石墨烯薄膜的转移封装方法及封装结构

    公开(公告)号:CN119764242A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411960289.1

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移封装方法及封装结构。所述转移封装方法包括:在直接生长于基底上的石墨烯晶圆表面沉积氧化铝作为转移封装层,在所述转移封装层上旋涂高分子聚合物粘合胶,再贴合支撑层;将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆与所述基底分离;将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底;热处理使所述支撑层与所述转移封装层分离。本发明的转移封装方法采用氧化铝作为转移封装层,既避免石墨烯晶圆在转移过程中的掺杂和污染,又可以保护石墨烯晶圆转移后不受环境中水氧掺杂,减小衬底带电杂质等对石墨烯晶圆载流子的散射作用同时氧化铝为石墨烯晶圆提供支撑解决了石墨烯晶圆在表面有悬空结构的不平整衬底上直接转移的问题。

    石墨烯材料的CVD制备装置及方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119710652A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411950132.0

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯材料的CVD制备装置及方法,涉及石墨烯材料制备技术领域。该石墨烯材料的CVD制备装置包括反应腔、真空组件、进气组件、控压排气组件和加热组件,反应腔用于容纳基材;真空组件设置于所述反应腔并与所述反应腔连通,进气组件与反应腔一端连通,用于向反应腔通入反应气体;控压排气组件与反应腔另一端连通,用于将反应后的气体排出并保持反应腔内气体稳定流动;加热组件设置于反应腔的外壁,加热组件被配置为沿反应腔的轴向方向并相对于反应腔移动,用于加热基材,使基材表面生长石墨烯。加热组件从基材的一端移动至另一端,使加热器沿反应腔的轴向方向完全遍历了基材,实现石墨烯在基材上均匀生长。

    加热装置、CVD设备及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119351993A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411463808.3

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本公开涉及化学气相沉积制备技术领域,尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片,线圈组件包括线圈和供电装置,线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面,供电装置用于向线圈供电,以使腔室内产生磁场;石墨盘用于安装于腔室内,石墨盘能够产生热量;导热垫片位于石墨盘上,与石墨盘同轴设置,导热垫片的直径小于石墨盘的直径;导热垫片用于承托晶圆,晶圆的直径大于导热垫片的直径,晶圆包括第一区域和第二区域,第一区域能够与导热垫片直接接触,第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式,提高了晶圆温度分布的均匀性,有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。

    溶解气体存储装置及稳定输出气体的方法

    公开(公告)号:CN119572934A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411708807.0

    申请日:2024-11-26

    Abstract: 本发明提供一种溶解气体存储装置及稳定输出气体的方法,所述装置包括:气流控制单元、溶剂混合单元、溶剂分离单元、温度控制单元。所述方法包括步骤:S1:存入溶解气体:使用上述的装置,向装置中添加溶剂,控制温度,将装置进气管连接至溶解气体气瓶,打开进气调压阀调节压力至第一压力,静置8小时以上;S2:输出溶解气体:将装置出气管连接至待使用的设备,打开出气调压阀调节压力至第二压力,溶解气体气瓶内的气体流经本装置后流入待使用的设备。通过上述装置和方法,可以保证溶解气体安全存储和使用,并且使溶解气体存储装置输出气体中溶解气体比例保持稳定,避免随着气体输出,装置内腔压力减小造成输出气体中溶剂含量增大的问题。

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