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公开(公告)号:CN114956062A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202110213872.6
申请日:2021-02-25
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法,包括:在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带,得到复合层;采用鼓泡剥离法将生长基底分离;待复合层干燥后,将其贴合到目标衬底;以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法,通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构,基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离,可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏;并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底,生长基底可重复使用,可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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公开(公告)号:CN116812924A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202210276554.9
申请日:2022-03-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移方法,包括:在直接生长于生长基底上的石墨烯晶圆表面形成转移媒介层,所述转移媒介层包含设置于所述石墨烯晶圆表面的有机小分子化合物层和设置在所述有机小分子化合物层表面的聚甲基丙烯酸甲酯层;在所述转移媒介层上贴合带有粘性的支撑衬底,得到支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆/生长基底复合结构;将所述支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆与生长基底分离;将支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底;热处理使所述转移媒介层中的所述有机小分子化合物挥发;及将所述转移媒介层与所述石墨烯晶圆分离。本发明的方法不使用有机溶剂来转移媒介层,可以减少石墨烯晶圆表面残留污染物,提升洁净度。
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