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公开(公告)号：CN103534201A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023795.7
申请日：2012-05-11
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01B19/002 , C01G51/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , H01L31/032 , H01L35/16
Abstract: 本发明公开了可用于太阳能电池或用作热电材料的新型化合物半导体及其用途。本发明的化合物半导体可以由如下化学式1表示：[化学式1]InxCo4-aSb12-z-bQz，其中Q为选自O、S、Se和Te中的至少一种；0
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公开(公告)号：CN103403899A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010817.6
申请日：2012-01-20
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 本发明涉及一种使用纳米类型的块体材料的热电装置、具有该热电装置的热电模块以及其制造方法。根据本发明，在块体材料上形成纳米厚度的薄膜，该块体材料被形成为要重新连接的几种纳米类型，用于阻止声子过程。
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公开(公告)号：CN103320636A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310252012.9
申请日：2013-06-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种快速制备高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的新方法，它包括如下步骤：1）按Mg2(1+0.08)(Si0.3Sn0.7)1-ySby(0≤y≤0.025)热电材料中各原子的化学计量比进行称量，将原料粉体在研钵中混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将所得块体置于石墨坩埚后，置于熔体旋甩急冷设备中进行熔融旋甩，得到Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物；3）将Mg2(Si0.3Sn0.7)1-ySby带状产物研磨成粉末，对其进行放电等离子体活化烧结，得到高性能Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料。本发明具有节省能源、制备时间极短和工艺参数简单等特点，所得块体的热电优值ZT可达1.3。
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公开(公告)号：CN101821868B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880110858.6
申请日：2008-08-08
Applicant: ZT3技术公司
Inventor： B·杜塔
CPC classification number: H01L35/32 , H01L29/0669 , H01L29/42392 , H01L29/78696 , H01L31/035281 , H01L33/18 , H01L2029/42388 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 一种装置包括嵌入在玻璃中的半导体光纤，其中所述光纤包括第一n型掺杂部分、第一p型掺杂部分、与第一n型掺杂部分耦合的第一导体以及与第一p型掺杂部分耦合的第二导体。
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公开(公告)号：CN106508077B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910123522.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所
Abstract: 本发明涉及一种减小蠕变变形的温差电材料制备方法：将温差电材料进行中频熔炼、粉碎、过筛；与高熔点金属粉末一同研磨，放入热压模具，用真空热压炉中进行热压烧结，制成温差电材料热压锭块；对热压锭块进行热处理，经过热处理的材料即为制成的具有小的蠕变变形的温差电材料。本发明通过在现有合金基体粉末中添加金属弥散相及优化热处理工艺，使其在不影响温差电材料热电性能的情况下，在一定压力、温度条件下长时间工作后，材料整体外形尺寸变化微小，材料内部无细小的劈裂，使用该材料制成的温差电池，其输出性能无明显衰减，具有较好的长期工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393959B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200810202414.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 康宁股份有限公司
CPC classification number: C22C28/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C13/00 , C22C19/00 , C22C2202/02 , H01L35/22 , B22F9/04 , B22F3/10 , B22F2202/13
Abstract: 本发明公开了一种笼型化合物，它如下式(I)所示：M8AxBy-x(I);其中：M为碱土金属、稀土金属、碱金属、Cd原子或其组合，A为Ga、Al、In、Zn或其组合；B为Ge、Si、Sn、Ni或其组合；且12≤x≤16，40≤y≤43。x和y各自为整数或非整数。本发明提供了一种具有更优良的热电性能的笼型化合物及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101796662B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880105807.4
申请日：2008-09-03
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 广山雄一
CPC classification number: H01L35/34 , H01L35/08 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供热电转换元件的制造方法。该热电转换元件的制造方法具有以下的金属层形成工序：将通过加热而分解生成金属的金属化合物散布在加热到前述金属化合物的分解温度以上的热电转换元件主体的表面。
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公开(公告)号：CN102341927A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010452.8
申请日：2010-02-24
Applicant: 学校法人东京理科大学 , 日本恒温器株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电转换元件及使用了该热电转换元件的热电转换模块，其中本发明的热电转换元件及热电转换模块能够提高成品率和耐久性、并且容易确保两端部的温度差，同时能够将热电转换元件简单地连接到电极上而不会产生倾斜，而且能够提高批量生产性能。热电转换元件(2)的一端与第一电极(32)电连接，该热电转换元件(2)具备：多个柱状部(22)，其相互之间保持间隔地配置；以及联结部(21)，其联结柱状部(22)的另一端并与第二电极(31)电连接。联结部(21)的与第二电极(31)连接的连接面(21b)的面积比各柱状部(22)的一端(22a)的合计面积大。
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公开(公告)号：CN101436640B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200810209809.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnO/β-FeSi2复合材料及制备方法，它涉及一种复合材料及制备方法。它解决了β-FeSi2在长期高温服役条件下抗氧化性差的问题。ZnO/β-FeSi2复合材料由油酸钠水溶液、β-FeSi2和乙酸锌制成。本发明的制备方法如下：一、向油酸钠水溶液中加入β-FeSi2，并搅拌；二、将乙酸锌溶于异丙醇中，再滴加乙二醇胺，水浴加热，搅拌；三、将步骤二制备的混合液超声，然后加入到步骤三中制备的混合溶液中，水浴加热，搅拌；四、烘干、热处理，ZnO/β-FeSi2复合材料。本发明方法制得的ZnO/β-FeSi2复合材料在长期高温服役条件下抗氧化性好。本发明方法工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN101796662A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105807.4
申请日：2008-09-03
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 广山雄一
CPC classification number: H01L35/34 , H01L35/08 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供热电转换元件的制造方法。该热电转换元件的制造方法具有以下的金属层形成工序：将通过加热而分解生成金属的金属化合物散布在加热到前述金属化合物的分解温度以上的热电转换元件主体的表面。
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