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公开(公告)号：CN111629457B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010511157.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本公开提供一种发热膜及其制备方法，该发热膜包括石墨烯复合纤维膜、内集流部和外集流部，其中内集流部位于所述石墨烯复合纤维膜的两端，外集流部位于所述内集流部的外表面；所述石墨烯复合纤维膜包括纤维和分散于所述纤维中的石墨烯。本公开发热膜的结构设计简单合理且制备工艺简单，所得发热膜能够使热量更加均匀的散发出来，减少了能量的损失与浪费。该发热膜的单位功率密度最高可达1500w/m2，能够在180℃～260℃范围内长期使用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113456814A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010167968.9
申请日：2020-03-11
IPC: A61K41/00 , A61K9/00 , A61K45/00 , A61K47/04 , A61K47/60 , A61P35/00 , B82Y5/00 , B82Y30/00 , A61K31/444
Abstract: 本发明公开一种石墨烯基复合材料及其制备方法和应用，包括修饰有两亲性表面活性剂的石墨烯、相变材料和药物；其中，所述石墨烯的片径尺寸为100～300nm，层数为1～10层；所述两亲性表面活性剂和所述相变材料适用于人体或动物体且无毒害，所述相变材料的相变温度为38‑45℃；所述药物为治疗肿瘤的药物。本发明通过选用特定尺寸的高品质石墨烯制备含药物分子的石墨烯基复合材料，并在微波的作用下，实现原位的药物释放，达到化疗和热疗的联合治疗，共同作用以杀死肿瘤细胞。
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公开(公告)号：CN110950329A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911171480.7
申请日：2019-11-26
IPC: C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种竖直石墨烯及其生长方法，该竖直石墨烯的生长方法包括：提供一基底，所述基底置于反应腔室；通入碳源并额外引入竖直方向的电场于所述反应腔室，以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场，使石墨烯可以严格沿竖直方向生长，得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。该方法简单、高效，可实现快速生长竖直石墨烯。
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公开(公告)号：CN107572508A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710947669.5
申请日：2017-10-12
IPC: C01B32/184
Abstract: 提供一种生产石墨烯粉体的设备，包括：微波腔室，包括微波源；进出气系统，包括将碳源气体和惰性气体引入所述微波腔室的进气系统和将反应废气排出所述设备的出气系统；以及产物接收系统，用于接受和存储产生的石墨烯粉体。本发明的设备在碳源持续通入的条件下，可以实现连续接收石墨烯粉体，从而实现连续制备石墨烯粉体的目标。
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公开(公告)号：CN105621387A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410594398.6
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高密度半导体性单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该阵列的方法，为方法一或方法二；方法一包括：在单晶生长基底I上加载氧化物纳米粒子的溶液，晾干后在空气气氛中煅烧，化学气相沉积，即在基底I上得到所述阵列；方法二包括：在单晶生长基底II上加载氧化物纳米粒子的溶液，晾干后退火，在空气气氛中煅烧，再化学气相沉积，即在基底II上得到所述阵列。本发明克服了现有制备半导体性单壁碳纳米管水平阵列密度低、强刻蚀、多缺陷等问题。该方法简单易控，成本低廉，重复性好，且无金属催化剂残留，在纳电子器件、生物医药和催化合成等高端领域具有广阔应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105199029A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410468668.9
申请日：2014-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: C08F138/00 , C08F238/00 , C08J9/28 , B01J20/26 , B01J20/30
CPC classification number: Y02C10/08
Abstract: 本发明公开了一种共轭微孔高分子气凝胶及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：将单体分子与催化剂于溶剂中混匀后静置进行Glaser偶联反应，反应完毕后将所得凝胶进行干燥，得到所述共轭微孔高分子气凝胶。该方法不仅大大简化了反应对设备与外界能量输入的要求，且所得材料具有远超同类材料的比表面积。测试表明，其对二氧化碳与甲烷均具有相当高的吸附容量，其吸附过程高度可逆。另外，其在有机溶剂与染料吸附方面，也表现出极为优异的性能。因此，作为一种高性价比的制备方法，它可能提供一系列高性能材料，并广泛用于环境与能源等方面。
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公开(公告)号：CN103275668B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201310168441.8
申请日：2013-05-09
Applicant: 北京大学
IPC: C09J179/02 , C09J133/02 , C09J11/04 , C09J129/02 , C09J129/04 , C09J175/04 , C09J177/00 , C09J125/18 , C09J11/06 , C08J3/075
Abstract: 本发明公开了一种多组分超分子水凝胶在作为粘结剂中的应用。所述水凝胶由含强氢键的组分、含弱氢键的组分和水组成；所述含强氢键的组分为氧化碳纳米管、氧化石墨烯、羧基化四氧化三铁纳米粒子、羧基化银纳米粒子、羧基化量子点、聚丙烯酸、聚丙烯醇、聚乙烯醇、聚氨酯、聚酰胺和聚对苯乙烯磺酸钠中的一种或多种；所述含弱氢键的组分为小分子化合物或高分子化合物。本发明提供的水凝胶在作为粘结剂使用时，其不同于常见的粘结剂，该凝胶在垂直方向粘附力远大于其切向粘附力，因此可以在人工关节中起到粘结两块骨骼，使其可以沿切向自由旋转而又不至于相互脱离的作用。
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公开(公告)号：CN103086353A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310011526.5
申请日：2013-01-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种以石墨为基底且具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列及对其手性结构表征的方法。其制备方法如下：1)制备表面具有规则刻痕的石墨基底；2)将具有生长单壁碳纳米管催化剂的基底与石墨基底一并紧邻置于化学气相沉积系统中，利用气流定向法在石墨基底上生长单壁碳纳米管，得到具有手性选择性取向的单壁碳纳米管阵列。利用石墨基底表面单壁碳纳米管的手性选择性取向结论，结合石墨表面的规则性刻痕，可对单壁碳纳米管的手性角及旋光性进行测量，进一步对已知手性结构的单壁碳纳米管进行性能测试和/或器件加工。本发明提供的测量方法，首次同时对碳纳米管的手性角和旋光性进行了测量；可以对样品表面的碳纳米管进行批量宏观测量。
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公开(公告)号：CN102642822A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110041452.0
申请日：2011-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法。该方法，包括如下步骤：将氨基功能化胶带或苯基功能化胶带置于位于基底上的金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的表面，加压作用后，即在所述基底上得到金属型或半导体型单壁碳纳米管阵列，完成分离。该分离方法，适用于分离数百微米长度的单壁碳纳米管，同时能够极好的保持单壁碳纳米管的形貌，且不会破坏所需要的单壁碳纳米管的类型。经过氨基功能化胶带处理后的样品，金属型单壁碳纳米管的含量为90％；经过苯基功能化胶带处理后的样品，半导体型单壁碳纳米管的含量为85％。该方法，操作简单，成本低廉，适用于大面积的单壁碳纳米管阵列的分离，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100580551C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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