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公开(公告)号：CN102923642A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210442204.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制备。本发明具有以下有益效果：1）本发明工艺简单，可控性强，且与现有半导体工艺完全兼容；2）本发明可实现对原结构完美薄膜包覆，快速提高侧壁的平滑度，且不影响高深宽比硅结构；3）特别适用于传感器件，模具或微流体沟道的应用场合，当高深宽比硅结构用作模具时，疏水性聚合物薄膜的沉积更利于脱模。
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公开(公告)号：CN101932146B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010278511.1
申请日：2010-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有圆弧形凹槽加热膜区的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈圆弧形结构的凹槽形加热膜区通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线或曲线的形式排布在加热膜区凹槽的内部并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连，在加热膜区和支撑悬梁下方是隔热腔体。本发明提供的加热器的加热电阻丝排布在具有三维结构的中心加热膜区的凹槽内部，对流换热引起的热量散失较小，可以有效降低加热器的功耗。圆弧形结构的凹槽形加热膜区避免了转角的存在，使得热应力在加热膜区内均匀分布，从而提高了加热器在高温下的机械强度。
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公开(公告)号：CN101493574B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810204560.3
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械推拉式可调谐光栅，其特征在于所述的微机械推拉式可调谐光栅包括光栅条阵列、光栅链接梁、光栅支撑梁以及所连接的推驱动器和拉驱动器，其中，光栅条阵列通过光栅链接梁相连后构成光栅本体，再通过光栅支撑梁与推驱动器和拉驱动器相连构成微机械推拉式可调谐光栅；所述的推驱动器或拉驱动器位于光栅本体的一侧或两侧；光栅链接梁为1级或多级细弹性梁。本发明提供推拉式光栅结构降低了常规拉伸式DRIE工艺的苛刻要求，在相同条件下可实现更大的调谐范围，且可采用常规的MEMS工艺，易于大批量、低成本制作。
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公开(公告)号：CN101493574A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810204560.3
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械推拉式可调谐光栅，其特征在于所述的微机械推拉式可调谐光栅包括光栅条阵列、光栅链接梁、光栅支撑梁以及所连接的推驱动器和拉驱动器，其中，光栅条阵列通过光栅链接梁相连后构成光栅本体，再通过光栅支撑梁与推驱动器和拉驱动器相连构成微机械推拉式可调谐光栅；所述的推驱动器或拉驱动器位于光栅本体的一侧或两侧；光栅链接梁为1级或多级细弹性梁。本发明提供推拉式光栅结构降低了常规拉伸式DRIE工艺的苛刻要求，在相同条件下可实现更大的调谐范围，且可采用常规的MEMS工艺，易于大批量、低成本制作。
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公开(公告)号：CN101214950A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032806.3
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备单壁碳纳米管的方法，属于纳米材料制备领域。本发明采用金刚石纳米颗粒为催化剂或成核模板，以含碳的原料气体为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中制备单壁碳纳米管。本发明由于采用金刚石纳米颗粒作为催化剂或成核模板制备单壁碳纳米管，可避免采用任何金属催化剂制备单壁碳纳米管所带来的非碳元素对单壁碳纳米管的污染，且无需考虑常规金属催化剂在高温下因聚集而催化失效的问题，同时具有催化效率高、操作简单的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1865923A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610027341.3
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于闪耀光栅和热堆探测器的微型集成光栅光谱仪及制作方法，其特征在于由盖板、热堆阵列芯片和光栅芯片按顺序集成组合而成；其中盖板包括一个两面腐蚀的通光孔和下表面的浅槽；热堆阵列芯片的支撑框架支撑整个膜结构；热堆位于介质薄膜上面，引线柱位于支撑框架上，热堆阵列芯片上的通光孔与盖板上的通光孔相对应；光栅芯片上的闪耀光栅是采用特定晶向腐蚀出来的，将特定波长的红外光的最大功率正好反射在热堆的热端薄膜表面。依所述结构采用MEMS工艺制作三块芯片，再采用点胶机点胶键合，或利用粘合剂光刻对准键合，或直接进行Si－Si、Si－玻璃对准键合。具有体积微小、结构稳定、重复性好、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN1588661A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053913.6
申请日：2004-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用硅支撑梁的红外热电堆探测器阵列结构，其特征在于利用硅支撑梁结构取代原有各个器件单元间的硅框架以实现高密度的红外热电堆探测器阵列结构。周边硅框架不变，膜区的间距在20－ 700μm之间。本发明可利用无掩膜腐蚀工艺实现，且发明在保证器件结构稳定、性能优异的前提下，大大减小了单元器件的间距，从而提高了器件的占空比，有利于器件的大密度集成，同时其具有工艺简单、一致性好、重复性好、成品率高、易批量生产等特点，特别适用于制作大批量高密度的红外热电堆探测阵列。
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公开(公告)号：CN1178088C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN01139287.8
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有阶梯结构底电极的静电扭转微镜。其特征在于驱动电极呈多级阶梯底电极结构；阶梯结构底电极台阶数至少大于或等于2，阶梯底电极与微镜的角度由台阶高度h和台阶宽度l的比值控制。通过X方向和Y方向分别设置扭梁并进行二维嵌套，可方便地扩展为二维转动微镜。其制作方法或用无掩膜各向异性腐蚀，或用DRIE干法刻蚀，或用这二种方法组合制作，然后将阶梯电极和微镜对准、安装。所用的材料为单晶硅或SOI材料，本发明综合了现有技术中倾斜电极和平行于微镜的底电极两种现有转动微镜的优点。
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公开(公告)号：CN108305912B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN116718639A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310365344.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的阈值电压标定及定量测试方法，利用硅纳米线传感器表面探针修饰前、后阈值电压的变化量，对目标物的阈值电压响应进行归一化处理，确定目标物响应标准曲线，来获取目标物的阈值电压响应所对应的目标物的浓度；本发明在阈值电压标定前后，测试结果的一致性显著提升，可重复性好，标定过程不需要额外的设备，标定过程和测试过程可使用同一个设备，有效节省了成本，标定过程对硅纳米线传感器是无损的，不影响硅纳米线传感器的后续测试。
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