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公开(公告)号：CN105978123B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610393244.X
申请日：2016-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种移相全桥式车载充电机死区时间动态调节系统，包括输入整流滤波模块、移相全桥主功率模块、输入电压采样模块、输出电流采样模块、栅驱动模块、STM32单片机控制模块。STM32单片机通过其内部的ADC将输入电压采样模块和输出负载电流采样模块得到的采样信息传递给CPU，CPU利用此采样信息与预先设定的参考值进行比较，判断出该车载充电机处于何种工作状态，根据不同的工作状态，分别对控制芯片内部的定时器进行不同的配置，使得移相全桥变换器滞后桥臂的死区时间能够根据负载状态进行动态调节。本发明在车载充电机的整个充电过程中均能够实现零电压开关，降低了开关管的开关损耗，提高了系统的整体效率。
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公开(公告)号：CN107273563A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710270652.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种平面变压器PCB绕组寄生电容等效计算方法，通过对平面变压器PCB绕组的建模和分析，模拟PCB绕组寄生电容的分布情况，通过计算存在寄生电容的各相邻两层之间寄生电容存储能量的大小并进行叠加，利用能量和寄生电容之间的关系以及能量守恒定律，对PCB绕组整体的寄生电容进行计算,然后将其等效为三个部分的电容的计算，即原边绕组同名端与副边绕组同名端之间的电容C1、原边绕组同名端与副边绕组异名端之间的电容C2以及原边绕组异名端与副边绕组同名端之间的电容C3。
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公开(公告)号：CN107147302A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710590007.7
申请日：2017-07-19
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/1475 , H02M3/3353 , H02M1/14 , H02M3/33576
Abstract: 一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法，包括电压采样电路、运算放大电路、低通滤波电路、微控制器和隔离驱动电路。在LLC变换器的每一个工作周期内，通过电压采样电路分别在LLC变换器副边侧的同步整流MOS管关断之前和关断之后各采集一次同步整流MOS管的漏端电压，并通过微控制器将上述两个漏端电压进行比较判断，根据实时判断的结果来控制下一周期同步整流MOS管驱动信号的周期和占空比，最终使同步整流MOS管的关断点稳定在其电流过过零点处附近，因此，同步整流LLC变换器就稳定工作在最优效率点附近。
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公开(公告)号：CN105978339A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610520899.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M3/1582 , H02M1/00 , H02M2001/0009 , H02M2001/0012
Abstract: 一种基于遗传算法的效率优化电源控制方法，基于包括Boost升压电路、输入电流采样电路、输出电流采样电路、输出电压采样电路、采样放大隔离电路以及以微控制器为控制核心的控制电路构成的控制系统，采样得到的输入电流、负载输出电流和负载输出电压，通过对应的采样放大隔离电路输出给微控制器为控制核心的控制电路，控制电路输出信号控制Boost升压电路的开关管。微控制器为控制核心的控制电路包括AD转换、PI控制、遗传算法优化和脉冲宽度调制产生模块，利用微控制器的中断配合，精确采集输入电流值，由PI控制器调节占空比，稳定输出电压，采用遗传算法优化效率，在负载变化时能够寻找最佳开关频率，找出最优效率点。
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公开(公告)号：CN103929138B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410169761.X
申请日：2014-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种低功耗高增益高摆率的运算跨导放大器，在设有输入级、输出级和负载电容CL的运算跨导放大器基本结构基础上，增设自适应偏置电路、电流检测电路、差分电流重新分配电路和动态输出驱动控制电路，由差分输入信号控制自适应偏置电路，通过电流检测电路检测自适应偏置电路产生的电流，并经过差分电流重新分配电路增加负载的小信号电流差以提高运算跨导放大器的等效跨导，动态输出驱动控制电路采集检测到的电流，动态地控制输出端的电流，实现运算跨导放大器压摆率的全面提升，彻底解决一般运算跨导放大器难以调和的速度与精度之间的矛盾，实现电路静态、动态性能的全面提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105610307A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610118733.4
申请日：2016-03-03
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H02M2001/0006 , H02M2001/0048
Abstract: 一种产生固定负压的功率开关管隔离栅驱动电路，包括脉宽调制驱动器、电容Cb、C1、变压器T1、二极管D以及开关管Q1。增设电阻R1与电容C1并联以及电容C2与电阻R2并联和Buck电路、辅助变压器TA、TB。TB设有2个副边，C2与R2并连后一端接二极管D的阴极，另一端通过TB其中一个副边连接Q1的栅极，Buck电路的正输出端串联TB和TA的两个原边后连接Buck电路的负输出端，T1原边同名端串联TA副边和TB的另一副边后连接T1原边的非同名端并接地。在Q1关断时，二极管D、电容C2、电阻R2构成负压产生源，Buck电路、辅助变压器TA和TB构成电压补偿网络，保证负压的稳定，避免Q1的误导通。
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公开(公告)号：CN104917412A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510420397.4
申请日：2015-07-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M1/42 , H02M3/335 , Y02B70/126
Abstract: 一种单级功率因数校正的移相全桥拓扑电路，包括输入储能电容、输入整流电路、全桥臂电路、隔直电容、变压器和输出整流滤波电路，其特征在于：增设输入电感L和包括续流开关管和续流二极管构成的续流电路，续流电路和输入电感L并联，并联后的一端连接输入整流电路的输出端，另一端连接全桥臂电路，并且复用全桥臂电路中超前桥臂的下开关管作为boost电路中的开关管实现整流，与输入电感L共同实现单级功率因数校正。本发明将具有功率因数校正功能和移相全桥拓扑结构的两级电路用一级电路实现，大大提高了带有PFC功能全桥电路的功率密度，而且其结构简单，成本低，可靠性高。
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公开(公告)号：CN104578341A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410835281.2
申请日：2014-12-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02J7/022 , H02J2007/10
Abstract: 一种基于移相全桥电路死区时间可调的车载充电机，包括依次连接的三相整流电路、输入滤波电路、移相全桥电路及STM32单片机，增设输出电压电流检测电路、死区动态调整电路和四个结构相同的栅驱动推挽放大电路，STM32单片机根据输出电压电流检测电路的采样值，由定时器产生四路PWM驱动信号连接至死区动态调整电路的四个输入端，死区动态调整电路输出四路带有死区时间的PWM信号分别连接至四个栅驱动推挽放大电路的输入端，四个栅驱动推挽放大电路的输出端分别控制移相全桥电路中四个开关管Q1、Q2、Q3、Q4的栅极，实现了移相全桥电路死区时间的动态调节和较大的功率输出，极大的提高了充电机的工作效率。
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公开(公告)号：CN102956636B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210343012.5
申请日：2012-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L27/0623 , H01L27/1203 , H01L29/0638 , H01L29/404
Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN102760756B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210227688.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。
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