公开(公告)号：CN110817852B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201911308837.1

申请日：2019-12-18

Applicant: 北京石墨烯研究院

Inventor： 刘忠范 ,  赵学磊 ,  陈召龙 ,  高翾

IPC: C01B32/186

Abstract: 本公开提供一种基于水处理辅助机制的石墨烯的制备方法，包括步骤如下：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底进行退火预处理；通入碳源，于退火预处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，退火预处理还包括引入水蒸气于反应腔室以刻蚀基底表面，石墨烯于刻蚀后的基底表面生长。该方法通过在生长石墨烯之前先在水辅助下对基底表面进行退火预处理，使得石墨烯可在绝缘基底上直接生长高质量、大面积的石墨烯，在半导体领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN110817852A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911308837.1

申请日：2019-12-18

Applicant: 北京石墨烯研究院

Inventor： 刘忠范 ,  赵学磊 ,  陈召龙 ,  高翾

IPC: C01B32/186

Abstract: 本公开提供一种基于水处理辅助机制的石墨烯的制备方法，包括步骤如下：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底进行退火预处理；通入碳源，于退火预处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，退火预处理还包括引入水蒸气于反应腔室以刻蚀基底表面，石墨烯于刻蚀后的基底表面生长。该方法通过在生长石墨烯之前先在水辅助下对基底表面进行退火预处理，使得石墨烯可在绝缘基底上直接生长高质量、大面积的石墨烯，在半导体领域具有广阔的应用前景。