-
公开(公告)号：CN116206652A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211513757.1
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本公开的实施例涉及具有改善的保存特性的相变存储器器件及其相关方法。相变存储器元件具有存储器区域，第一电极和第二电极。存储器区域布置在第一和第二电极之间，并具有体区和有源区。存储器区域由基于锗、锑和碲的合金制成，其中在存储器区域的体区中锗的百分比高于锑和碲。所述有源区被配置为在与第一存储器逻辑电平相关联的第一稳定状态和与第二存储器逻辑电平相关联的第二稳定状态之间切换。有源区在第一下，有源区具有均匀的非晶结构，在第二稳定状态中，有源区具有不同的多晶结构，包括具有第一化学计量的第一部分和具有不同于第一化学计量的第二化学计量的第二部分。
-
公开(公告)号：CN116203083A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211543632.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
Inventor： M·贾科米尼 , F·E·C·迪塞格尼 , R·纳尔沃 , P·K·赛尼 , M·哈雷什巴·尼兰贾尼
IPC: G01N27/20
Abstract: 本公开涉及半导体管芯裂纹检测器。提供了一种用于检测半导体管芯中的结构缺陷的组件。该组件包括缺陷检测传感器和微控制器。缺陷检测传感器包括半导体管芯中导电材料的多个电阻路径，每个电阻路径具有第一端和第二端，并且靠近半导体管芯的周边延伸。缺陷检测传感器包括多个信号产生结构，每个信号产生结构耦接到相应的电阻路径，并被配置为向电阻路径提供测试信号。微控制器被配置成控制信号产生结构以生成测试信号，获取每个电阻路径中的测试信号，通过对所获取的测试信号执行分析来测试电阻路径的电特性，并基于所获取的测试信号的分析结果来检测半导体管芯中结构缺陷的存在。
-
公开(公告)号：CN116199178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511741.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
-
公开(公告)号：CN116193712A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211491210.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及承载多个电子器件的电子模块。电子模块具有三维框架、印刷电路板和多个电子器件。印刷电路板被固定到三维框架，并且具有在空间中彼此横向延伸的多个支撑部分。电子器件被固定到印刷电路板，并且可操作地彼此耦接。电子器件被布置在印刷电路板的至少一个支撑部分上。
-
公开(公告)号：CN116184048A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211504759.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： M·奥里奥
Abstract: 本公开涉及具有高阻抗接触焊盘的静电电荷传感器。一种为静电电荷传感器提供高阻抗接触焊盘的装置。静电电荷传感器和驱动器共用接触焊盘。通过减少通过驱动器的电流泄漏，将接触焊盘设置为高阻抗状态。与具有低阻抗接触焊盘的静电电荷传感器相比，本文公开的静电电荷传感器具有高灵敏度，并且能够检测弱静电场。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137581A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211428906.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于具有广播消息的网状通信网络的装置和方法。一个实施例是一种方法，包括：由第一装置经由网状通信网络在第一通信信道上接收第一广播消息，所述第一广播消息具有第一跳计数；由所述第一装置经由所述网状通信网络在所述第一通信信道上接收第二广播消息；以及由所述第一装置确定所述第二广播消息是否是针对所述第一广播消息的一致广播消息，所述确定包括：由所述第一装置确定所述第一广播消息是否具有与所述第二广播消息相同的发起者地址；以及由所述第一装置确定所述第二跳计数是否大于所述第一跳计数。
-
公开(公告)号：CN116111819A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211402791.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及ACF变换器中的逐周期反向电流限制。在一个实施例中，一种用于操作ACF变换器的方法，包括：导通耦合在变压器的初级绕组和参考端子之间的低侧晶体管以使正向电流进入初级绕组，关断低侧晶体管；在关断低侧晶体管之后，导通耦合在初级绕组和钳位电容器之间的高侧晶体管，以使反向电流流过初级绕组；并且在导通高侧晶体管之后，当未检测到反向电流的过电流时，保持高侧晶体管导通达第一时间段，并且在第一时间段之后关断高侧晶体管，并且当检测到反向电流的过电流时，在未保持高侧晶体管导通达第一时间段的情况下关断高侧晶体管。
-
公开(公告)号：CN116110807A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211400898.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 一种半导体管芯被布置在衬底上，并且激光直接成型(LDS)材料封装被模制到半导体管芯上。贯通模具式过孔(TMV)延伸贯通该封装。该TMV包括套环区段，该套环区段从外表面延伸贯通封装的第一部分以到达封装的中间层；以及截头圆锥形区段，该截头圆锥形区段从套环区段的底部延伸贯通封装的第二部分。套环部分在中间层处具有第一横截面面积。截头圆锥形区段的第一端在中间层处具有第二横截面面积。第二横截面面积小于第一横截面面积。TMV可以具有不限于1:1的纵横比。
-
公开(公告)号：CN110021322B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910019299.8
申请日：2019-01-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·E·C·迪塞格尼 , C·托尔蒂 , D·曼弗雷
Abstract: 本申请涉及在不同读取模式之间切换的设备和读取存储器的方法。存储器器件包括第一存储器扇区和第二存储器扇区，每个存储器扇区包括相应的多个局部位线，局部位线可以选择性地耦合到多个主位线。存储器器件还包括第一放大器和第二放大器以及布置在主位线与第一和第二放大器之间的路由电路。路由电路包括：布置在第一下部主位线和第一放大器的第一输入之间的第一下部开关；布置在第一下部主位线和第二放大器的第一输入之间的第二下部开关；布置在第一上部主位线和第一放大器的第一输入之间的第一上部开关；布置在第一上部主位线和第二放大器的第一输入之间的第二上部开关。第一和第二放大器的第二输入分别耦合到第二下部主位线和第二上部主位线。
-
公开(公告)号：CN116073827A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211334459.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本公开的实施例涉及用于测试包括数模转换器的电子电路的系统和对应方法。数模转换器(DAC)包括开关网络和内置自检(BIST)电路。在操作中，DAC响应于DAC的输入代码集合中的输入代码而生成模拟输出信号。BIST电路依次应用输入代码集合中所确定的代码子集合的代码来测试多个开关。所确定的代码子集合的代码少于输入代码集合的代码。BIST电路基于DAC对所应用的代码的响应来检测多个开关的开关故障。响应于检测到开关故障，BIST生成指示开关网络故障的信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
2890
records
(took 0.064 seconds)
