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公开(公告)号：CN103793685A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310526434.0
申请日：2013-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T7/254 , G06T2207/10016 , G06T2207/10024 , G06T2207/10028 , G06T2207/30232 , G06T2207/30241
Abstract: 本发明公开了识别物体动作的方法和设备以及相关系统，识别物体动作的方法可以包括：利用图像捕获装置来周期性获得与场景有关的具有第一分辨率的深度数据和具有第二分辨率的二维数据，其中，所述第二分辨率高于所述第一分辨率；通过基于所述深度数据在场景中识别目标物体来判断动作跟踪区域，使得所述动作跟踪区域与帧的一部分相对应并且所述部分包括目标物体；周期性获得与所述动作跟踪区域相对应的具有第二分辨率的跟踪区域数据；以及/或者基于所述跟踪区域数据分析目标物体的动作。
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公开(公告)号：CN101373637B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810134074.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置，所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极；将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极；将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极。
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公开(公告)号：CN101556963B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN102694998A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210080668.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01S17/89 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S7/497 , H04N13/207 , H04N13/271
Abstract: 本发明提供了一种深度传感器、深度信息误差补偿方法及信号处理系统。根据至少一个示例性实施例，深度信息误差补偿方法包括：将调制的光输出到目标对象；在第一时间间隔中的不同检测时间点对多个第一像素信号进行检测，所述第一像素信号表示在第一时间间隔期间从目标对象反射的光；在第二时间间隔的不同检测时间点对多个第二像素信号进行检测，所述第二像素信号表示在第二时间间隔期间从目标对象反射的光；将所述多个第一像素信号的每个第一像素信号和所述多个第二像素信号的每个第二像素信号进行比较并根据所述比较步骤计算到目标对象的深度信息。
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公开(公告)号：CN101556963A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810187116.5
申请日：2008-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3355
Abstract: 一种子像素、单位像素、图像传感器及其操作方法。所述图像传感器包括按阵列布置的多个单位像素。每个单位像素包括配置为由具有相同波长的光照射的多个子像素。每个子像素包括多个浮体晶体管。每个浮体晶体管包括源区、漏区、位于源区和漏区之间的浮体区域以及在浮体区域上形成的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101545771A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129834.1
申请日：2009-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01C3/08
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 本发明公开了测距传感器及三维彩色图像传感器。测距传感器可以包括：光电转换区；第一电荷存储区和第二电荷存储区；第一沟槽和第二沟槽；和/或第一垂直光栅极和第二垂直光栅极。光电转换区可以在衬底中和/或可以用第一杂质掺杂以便响应接收的光而产生电荷。第一电荷存储区和第二电荷存储区可以在衬底中和/或可以用第二杂质掺杂以便收集电荷。第一沟槽和第二沟槽可以形成为在衬底中分别具有与第一电荷存储区和第二电荷存储区对应的深度。第一垂直光栅极和第二垂直光栅极可以分别在第一沟槽和第二沟槽中。三维彩色图像传感器可以包括多个单元像素。每个单元像素可以包括多个彩色像素和测距传感器。
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公开(公告)号：CN110739320B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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公开(公告)号：CN109994494B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201811561448.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种包括在三维图像传感器中的像素阵列。所述像素阵列包括深度像素和环境光消除(ALC)电路。深度像素响应于具有不同相位的多个光控制信号来进行操作，并且基于被物体反射的光产生物体的距离信息。ALC电路从被反射的光去除环境光分量并且被深度像素共享。每个深度像素包括光电转换区域、浮置扩散区域、光栅极和排放栅极。光电转换区域基于被反射的光收集光电荷。浮置扩散区域积累光电荷。光栅极响应于所述多个光控制信号中的一个光控制信号被激活。光电转换区域在光栅极被激活时积累光电荷，而光电转换区域中的光电荷在排放栅极被激活时被释放。
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公开(公告)号：CN117133783A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310560074.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底具有多个单位像素；设置在所述衬底中并且构成所述多个单位像素的光电器件部分和存储器件部分；器件隔离结构，所述器件隔离结构设置在所述衬底中并且将所述多个单位像素分开；以及溢出栅极，所述溢出栅极根据特定电压在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间提供溢出路径，其中，所述器件隔离结构在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间的边界处部分地敞开。
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公开(公告)号：CN116805634A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310289908.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器包括：包括多个单元像素区域的衬底。衬底包括：被配置为接收光的第一表面；与第一表面相对的第二表面；设置在衬底中并且被配置为将多个单元像素区域彼此隔离的深器件隔离部，其中，深器件隔离部从第一表面朝向第二表面延伸并且具有从第一表面测量的第一深度；在多个单元像素区域中的每一个中形成在衬底中的光电转换部；以及设置在衬底的多个单元像素区域中的每一个中并且在平面图中被深器件隔离部围绕的第一垂直反射结构。
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