公开(公告)号：CN109817559A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910098935.0

申请日：2019-01-31

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 周华芳

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G03F9/00

摘要： 本发明公开了一种用于晶圆加工的双面对准工艺方法，属于半导体测量技术领域，方法包括以下步骤：S01：制作晶圆正面对准标记，并进行晶圆正面工艺制作；S02：翻转晶圆，制作背面对准标记；S03：测量晶圆正面对准标记到晶圆背面对准标记的偏差距离、晶圆背面对准标记到晶圆圆心距离与晶圆正面对准标记到晶圆圆心距离之间的夹角即偏差角度，光刻机台根据偏差距离、偏差角度进行补偿，再重新制作晶圆背面对准标记；S04：光刻机台根据测量到的晶圆正面对准标记与晶圆背面对准标记在X方向的微偏差Tx和Y方向的微偏差Ty进行补偿，再根据晶圆工艺流程要求制作晶圆背面工艺。本发明具有工艺方法简单、便捷、精度高的特点。

公开(公告)号：CN105810578B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610168036.X

申请日：2016-03-18

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 李春江

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 本发明提供了一种化合物半导体基材的表面处理方法及外延结构。该表面处理方法包括：朝化合物半导体基材的表面高压喷射含有磨料的浆体，以在化合物半导体基材的表面形成不规则的凹凸结构。该外延结构包括采用该表面处理方法得到的化合物半导体基材以及在化合物半导体基材的凹凸结构上横向生长的化合物半导体薄膜，其中，化合物半导体基材与化合物半导体薄膜为异质结构。通过上述方式，本发明能够简化表面处理工艺。

公开(公告)号：CN109103088A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201811004148.7

申请日：2018-08-30

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 张冰

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30

摘要： 本发明具体涉及一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法，将蒸发源锗置于石墨坩埚中，在真空条件下采用电子束进行蒸镀，所述电子束蒸镀时功率为1.0-1.1KW，蒸镀速率为0.3-0.5nm/s。本发明所述方法既保持了高蒸发速率，又能保证制备的金属层表面金属颗粒少，表面均匀平整。

公开(公告)号：CN105609499B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201610138376.8

申请日：2016-03-11

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 陈一峰

IPC分类号： H01L27/06

摘要： 本发明涉及了一种GaN集成器件，包括外延结构、AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器，所述外延结构由下至上依次为衬底、成核层、GaN过渡层、N‑GaN集电区、P‑GaN基区、N型发射区、N+‑GaN帽层、器件隔离层、AlN层，所述外延结构上开设有2个器件隔离区，所述器件隔离区从AlN层上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，所述器件隔离区将AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器隔开。本发明的有益效果是：将AlN SAW器件、GaN HBT器件和PN二极管限幅器集成，实现整个RF接收组件的器件级集成，可进一步提高IC功能，提高集成度，简化系统，降低尺寸，降低成本。

公开(公告)号：CN109037035A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810858352.9

申请日：2018-07-31

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 王珺楠

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02013 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明公开了一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统，方法包括以下步骤：S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。本发明通过多个步骤的综合使用，解决SiC与背金的粘附性问题造成的背面金属脱落。

公开(公告)号：CN105352636B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510765592.0

申请日：2015-11-11

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 陈一峰 ,  陈汝钦

IPC分类号： G01L1/22

摘要： 本发明提供了一种GaN压力传感器件及其制作方法。该器件包括由下而上依次形成的衬底、AlN缓冲层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlxGa1‑xN肖特基势垒层和GaN帽层，该过渡层与该肖特基势垒层形成二维电子气，二维电子气位于该过渡层和该隔离层之间，GaN帽层设有隔离区，隔离区从GaN帽层的上表面嵌入延伸至GaN过渡层内部，隔离区在GaN帽层上分隔出传感区域和器件区域，传感区域和器件区域均生长有具有张应力的钝化层，传感区域的钝化层表面沉积有TaN传输线，器件区域的钝化层上形成有栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均穿过钝化层形成在GaN帽层上。本发明能够实现极端环境下的压力探测。

公开(公告)号：CN108376677A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810201679.9

申请日：2018-03-12

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 陈一峰

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种对侧级联半导体芯片装置及级联方法，装置包括：绝缘基板，所述的绝缘基板上具有第一通孔；分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片；其中，第一半导体芯片具有第二通孔，第二半导体芯片具有第三通孔，在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔；所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁；填充至所述完整的通孔并烧结成型的导电填充剂。本发明采用半导体工艺，通过金属化侧壁加工以及对应位置组装，在通孔中实现导电填充剂填充，使得在同一个基板的两侧实现两款芯片的级联，有效的节省了封装空间，同时有效的避免bond线引入的风险。

公开(公告)号：CN108376644A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810180223.9

申请日：2018-03-05

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 陈一峰

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 本发明涉及射频微波半导体制作技术领域，具体涉及一种半导体晶圆孔洞制作方法，包括以下步骤：在测试晶圆上分别测试得到两个孔洞的刻蚀速率，计算得到与两个孔洞的横截面积一一对应相等的测试光刻胶的刻蚀速率及两个孔洞的刻蚀时间；在晶圆表面铺设第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光并显影，形成第一图形化光刻胶层；计算得到修正光刻胶层的厚度；在晶圆表面铺设所述厚度的修正光刻胶层，对修正光刻胶层进行曝光并显影，形成第二图形光刻胶层；沿第一图形化光刻胶层对晶圆进行刻蚀，形成具有两个孔洞的晶圆。本发明以较长的刻蚀时间为基准，通过铺设修正光刻胶层来延长另一个孔洞的刻蚀时间，避免出现刻蚀深度超出预设值或损伤晶圆的情况。

公开(公告)号：CN105549553B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510903525.0

申请日：2015-12-08

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 李永宏

IPC分类号： G05B19/418 ,  B24B51/00 ,  B24B49/00

CPC分类号： Y02P90/02

摘要： 本发明提供了一种生产机台的生产控制方法。其包括：指定生产机台对应的量测机台，在生产机台结束维护状态后，如果生产机台恢复到生产状态，检测生产机台是否已生产预设批次的产品；如果生产机台已生产预设批次的产品，将生产机台从生产状态变更为暂停状态，从量测机台获取预设批次的产品的量测数据，并累计一次循环次数；根据量测数据确认预设批次的产品是否满足质量要求；如果满足质量要求，判断循环次数是否达到预设次数；如果循环次数没有达到预设次数，将生产机台从暂停状态恢复到生产状态，并重复检测生产机台是否已生产预设批次的产品；如果不满足质量要求，将循环次数清零并发出报警通知。本发明能够避免人力浪费，同时预防产品出现异常。

公开(公告)号：CN107958926A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201711175805.X

申请日：2017-11-22

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 谢骞

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

摘要： 本发明涉及一种异质结双极晶体管器件中基极基座的返工制作方法，其特征在于，在基极基座上进行返工程序，包括以下内容：101、采用BP光罩，重新光刻制作出掩膜图形，形成返工BP光阻，开始返工程序；102、进行InGaP侧壁补湿法蚀刻及SiN Nitride侧壁补干法蚀刻，去除侧壁残留；103、去除返工BP光阻，结束返工程序。本发明通过在基极基座上再次使用单层光罩(BP Mask)返工蚀刻工艺，可以快捷去除侧边突出下层GaAs的SiN Nitride及InGap层残留，及时对产品进行补救，避免原工艺流程中返工步骤重复性的原材料浪费问题，且不会影响产品性能。