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公开(公告)号:CN111303676A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN202010156720.2
申请日:2020-03-09
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C09D5/08 , C09D163/00 , C09D163/02
Abstract: 本发明提供一种石墨烯分散液及其制备方法,以及应用该石墨烯分散液制备的防腐涂料,该石墨烯分散液包括石墨烯、分散剂和有机溶剂,其中分散剂为非离子型表面活性剂,石墨烯与分散剂的质量比为(0.1~3):1。本发明的石墨烯分散液具有粒度分布均匀、储存稳定性好、与树脂相容性好等特点,该石墨烯分散液的制备方法简单,成本低,适用于工业化生产。本发明的石墨烯分散液还可作为特定适用于与环氧树脂复配的分散液,所得涂料具有优异的防腐性能,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN107589580B
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201610533652.0
申请日:2016-07-07
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯玻璃制备智能调光玻璃的方法,所述方法包括以下步骤:第一步:玻璃基底在常压环境下与通入的碳源在400‑1100℃下,化学气相沉积30min‑480min,获得石墨烯玻璃基板;第二步:将紫外光可聚合体系以及与其折射率匹配的向列相液晶按质量比3:2~3:7混合均匀,得到各向同性液体,再加入占各向同性液体总质量0.1~10.0wt%的自由基光引发剂和占各向同性液体总质量1.0~10.0wt%的玻璃微珠后混合均匀,灌入用石墨烯玻璃基板制作的液晶盒中,在温度0~60℃条件下,使用波长为365nm的紫外光辐照1.0~30.0分钟,固化形成智能调光玻璃。本发明的智能调光玻璃界面粘结力强,稳定性好。
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公开(公告)号:CN111232964A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010061392.8
申请日:2020-01-19
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法、石墨烯晶圆及鼓泡体系,该方法包括:提供一带有金属基底的石墨烯晶圆;以及,采用电化学鼓泡工艺将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离;其中,所述电化学鼓泡工艺中的鼓泡体系包括水相和有机相,所述水相包括电解质水溶液,所述有机相位于所述水相的下方。本发明一实施方式的石墨烯晶圆的转移方法,大大减少了转移过程中石墨烯薄膜的破损,提高了所得石墨烯薄膜的质量。
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公开(公告)号:CN110904502A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201911286235.0
申请日:2019-12-13
Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法,通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯,并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点,通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法,破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上,显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性,进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。
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公开(公告)号:CN110817852A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201911308837.1
申请日:2019-12-18
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种基于水处理辅助机制的石墨烯的制备方法,包括步骤如下:提供一基底,基底置于反应腔室;对基底进行退火预处理;通入碳源,于退火预处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯;其中,退火预处理还包括引入水蒸气于反应腔室以刻蚀基底表面,石墨烯于刻蚀后的基底表面生长。该方法通过在生长石墨烯之前先在水辅助下对基底表面进行退火预处理,使得石墨烯可在绝缘基底上直接生长高质量、大面积的石墨烯,在半导体领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110451496A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201910875607.7
申请日:2019-09-17
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种连续放量制备粉体石墨烯的方法,包括:S1,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入惰性气体以产生等离子体;S2,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入碳源进行粉体石墨烯的气相生长;S3,停止通入碳源,并通入刻蚀剂刻蚀所述微波等离子体化学气相沉积系统中残留的石墨烯;以及S4,重复步骤S1-S3,以实现粉体石墨烯的连续放量制备。本发明的方法可实现粉体石墨烯的长时间不间断制备,获得的粉体石墨烯品质高,纯度高,含氧量低,且为100%的尺寸在300nm以下的片层石墨烯,有利于石墨烯片的连续化和批量化制备,具有极大的应用前景。
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公开(公告)号:CN110438556A
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201910710749.8
申请日:2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法,该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火,制得所述单晶铜箔;其中,在所述具有多个温区的区域内,相邻温区的温差为5~200℃。本发明一实施方式的方法,工艺简单,可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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公开(公告)号:CN109649219A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201910098087.3
申请日:2019-01-31
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: B60L58/26 , B60L58/27 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/625 , H01M10/655 , H01M10/6562 , H01M10/663
Abstract: 本发明公开一种车辆、车载电池组件以及车载电池的保温系统,其中车载电池的保温系统包括第一保温结构和第二保温结构,第一保温结构包围于电池的外围,具有第一腔体以及与第一腔体连通的第一入风口和出风口,第一入风口具有用于调节风量大小的流量调节阀,第一入风口供自然风进入;第二保温结构具有第二腔体,该第二腔体内设置有加热结构,第二腔体选择性地连通于第一保温结构。通过第一保温结构和第二保温结构配合,可以使车载电池组件的温度控制在理想范围,从而可以提高车载电池的使用寿命。
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公开(公告)号:CN108821273A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201811109110.6
申请日:2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法,真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体,升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板,石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方,目标基底固定于支撑凸台上。加热装置,设于真空腔体内且连接于支撑凸台,加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中,真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上,并通过加热装置加热,将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度,同时降低了石墨烯水氧掺杂,具有重要的应用价值。
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