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公开(公告)号：CN115961253A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111185471.0
申请日：2021-10-12
Abstract: 本发明提供一种金属基底的制备方法，包括：在蓝宝石基底上通过磁控溅射制备金属基底，进行所述磁控溅射时所述蓝宝石基底进行自转，所述自转的转速为30～50转/分钟。还公开该方法制备的金属基底。本发明的金属基底的制备方法，通过磁控溅射这一物理气相沉积制备，在蓝宝石基底上溅射过程中，保持蓝宝石以一定转速自转，可以提高溅射制备的金属基底与蓝宝石的附着力，从而减少或避免退火过程中金属挥发产生孔洞。更进一步，通过选择特定的磁控溅射功率，进一步提高金属基底与蓝宝石的附着力，从而防止退火时产生孔洞。
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公开(公告)号：CN114956062A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213872.6
申请日：2021-02-25
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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公开(公告)号：CN114836828A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
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公开(公告)号：CN111232964B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010061392.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法、石墨烯晶圆及鼓泡体系，该方法包括：提供一带有金属基底的石墨烯晶圆；以及，采用电化学鼓泡工艺将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离；其中，所述电化学鼓泡工艺中的鼓泡体系包括水相和有机相，所述水相包括电解质水溶液，所述有机相位于所述水相的下方。本发明一实施方式的石墨烯晶圆的转移方法，大大减少了转移过程中石墨烯薄膜的破损，提高了所得石墨烯薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN112850696B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114657531A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011529709.2
申请日：2020-12-22
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的生长方法和载具。所述方法为在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，所述片材与所述金属基底所处平面平行，所述金属基底与所述片材之间的间距d满足如下关系：0.5mm≤d≤2mm，所述片材在垂直方向的投影完全覆盖所述金属基底。本发明的石墨烯晶圆的生长方法，通过在金属基底上方设置片材以形成狭缝，由于狭缝的宽度在一定范围内，因此在生长过程中氧气相对于氢气分子量大难以进入狭缝，生长过程中金属基底被还原气氛保护，基底表面不会形成氧化斑点，从而避免基底表面产生缺陷，可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。
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公开(公告)号：CN114836828B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
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公开(公告)号：CN112850696A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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公开(公告)号：CN116536773A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210090083.2
申请日：2022-01-25
Abstract: 本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
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