公开(公告)号：CN100557770C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710121747.2

申请日：2007-09-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  宋祎璞 ,  王朋伟

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga2O3纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga2O3纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温，而且其磁性掺杂浓度可控，纳米线纯度高，产量大，线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线)，可以用于自旋场效应三极管(spin-FET)，自旋发光二极管(spin-LED)，自旋共振隧穿器件(spin-RTD)等纳米自旋电子器件的制造，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101127303A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710121747.2

申请日：2007-09-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  宋祎璞 ,  王朋伟

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)Mn掺杂：在Ga2O3纳米线上原位掺杂Mn；2)氨化：将掺有Mn的Ga2O3纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到GaMnN稀磁半导体纳米线。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的GaMnN纳米线具有很强的铁磁性，居里温度高于室温，而且其磁性掺杂浓度可控，纳米线纯度高，产量大，线形可控(调节气压等生长参数可以制备出直径几十纳米到几百纳米的纳米线)，可以用于自旋场效应三极管(spin－FET)，自旋发光二极管(spin－LED)，自旋共振隧穿器件(spin－RTD)等纳米自旋电子器件的制造，具有广阔的应用前景。