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公开(公告)号：CN116632013A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310607008.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO有源层上形成源极、漏极。本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
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公开(公告)号：CN116525684A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310595665.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , G05F1/56 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
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公开(公告)号：CN116345859A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310328443.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明是一种具有死区时间控制功能的多路栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器(1)、MOS驱动网络(2)、多绕组隔离变压器(3)、钳位电路(4)和死区时间控制电路(5)；MOS驱动网络(2)的输出经过多绕组隔离变压器(3)输出给钳位电路(4)，钳位电路(4)的输出信号作为LLC‑DCX拓扑原边的栅驱动信号；死区时间控制电路(5)用于调整死区时间，实现LLC‑DCX软开关，减少开关切换状态的能量损失。使得死区时间可控，可以提供多路栅极驱动信号，同时降低了驱动损耗，提高了系统稳定性。
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公开(公告)号：CN114157145B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111439320.3
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC开关电源的电感电流预估方法，包括电压采样模块、数据转换模块、开关信号计数模块、电感电压计算模块和数字滤波器模块；输入电压和输出电压经过电压采样模块和数据转换模块，得到位数相同的转换后的输入电压和转换后的输出电压；节点电压与参考电压进行比较，再通过开关信号计数模块得到占空比；然后电感电压计算模块输出电感和寄生阻两端的电压平均值，再经过数字滤波器模块最终得到预估的电感电流；本发明在只采样输入和输出电压的情况下，能准确估算出实时电感电流，且不需要增加额外的电阻、电容和运放等模拟采样电路，不需要远高于开关频率的高速ADC，可降低成本、减小电路体积，具有很高泛用性。
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公开(公告)号：CN115458609A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211239216.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高耐压、低导通电阻IGZO薄膜晶体管及其制备方法，通过在器件IGZO低阻漂移区部分进行氢离子掺杂，提高IGZO低阻漂移区内的载流子浓度，降低IGZO沟道导通电阻，显著降低因非栅控漂移区提升器件耐压而牺牲的电流密度，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系，同时相比传统砷离子掺杂、双栅结构等工艺，本发明降低了实验温度、简化了工艺步骤，极大地提升漂移区电流能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759093A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210380955.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。
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公开(公告)号：CN108694156B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201810337335.0
申请日：2018-04-16
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法。步骤为，将CPU、缓存和目录抽象为一个节点模型；经全系统仿真，统计片上网络架构中由缓存一致性约束产生的路由节点数据包收发情况；提取体现应用流量时间分布特性和空间分布特性的特征向量；基于特征向量，使用马尔科夫调制模型合成片上网络流量。本发明能够快速提供准确的片上网络流量，节约全系统仿真采集流量的时间，加速片上网络架构的探索进程。该方法合成的网络流量在时间分布和空间分布特性上与真实的网络流量一致，足以用来辅助片上网络架构的设计。
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公开(公告)号：CN113765395A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111008767.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种改善有源钳位反激式变换器原边反馈采样精度的控制系统及控制方法，在本发明中，通过采样保持模块，在钳位开关管关断时对辅助绕组电压采样，从而获得输出电压的精确值，并与参考电压比较得到输出电压的误差信号，将误差信号与输入电压采样模块得到的输入电压信号输入到PWM控制模块，得到合适的开关管导通时间，产生钳位开关管驱动信号和主开关管驱动信号，本发明方案简单易行、成本低，能够改善对输出电压信号的采样精度，提高了控制系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN108318796B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711326839.4
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。
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公开(公告)号：CN108694156A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810337335.0
申请日：2018-04-16
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
CPC classification number: G06F15/781 , G06F17/5009
Abstract: 本发明公开了一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法。步骤为，将CPU、缓存和目录抽象为一个节点模型；经全系统仿真，统计片上网络架构中由缓存一致性约束产生的路由节点数据包收发情况；提取体现应用流量时间分布特性和空间分布特性的特征向量；基于特征向量，使用马尔科夫调制模型合成片上网络流量。本发明能够快速提供准确的片上网络流量，节约全系统仿真采集流量的时间，加速片上网络架构的探索进程。该方法合成的网络流量在时间分布和空间分布特性上与真实的网络流量一致，足以用来辅助片上网络架构的设计。
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