695.9
申请日：2018-04-27
IPC: H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供电池正极极片、应用其的锂离子电池及降低界面电阻的方法。该电池正极极片，包括：正极集流体，所述正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层；形成于所述正极集流体表面的电极活性材料，包括电极正极材料、粘结剂及导电添加剂；其中，所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底、平行位于所述铝箔基底表面的平面石墨烯层、及垂直位于所述平面石墨烯层上的垂直石墨烯层；所述导电添加剂的含量占所述电极活性材料含量的质量百分比为2％～12％。通过借助使用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为正极极片的集流体材料，可以有效降低正极极片的界面电阻。
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公开(公告)号：CN110438556B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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公开(公告)号：CN110904502A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911286235.0
申请日：2019-12-13
Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法，通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯，并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点，通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法，破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上，显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性，进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。
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公开(公告)号：CN107500276B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110438556A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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公开(公告)号：CN107782709B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN106769287B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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公开(公告)号：CN109824046A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910237780.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法。该方法包括：通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯薄膜，再制备悬空石墨烯薄膜，最后将所得悬空石墨烯置于等离子体清洗机中，对石墨烯表面进行功能化处理，得到亲疏水性可控、完整度高(>80％)的Janus石墨烯支撑膜。该制作方法工艺简单，一步等离子体处理便能够调控石墨烯的亲疏水性；并能通过增加掩模板制备图案化的Janus悬空石墨烯支撑膜。所得石墨烯支撑膜接触角范围广(50-90°)，涵盖了商用无定形碳电镜支撑膜的接触角范围(60-80°)，有利于生物蛋白、纳米颗粒等水溶性样品的有效负载和高分辨成像。
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公开(公告)号：CN108732187A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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