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公开(公告)号：CN109437169A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811473682.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法，其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源和氮气，通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段，分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件，使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布，褶皱密度可降低至1×10-5个/μm2以下。
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公开(公告)号：CN109399620A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811477126.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其是在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400-1800℃、500-1000mbar压力下生长1-100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料。本发明方法制得的石墨烯材料表面褶皱密度低，载流子迁移率高，方块电阻不均匀性低。
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公开(公告)号：CN107731916A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710948671.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/1602 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm-2和2000cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN107481935A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710632626.8
申请日：2017-07-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在金刚石层的上表面形成导电层；在所述导电层的上表面覆盖掩膜层；去除无源区域对应的掩膜层和导电层；分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；分别在所述源区和所述漏区形成源区高掺杂区和漏区高掺杂区；分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层，形成源极和漏极；在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。本发明能够提高器件的耐击穿特性，降低器件的欧姆接触电阻。
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公开(公告)号：CN103915338B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410107135.8
申请日：2014-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶；（2）将有源区外金刚石导电沟道去除；去除光刻胶（3）在源、漏位置以外处覆盖光刻胶；（4）转移石墨烯覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯上面沉积欧姆接触金属；（6）剥离，形成源漏；（7）制备栅。本发明制备方法简单，在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层，石墨烯与金刚石，石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触，可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103280398B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310208785.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种制备横向石墨烯PN结的方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域。该发明首先在SiC衬底上制备n型掺杂的石墨烯，然后对石墨烯进行选择处理，包括掩膜或图形化处理或预沉积适量的p型掺杂元素，最后在氢气气氛或真空下进行退火，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结。该方法是通过对SiC衬底与石墨烯的界面控制，实现石墨烯掺杂类型、掺杂浓度的控制；与化学掺杂或静电调制等手段实现石墨烯PN结相比，该方法避免了化学掺杂带来的污染和晶格破坏，同时石墨烯PN结尺寸可控，且制备工艺简单。该方法为研究石墨烯PN结的新奇特性和实现各种石墨烯功能器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104866156A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510322056.3
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石基板石墨烯表面式电容屏及制备方法，涉及电容式触摸屏的层状结构技术领域。包括从上至下依次包括盖板层、OCA光学胶层、石墨烯导电层和蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长单层或多层石墨烯导电层，所述石墨烯导电层四周设有金属铜电极，且与石墨烯贴合，所述金属铜电极连接有电极引线，所述金属铜电极通过电极引线能与控制芯片连接。本发明将蓝宝石和石墨烯合理的结合，提高了触摸屏表面的耐磨性，石墨烯的应用简化了制作工艺，提高了透光率，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN103915338A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410107135.8
申请日：2014-03-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66409 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种金刚石器件的制备方法，涉及半导体器件技术领域。包括以下步骤（1）在有导电沟道的金刚石表层上的有源区覆盖光刻胶；（2）将有源区外金刚石导电沟道去除；去除光刻胶（3）在源、漏位置以外处覆盖光刻胶；（4）转移石墨烯覆盖在金刚石表面；（5）在石墨烯上面沉积欧姆接触金属；（6）剥离，形成源漏；（7）制备栅。本发明制备方法简单，在金刚石沟道与源漏金属间设置石墨烯层，石墨烯与金刚石，石墨烯与源漏金属间可形成良好的欧姆接触，可以极大减小金刚石器件的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的性能。
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公开(公告)号：CN118943021A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012289.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道；在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层；光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并实现器件隔离；光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离形成源漏欧姆接触；沉积介质作为栅钝化层；光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；光刻出栅极窗口，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积钝化层；光刻出电极图形，刻蚀腐蚀出电极。本发明能够实现氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备。
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公开(公告)号：CN118897224A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410941481.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统及其应用，金刚石NV色心磁强探头包括金刚石NV色心及位于金刚石NV色心上下表面的磁通量聚集器和微波天线，第一荧光的过滤片，以及用于收集第二荧光的光电探测器；激光光路模块包括激光器，用于产生至少两束激光，每束激光直接照射到其中一个金刚石NV色心上；多探头微波调制模块包括至少两个独立的微波调制单元，每个微波调制单元与其中一个金刚石NV色心磁强探头的微波天线连接，并用于发射调制的微波信号；锁相处理模块分别与至少两套金刚石NV色心磁强探头的光电探测器的输出端连接，且锁相处理模快还需获取调制的微波信号的参考频率。本发明的磁强测量系统可以实现移动环境下的测量。
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