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公开(公告)号：CN109473200A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811520756.3
申请日：2018-12-12
Abstract: 提供一种透明导电玻璃，包括依次层叠的透明玻璃层、金属导电网络层和石墨烯层。还提供该透明导电玻璃的制备方法。本发明在有金属网络层的玻璃上直接生长石墨烯作为保护层与导电层的方法，所述方法可大大提高石墨烯-金属网络透明导电玻璃的稳定性与均匀性，且该方法可以用于大规模放量生产。
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公开(公告)号：CN109103314A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810972648.3
申请日：2018-08-24
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种石墨烯紫外LED，石墨烯紫外LED包括：蓝宝石基底；石墨烯层，位于所述蓝宝石基底上；以及LED单元，位于所述石墨烯层上。本发明的石墨烯紫外LED器件可大大降低AlN薄膜中的应力和位错密度，使得制成的石墨烯紫外LED具有很高的发光效率，且可以避免使用过程中的过热问题，对于紫外器件的制造具有重大意义。本发明还提供上述石墨烯紫外LED的制备方法，基于石墨烯非常好的热导率和应力释放作用，以及表现为范德华外延生长的薄膜沉积过程，将传统工业中的两步成膜法转变为一步成膜法，显著降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110817852B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911308837.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种基于水处理辅助机制的石墨烯的制备方法，包括步骤如下：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底进行退火预处理；通入碳源，于退火预处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，退火预处理还包括引入水蒸气于反应腔室以刻蚀基底表面，石墨烯于刻蚀后的基底表面生长。该方法通过在生长石墨烯之前先在水辅助下对基底表面进行退火预处理，使得石墨烯可在绝缘基底上直接生长高质量、大面积的石墨烯，在半导体领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109166951B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810974236.3
申请日：2018-08-24
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外LED技术中的应用，包括石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底和位于所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底上的LED单元，其中所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括：纳米图形化蓝宝石衬底；以及石墨烯层，形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明的石墨烯紫外LED器件通过在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，降低了外延紫外LED器件结构中量子阱处的位错密度与应力，提升光提取效率，为高光效紫外LED技术开发奠定了基础，对于紫外器件的制造具有重大意义。
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公开(公告)号：CN110817852A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911308837.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种基于水处理辅助机制的石墨烯的制备方法，包括步骤如下：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底进行退火预处理；通入碳源，于退火预处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，退火预处理还包括引入水蒸气于反应腔室以刻蚀基底表面，石墨烯于刻蚀后的基底表面生长。该方法通过在生长石墨烯之前先在水辅助下对基底表面进行退火预处理，使得石墨烯可在绝缘基底上直接生长高质量、大面积的石墨烯，在半导体领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109081332B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810979528.6
申请日：2018-08-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法，石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括纳米图形化蓝宝石衬底和石墨烯层，所述石墨烯层形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，制备出高质量石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底，可有效显示装置的性能，同时制备工艺过程简单，可控性高，适合工业批量生产。
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公开(公告)号：CN109166951A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810974236.3
申请日：2018-08-24
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外LED技术中的应用，包括石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底和位于所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底上的LED单元，其中所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括：纳米图形化蓝宝石衬底；以及石墨烯层，形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明的石墨烯紫外LED器件通过在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，降低了外延紫外LED器件结构中量子阱处的位错密度与应力，提升光提取效率，为高光效紫外LED技术开发奠定了基础，对于紫外器件的制造具有重大意义。
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公开(公告)号：CN109119327A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810973406.6
申请日：2018-08-24
Abstract: 本发明提供一种在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法，包括：在纳米图形化蓝宝石衬底的表面沉积石墨烯层；对所述石墨烯层进行等离子体处理；以及在经处理后的所述石墨烯层上外延生长氮化铝层。本发明利用石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底作为氮化铝外延生长的衬底，并对石墨烯层进行等离子体处理，借助于石墨烯作为缓冲层，利用范德华外延的性质，可降低晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度，从而有效提升外延氮化铝薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN109980054A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910247542.1
申请日：2019-03-29
Abstract: 本发明提供了一种GaN纳米柱的制备方法，首先在蓝宝石衬底上形成石墨烯层，然后在所述石墨烯层上外延生长GaN纳米柱。本发明还提供了一种LED器件，依次包括蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的石墨烯层以及生长于石墨烯层上的GaN纳米柱。本发明提供的制备方法可以缓解蓝宝石衬底与GaN之间的晶格与热失配，显著提高了GaN纳米柱的生长质量，石墨烯还可以作为LED器件的底电极，无需另外制备电极，本发明的制备方法简单，普适性高，适合工业生产，具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109081332A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810979528.6
申请日：2018-08-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底及其制备方法，石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括纳米图形化蓝宝石衬底和石墨烯层，所述石墨烯层形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，制备出高质量石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底，可有效显示装置的性能，同时制备工艺过程简单，可控性高，适合工业批量生产。
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