公开(公告)号：CN110010483A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176942.X

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 马飞 ,  冯光建 ,  王永河 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552

摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽功能的射频芯片三维封装工艺，包括如下步骤：101）柔性电路板处理步骤、102）安置功能芯片步骤、103）封装步骤；本发明提供避免了芯片间的电磁干扰的一种电磁屏蔽功能的射频芯片三维封装工艺。

公开(公告)号：CN110010481A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176859.2

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种密闭型系统级光电模块封装方式和工艺，包括如下步骤：101）底座处理步骤、102）盖板处理步骤、103）封装步骤；本发明提供批量制作，成本较之前的封装方式大大降低的一种密闭型系统级光电模块封装方式和工艺。

公开(公告)号：CN110010479A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176833.8

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 王永河 ,  冯光建 ,  马飞 ,  程明芳 ,  郭丽丽 ,  郑赞赞 ,  陈雪平 ,  郁发新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538

摘要： 本发明公开了一种射频芯片的Fan-out封装工艺，包括如下步骤：101）负载处理步骤、102）加载芯片步骤、103）底座处理步骤、104）密封步骤；本发明提供解决堆叠结构功能芯片遮挡射频芯片影响信号接收和发射的一种射频芯片的Fan-out封装工艺。

公开(公告)号：CN110007210A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811176945.3

申请日：2018-10-10

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郑赞赞 ,  冯光建 ,  马飞 ,  陈雪平 ,  刘长春 ,  丁祥祥 ,  王永河 ,  郁发新

IPC分类号： G01R31/28 ,  G01R31/00

摘要： 本发明公开了一种系统级封装模组结构的快速测试方法，包括如下步骤：101）测试板处理步骤、102）测试板二次处理步骤、103）测试步骤；本发明提供单位面积内大密度集成模组的一种系统级封装模组结构的快速测试方法。

公开(公告)号：CN111341679B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010128854.3

申请日：2020-02-28

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种超薄堆叠封装方式，包括以下步骤：A，在转接板表面挖凹槽，嵌入不同厚度的芯片，芯片和凹槽的缝隙灌入胶体；B，减薄转接板表面，减薄转接板背面，刻蚀硅材质使芯片PAD露出；C，沉积钝化层，刻蚀钝化层使芯片PAD露出，在芯片表面做RDL和焊盘；D，把多层转接板通过中间层做晶圆级键合，在晶圆表面做TSV孔，TSV孔内填充金属；E，转接板正面做CMP去除表面金属，做RDL互联线，做bump得到最终封装结构。

公开(公告)号：CN117391024B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311695494.5

申请日：2023-12-12

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 马舒琦 ,  郑伟 ,  张宗烽 ,  潘涛

IPC分类号： G06F30/373 ,  G06F30/36

摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT开关器件建模方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括：构建GaN HEMT开关器件的模型拓扑结构，模型拓扑结构中的本征部分由ASM原始模型构造；基于GaN HEMT开关器件在线性区delta参数随栅源电压变化特性，对ASM原始模型中的delta参数进行优化，以获取ASM初级模型；基于GaN HEMT开关器件在截止区电容随电压负向增大而减小的特性，对ASM初级模型中的电荷方程式进行优化，以获取ASM优化模型；基于栅极通孔接地方式对ASM优化模型中所有参数进行提取，以获取GaN HEMT开关器件的开关器件模型。本发明基于开关应用改进了ASM模型，能准确预测开关器件的性能，实现开关器件的IV、On/Off态S参数高精度拟合，可以有效地帮助设计师优化开关电路设计。

公开(公告)号：CN117393523A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311666710.3

申请日：2023-12-07

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  辛咪 ,  戴正茂 ,  程泽明 ,  吴菁菁

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种用于贴装的多层布线转接板及其制备方法，所述多层布线转接板包括基底、重新布线金属层、钝化层和UBM金属层；所述重新布线金属层形成于所述基底表面，且所述重新布线金属层上形成有用于显露所述基底的通孔；所述钝化层连续覆盖在所述重新布线金属层和所述基底的裸露表面，所述钝化层上形成有用于显露所述重新布线金属层的互联孔；所述UBM金属层在所述互联孔处嵌入至所述钝化层中，所述UBM金属层相对于所述钝化层压边设置，且所述UBM金属层的顶面低于所述钝化层的最高顶面。本发明中技术方案通过在转接板上形成相对于钝化层凹陷的UBM结构，由此转接板在后续的热压键合过程中UBM区域不会承受压力，避免产品裂片。

公开(公告)号：CN111968942B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202010855286.7

申请日：2020-08-24

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建 ,  黄雷 ,  高群

IPC分类号： H01L21/768 ,  H05K3/34

摘要： 本发明提供一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，包括以下步骤：(a)、提供硅片，在硅片上表面形成RDL和焊盘；(b)、在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；(d)、将第二电路板和转接板焊接在第一PCB板的空腔内，得到第二PCB板；(e)、提供芯片，将芯片焊接在第二PCB板上方形成导通结构。本发明的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，通过形成带互联线的转接板，将电路板贴在转接板上使转接板有足够的面积容纳焊接点，芯片和转接板焊接，转接板与PCB焊接，减小PCB板的面积。

公开(公告)号：CN111341665B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202010132305.3

申请日：2020-02-29

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 郁发新 ,  冯光建 ,  王永河 ,  马飞 ,  程明芳

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法，具体包括如下步骤：101)金属柱成型步骤、102)空腔制作步骤、103)初次腐蚀处理步骤、104)二次腐蚀成型步骤；本发明提供制作方便、工艺简化、成本低的一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法。

公开(公告)号：CN111785646B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202010458908.2

申请日：2020-05-27

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 冯光建

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种超薄焊接堆叠封装方式，包括以下步骤：A，在转接板硅片表面制作凹槽，在凹槽中嵌入表面带粘附层的芯片，芯片PAD面朝下；B，对凹槽进行灌胶处理，对转接板表面进行减薄处理，在该面沉积钝化层，制作RDL和焊球；C，做临时键合保护焊球一面，减薄转接板另一面，在另一面开TSV孔，对TSV进行金属互联；D，拆除临时键合板，用热压键合的方式把不同层的转接板进行胶粘堆叠，加热使焊球融化跟TSV孔互联得到最终结构。