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公开(公告)号：CN101704508A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910236921.7
申请日：2009-10-27
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开一种分类储存纳米碳管的方法及组装纳米碳管的方法。其中，分类储存纳米碳管的方法包括如下步骤：将纳米碳管切割为多个纳米碳管子段并以聚合物薄膜覆盖；在聚合物薄膜上制作光学显微镜下可见的标记图案，标记图案用于唯一确定每一纳米碳管子段的位置；溶解掉衬底或衬底表层，将载有分类的纳米管子段的聚合物薄膜捞到中空的框架上，获取悬空存储分类的纳米管子段的聚合物薄膜。本发明实现了纳米碳管的大规模分类存储和精确定位组装。
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公开(公告)号：CN101127303A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710121747.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga2O3纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga2O3纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温，而且其磁性掺杂浓度可控，纳米线纯度高，产量大，线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线)，可以用于自旋场效应三极管(spin－FET)，自旋发光二极管(spin－LED)，自旋共振隧穿器件(spin－RTD)等纳米自旋电子器件的制造，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116206981B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310487898.9
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法。本发明通过采用单层石墨烯作为与半导体材料接触的源漏电极，有效抑制肖特基势垒，降低了场效应晶体管的功耗；采用单层二维半导体层作为沟道材料，降低短沟道效应带来的影响；采用氦离子显微镜对单层石墨烯进行聚焦氦离子束直写刻蚀，能够稳定得到纳米尺度的沟道；本发明所定义的沟道的宽度为场效应晶体管内实际参与工作的单层二维半导体层的宽度，提升场效应晶体管性能的稳定性；利用干法转移得到范德华异质结，局域电介电层同时作为保护层将沟道材料进行封装，有效提升场效应晶体管的质量与耐久度；局域电介电层和全域电介电层形成上下调制的双栅极结构，提升场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN113296372B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN111690983B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110629190B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
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公开(公告)号：CN109883346B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910193734.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明公开了一种测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置和方法。所述装置包括超快激光光源、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品及应变施加装置、反射镜、第二偏振片、滤光片和光谱仪。本发明首次实现了对二维材料三阶非线性光弹张量的测量，对于发展不受二维材料体系限制的、基于光学三倍频的测量二维材料中应变的方法提供先决条件，为应变工程精准调控二维材料的光学、电学和光电子学性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
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公开(公告)号：CN110295357B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
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公开(公告)号：CN111621846A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910144704.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
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公开(公告)号：CN110616458A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910172442.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述方法为用单晶铜为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
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