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公开(公告)号：CN113120857A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564533B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010264515.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。
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公开(公告)号：CN112635323A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011477988.2
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 本申请公开了一种SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法，包括获取SiC晶圆；在所述SiC晶圆的Si面上形成SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行不同能量的多次氢离子注入；去除所述SiO2保护层；对所述SiC晶圆进行退火处理；在所述SiC晶圆的Si面上形成氮化镓薄膜；在所述氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件。本申请的SiC基异质集成氮化镓薄膜与HEMT器件的制备方法通过在SiC衬底中引入富氢层对SiC衬底进行改性，实现利用产业成熟、低成本的高掺杂SiC衬底代替传统昂贵的高纯半绝缘SiC衬底作为氮化镓薄膜外延生长的优良支撑材料，可以在提高器件性能的同时大大降低器件的生产成本。
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公开(公告)号：CN111564533A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010264515.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。
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公开(公告)号：CN111217359A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811403473.0
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
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公开(公告)号：CN109192670A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810941708.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法，柔性半导体复合薄膜的制备包括：提供一异质复合结构，包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜，牺牲衬底具有一刻蚀面，牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构，异质薄膜位于刻蚀面的表面；提供一柔性衬底，将柔性衬底与异质薄膜远离刻蚀面的一侧相结合；采用腐蚀工艺腐蚀牺牲衬底，实现异质薄膜与牺牲衬底的分离，得到柔性半导体复合薄膜。本发明的柔性半导体复合薄膜及制备，通过在牺牲衬底(如氧化层)中光刻凹槽结构，增加了后期腐蚀的速率，也保证制得柔性半导体薄膜的完整性；将离子注入剥离制备异质复合结构与化学腐蚀结合，使得该柔性单晶半导体薄膜的制备可以覆盖大部分半导体。
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