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公开(公告)号：CN101661992B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO2等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN102403988B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110435853.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。
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公开(公告)号：CN102931206A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210461713.9
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法，所述相变存储器结构包括选通管及n个相变电阻，所述选通管的源端接地，栅端接字线WL；所述n个相变电阻并列排布，各该相变电阻的一端共同连接在所述选通管的漏端，各该相变电阻的另一端分别连接各自的位线，其中n为整数，n≧2。本发明能够在不改变选通管尺寸的前提下，通过改变相变存储单元及其版图结构，提高相变存储器的密度，获得高密度相变存储器。
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公开(公告)号：CN102750985A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110100806.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及接地端的相变单元。本发明提供的另一种电可编程开关电路，包括：具有第一连接端及第二连接端的第一相变单元，且所述第一连接端及第二连接端都非接地端；以及与所述第一连接端连接以便能与所述相变单元构成电流通路的环路器件。由前所述，通过控制流入相变单元的电流可实现对电可编程开关电路的多次可逆编程。
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公开(公告)号：CN102456396A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010522325.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储阵列的位线结构，该结构中所有位线分处于不同的布线层，例如，相邻两位线中的一者处于第一布线层、而另一者处于第二布线层，或者相邻两位线中的一者的一部分处于第一布线层、另一部分处于第二布线层，而相邻两位线中的另一者的一部分处于第二布线层，另一部分处于第一布线层等等，如此可增大相邻位线间的间距，进而降低位线间的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157197A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110126447.X
申请日：2011-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种链式相变存储器结构,所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效应晶体管的漏端相连形成场效应晶体管链；一个块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接。在读写过程中，由于没有选通的存储单元的场效应晶体管处于开启状态，从而使对应的相变单元两端为短路状态，而且是接地的。没有选通的存储单元的相变材料两端为接地状态，从而可以消除位线串扰带来的影响。
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公开(公告)号：CN101552603B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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公开(公告)号：CN101964351A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010252352.8
申请日：2010-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法，其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成，该SBD具有50ns以下的开关速度，能提供1μA-5mA的电流，耐压能力达到10V以上，此外，SBD具有很强的抗辐照能力，基于结构变化的相变材料，在辐照情况下其阻值不会发生变化，从而实现了高速、低功耗、能提供大电流、耐压好、抗辐照的相变存储单元，由该相变存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成高速、抗辐照等性能优异的相变存储芯片。不同于目前基于半导体p-n结作为开关的相变存储器件的结构。
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公开(公告)号：CN101777389A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101396.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
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公开(公告)号：CN101359504A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810041415.8
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。
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