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公开(公告)号：CN114584086A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210086532.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大器，包括功率放大模块和转换模块，功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口，用于对接收到的射频信号进行功率放大；当射频功率放大器处于信号发射状态时，转换模块用于控制第一晶体管处于共源极工作，以使得第一端口为射频信号的输入端，第二端口为射频信号的输出端；当射频功率放大器处于信号接收状态时，转换模块用于控制第一晶体管处于共栅极工作，以使得第二端口为射频信号的输入端，第一端口为射频信号的输出端。本发明实施例所提供的射频功率放大器，发射链路和接收链路只需要一个射频功率放大器，一方面避免了现有的两路射频放大器所带来的热效应叠加的问题，另一方面，有利于满足系统小型化的需要。
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公开(公告)号：CN113871464A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994144.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管器件技术领域，制备方法包括在金刚石衬底的上表面形成氢终端；在氢终端的上表面形成源极和漏极；在源极的上表面、漏极的上表面、源极和漏极之间的氢终端的上表面形成钝化介质层；去除源极和漏极之间的部分钝化介质层，使得对应部分的氢终端的上表面裸露；在其余钝化介质层的上表面、氢终端裸露的上表面形成SiO2介质层，得到对应氢终端裸露部分的硅终端；在SiO2介质层对应硅终端的上表面形成栅极。如此设置，可以得到硅终端金刚石，可以实现常关型金刚石场效应晶体管，实现较低的界面态密度和较高的介质质量，具有良好的直流和射频性能。
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公开(公告)号：CN112992678A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161018.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面制备源极、漏极和栅极；刻蚀SiC衬底和GaN异质结层，形成与源极连通的源通孔；去除通孔掩膜层，制备背面接地金属，完成金刚石衬底GaN晶体管器件的制备。本发明提供的制备方法，借助SiC刻蚀通孔，取代难度较大的金刚石激光通孔，实现金刚石上GaN异质结器件背面通孔接地，为金刚石衬底GaN晶体管器件的制备提供了方便；同时，由于只是在背面部分小区域去除了SiC衬底，避免了材料大的形变，为后序正面工艺提供了方便。
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公开(公告)号：CN109119474B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810935833.5
申请日：2018-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种常关型场效应晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底、设于所述衬底上侧的至少两个相互间隔设置的二维材料层、设于所述二维材料层上侧的源电极、设于所述二维材料层上侧且与所述源电极间隔设置的漏电极、设于所述二维材料层上侧且位于所述源电极和所述漏电极之间的阻挡层及设于所述阻挡层上侧的至少一个栅电极；相邻两个所述二维材料层之间形成二维材料断层区，所述二维材料断层区的至少一侧边缘向外凸出于所述栅电极在所述二维材料层所在平面上的投影区域的侧边缘。本发明提供的常关型场效应晶体管在保证晶体管能够夹断，实现常关的同时，还不牺牲器件本身的迁移率和电子饱和速度，器件性能没有损失。
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公开(公告)号：CN112951919A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110127406.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/34
Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜栅型氧化镓场效应晶体管及制备方法。所述斜栅型氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在所述衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在所述n型氧化镓沟道层两端的源电极和漏电极、以及设置在所述源电极和漏电极之间的栅介质层和栅电极；在所述n型氧化镓沟道层上、所述栅电极下方设有一刻蚀凹坑，所述刻蚀凹坑的深度从靠近所述源电极一端向靠近所述漏电极一端逐渐变浅，且栅源区域的沟道层未被刻蚀。本发明提供的斜栅型氧化镓场效应晶体管不仅可以有效平滑沟道电场分布，有效抑制沟道尖峰电场强度，进而大幅改善器件击穿电压，而且可以保持低的沟道电阻，从而有效降低氧化镓MOSFET的导通电阻。
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公开(公告)号：CN112289866A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011085010.1
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/08
Abstract: 本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，利用串联电路和并联电路的原理，采用多个同向串联肖特基结进行反向并联的形式，通过增加肖特基结个数，使得倍频器可以承受更大的输入功率，从而得到更大的输出功率。
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公开(公告)号：CN109786233B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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公开(公告)号：CN109659355B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811488059.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种常关型氧化镓场效应晶体管结构，属于半导体器件技术领域，自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层，所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。本发明提供的常关型氧化镓场效应晶体管结构，无需在栅下制备凹槽，而是通过高温氧化形成无电子沟道区，在无电子沟道区上形成栅极，避免了刻蚀损伤和刻蚀深度不可控的问题，提高了饱和电流和击穿电压。
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公开(公告)号：CN111933747A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010711529.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/18 , H01L27/144 , H01L31/0203 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法，所述面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法包括：在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。本发明提供的面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法能够降低日盲紫外探测器的工艺难度和制作成本。
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公开(公告)号：CN111933723A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010713194.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种透明场板结构的紫外探测器及其制作方法，所述制作方法包括：制备具有台面结构的紫外探测器，所述台面顶面上设置有第一欧姆电极；在所述台面的顶面和侧壁上生长场板介质，并刻蚀出所述第一欧姆电极；在所述场板介质和所述第一欧姆电极上生长ITO透明场板，得到透明场板结构的紫外探测器。本发明能够使紫外探测器的光子探测区域的电场分布均匀，大幅度提高紫外探测器的探测效率。
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