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公开(公告)号：CN102281033A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110080627.9
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03B29/00
Abstract: 本发明公开了一种新型基于开关电容的采样技术，与传统的采样技术相比，该发明通过额外增加一个采样阶段的电容，大幅度降低采样过程中由于开关电阻引入的热噪声，该热噪声往往是电路精度的瓶颈，另一方面，该额外引入的采样电容并不会对开关电容的积分阶段产生影响。
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公开(公告)号：CN101764124B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810044193.5
申请日：2008-12-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供互连电阻测量结构及方法，以测量出集成电路中金属层互连结构的各部分电阻，有利于提高集成电路的性能；该结构包括：主测量结构，由通孔、两条弯折互连线及至少两个电阻测量端构成；第一辅助测量结构，由一条所述弯折互连线及至少两个电阻测量端构成；以及第二辅助测量结构，由一条所述弯折互连线及至少两个电阻测量端构成。
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公开(公告)号：CN102200554A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110079371.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/04
Abstract: 本发明提出了通孔电阻测试结构及方法，以提高通孔电阻的测试精确度。该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，包含有多个通孔单元及连接通孔单元的互连线，相邻两个通孔单元由互连线相连，所述同一个子测试结构中的通孔单元包含的通孔数相同，所述互连线由分别位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构在通孔单元的通孔数彼此不相同，所述各子测试结构的互连线部分完全相同。
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公开(公告)号：CN102186284A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110079360.1
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了一种新颖的适用于市电输入的LED驱动器的启动逻辑及其电路，以实现全球通用交流市电输入(85V AC～265V AC)下，均可顺利完成驱动器的上电及启动过程。其中所述启动逻辑及电路，包括LED驱动的时序启动逻辑；以及完成该逻辑所需要的电路：电源上电电路，用于整流滤波，为驱动器提供启动电流；片内预充电电路，用于第一时间产生片内的守候电压源，从而为其他启动所需模块供电；带隙基准电路，用于提供芯片内部低温度系数的参考电压及电流；电压调节器电路，采用低压降线性稳压器(Low Dropout Regulator)的结构，产生5V的内部电源电压，用于芯片内部供电；自举欠压锁定电路，具有较大滞回电压范围(9.7V～21.6V)，允许驱动器输入电压高于门限电压21.6V时自行启动，降至9.7V以下时，返回至启动模式。至此，完成LED驱动器的电压转换、上电启动、芯片工作过程。
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公开(公告)号：CN102176188A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110079384.7
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明提供了一种新型高精度全周期输出开关电容带隙基准电压产生电路，以满足高精度增量ADC对参考电压精度的要求。本电路结构采用了双转单开关电容运算放大器结构，不仅消除了运放输入失调电压的影响，而且也减小了运放有限增益误差。此外还包括两个同样的开关电容带隙基准产生电路，但是其时钟周期互补，同时在各自的输出端串联一个选通开关，从而实现全周期带隙基准电压输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102158229A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110079375.8
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明提供了一种新型全差分多阶增益ADC失调电压和电荷注入消除技术，以提高增益ADC的分辨精度和减小量化误差。其中所述失调电压和电荷注入消除电路，包括多阶增量ADC开关电容积分电路，此外还包括用于控制积分时序的两相不交叠时钟电路，其输出时钟给开关电容积分电路，控制积分模块的时序；此外还包括逻辑控制模块，用于控制整体电路的工作时序以及产生消除失调电压和电荷注入的特定时序；此外还包括低输入失调的全差分量化器，用于量化积分电压，并控制积分输入电压的选择；此外还包括数字滤波器，对量化器输出进行量化，产生对应的二进制输出；此外还包括模拟地产生电路，用来给全差分运放提供输出共模电位。
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公开(公告)号：CN102130173A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010607832.1
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/402
Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，涉及半导体60V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。
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公开(公告)号：CN101807822A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010113505.0
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种无线供能方法及相关装置，以实现低电压、高效率、绿色安全、方便实用的无线充能方案。其中发射能量的线圈由多组能量发射线圈组成，该方法包括步骤：依次驱动能量发射线圈向能量接收装置发射能量；能量接收装置接收能量后，返回各个反馈信号，所述反馈信号与每次发射能量的能量发射线圈唯一对应；根据各个反馈信号，驱动相应能量发射线圈发射能量；能量接收装置接收并存储能量。
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公开(公告)号：CN101764124A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810044193.5
申请日：2008-12-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供互连电阻测量结构及方法，以测量出集成电路中金属层互连结构的各部分电阻，有利于提高集成电路的性能；该结构包括：主测量结构，由通孔、两条弯折互连线及至少两个电阻测量端构成；第一辅助测量结构，由一条所述弯折互连线及至少两个电阻测量端构成；以及第二辅助测量结构，由一条所述弯折互连线及至少两个电阻测量端构成。
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公开(公告)号：CN109980007A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454894.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
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