公开(公告)号：CN101521155B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200910117817.6

申请日：2009-02-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。

公开(公告)号：CN101188190B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200710186484.3

申请日：2007-11-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。

公开(公告)号：CN102482102A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080035321.5

申请日：2010-08-11

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  信浓电气制炼株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  大崎浩美 ,  望月正裕

IPC: C01B31/36

CPC classification number: C01B32/956

Abstract: 本发明提供一种可将溶液或废液中的SiC或Si无排水污染地回收，制造可用作磨削剂、磨料、磨光剂的碳化硅的方法。本发明提供的碳化硅的制造方法至少包括以下步骤：把至少含有SiC微粒和/或Si微粒的溶液或废液用至少含有碳粉和氧化硅粉的分离助剂进行固液分离，得到固体成分；根据需要，把该固体成分与含有碳粉和/或氧化硅粉的添加剂混合；为得到碳化硅，把该固体成分或与添加剂混合的固体成分在非氧化性气氛中、在高于1850℃、低于2400℃进行加热反应。

公开(公告)号：CN101286537B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810090977.1

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。

公开(公告)号：CN101174658B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710185123.7

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN101174595B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200710185125.6

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  古屋昌浩 ,  川合信 ,  田中好一 ,  久保田芳宏 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN102017070A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980116731.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。

公开(公告)号：CN101521155A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910117817.6

申请日：2009-02-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。

公开(公告)号：CN101286444A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810088669.5

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×1018cm－3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm－3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。

公开(公告)号：CN101285912A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810090978.6

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  川合信

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02F1/0126 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/48 ,  Y10S438/967

Abstract: 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子－空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子－空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。