公开(公告)号：CN116778992A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310201460.X

申请日：2023-03-03

申请人： 美光科技公司

发明人： A·马宗达 ,  A·纳根德拉库玛 ,  M·E·哈尔甘 ,  S·加纳 ,  D·卡拉乔 ,  D·巴卢智 ,  张贾韦 ,  A·拉尔

IPC分类号： G11C11/406

摘要： 本公开涉及一种行锤遥测。一种设备可包含数个存储器装置和耦合到所述数个存储器装置中的一或多个的存储器控制器。所述存储器控制器可包含行锤检测器。所述存储器控制器可经配置以在第一时间段内使第一数据结构中的行计数器和刷新计数器递增。所述存储器控制器可经配置以在第二时间段内使第二数据结构中的行计数器和所述刷新计数器递增。所述存储器控制器可经配置以确定所述刷新计数器的值超过刷新阈值，且响应于所述确定所述刷新计数器的所述值超过所述刷新阈值，发出通知。

公开(公告)号：CN113870917B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202010612720.9

申请日：2020-06-30

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 寗树梁

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/4063

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：温度检测单元，用于检测所述存储芯片的温度，并输出与所述温度对应的模拟信号；A/D转换模块，包括多个比较单元，所述比较单元包括输入端、参考端和输出端，所述输入端接收所述温度检测单元输出的模拟信号，所述输出端输出数字信号，多个所述比较单元参考端所接收的参考电压非均匀的增加。本发明优点是，利用温度检测模块检测存储芯片温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入稳定性；同时，控制不同电压区域测量精度，从而既能够保证需要精确测量区域的测量精度，又能够提高测量效率。

公开(公告)号：CN116504295A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310046025.4

申请日：2023-01-30

申请人： 美光科技公司

发明人： E·吉斯克 ,  S·艾亚普利迪 ,  陆洋 ,  A·马宗达

IPC分类号： G11C29/10 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4063

摘要： 描述了对存储器媒体装置中由行锤击攻击及类似者引起的错误的切实可行的、节能且节约面积的缓解。确定性地执行对错误的检测，同时在SRAM中维持行存取计数器的数目小于所述存储器媒体装置中受保护的行的总数。所述缓解可基于每排组实施。所述存储器媒体装置可为DRAM。

公开(公告)号：CN116486884A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310045889.4

申请日：2023-01-30

申请人： 美光科技公司

发明人： E·吉斯克 ,  C·德里克

IPC分类号： G11C29/10 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4063

摘要： 本公开涉及高速缓存辅助式行锤击缓解。描述一种系统，其包括行锤击缓解电路和高速缓存存储器，其协作以缓解存储器媒体装置上的行锤击攻击。所述高速缓存存储器基于由所述行锤击缓解电路维持的行存取计数信息偏置高速缓存策略。所述行锤击缓解电路可实施于存储器控制器中。所述存储器媒体装置可以是DRAM。还描述对应方法。

公开(公告)号：CN116469432A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310003490.X

申请日：2023-01-03

申请人： 美光科技公司

发明人： S·谢里菲·德黑兰尼 ,  C·M·斯米奇赫盖尔

IPC分类号： G11C11/406

摘要： 本申请涉及用于存储器装置中的自适应数据完整性扫描速率的温度分布跟踪。在一种方法中，控制器根据温度来管理存储器(例如，NAND快闪存储器)的媒体扫描过程。所述控制器从所述存储器的一或多个传感器收集温度数据。使用所述所收集的温度数据，所述控制器确定移动平均温度。基于所述移动平均温度，所述控制器更新所述媒体扫描过程的频率。

公开(公告)号：CN116453560A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310475210.5

申请日：2023-04-27

申请人： 北京和利时控制技术有限公司

发明人： 胥勇 ,  谭建伟 ,  刘晶晶

IPC分类号： G11C11/406 ,  G06F13/42

摘要： 一种数据采集方法，包括：多个独立机组中的任一个独立机组向公共机组发送第一请求，其中，所述第一请求为周期数据刷新请求；所述公共机组根据已定义的周期刷新点变量总表向该独立机组发送第一响应，其中第一响应为周期数据刷新应答；该独立机组根据自身的数据映射表选择接收到的第一响应以对所述数据映射表中的数据进行刷新。

公开(公告)号：CN110622246B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201880030919.1

申请日：2018-03-30

申请人： 美光科技公司

发明人： M·里克特

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/408

摘要： 本发明描述用于传输及接收用于半导体装置的命令的方法及设备。一种实例设备包含：存储器装置，其包含多个库，每一库包含多个存储器单元；及存储器控制器，其在第一时间传输第一命令及指示所述多个库的第一库中的存储器单元的多个地址信号。所述第一命令指示执行第一存储器操作及不同于所述第一存储器操作的第二存储器操作。所述存储器装置接收所述第一命令及所述多个地址信号且至少部分响应于所述多个地址信号及所述第一命令而对所述第一库进一步执行所述第二存储器操作。

公开(公告)号：CN116434800A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310666924.4

申请日：2023-06-06

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 孙见鹏

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/4063

摘要： 本公开提供了一种刷新电路及存储器，该刷新电路设有反馈控制电路和第一运算电路；其中，反馈控制电路用于接收泵浦延迟信号和攻击半径参数，并根据泵浦延迟信号生成泵浦触发信号，泵浦触发信号用于生成泵浦信号，每一泵浦信号具有对应的泵浦延迟信号，且在泵浦信号的预期生成数量满足攻击半径参数的要求时，终止生成泵浦触发信号；泵浦信号用于执行刷新操作；第一运算电路用于接收刷新信号和泵浦触发信号，并对刷新信号和泵浦触发信号进行逻辑运算，若刷新信号或泵浦触发信号处于使能状态，则生成泵浦信号，每一泵浦信号被用于执行一刷新操作；泵浦延迟信号的上升沿相对泵浦信号的上升沿延迟第一预设时长。

公开(公告)号：CN116386692A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211602248.6

申请日：2022-12-13

申请人： 美光科技公司

发明人： S·V·艾亚普利迪

IPC分类号： G11C11/4078 ,  G11C11/406 ,  G06F21/79

摘要： 本公开涉及一种具有存储器过程反馈的设备。与用于存储器过程反馈的操作有关的方法、设备和系统。控制器可监测存储器活动，例如过程，识别行锤击侵害者，且对所述行锤击侵害者执行减轻步骤。所述控制器可具有行锤击侵害者的地址表，且执行跟踪行锤击侵害者的操作。所述控制器可确定侵害者的数目是否达到阈值。当侵害者的数目达到所述阈值时，所述控制器可将具有所述侵害者地址的消息发送到操作系统。所述操作系统可对所述行锤击侵害者执行减轻步骤。在一些实施例中，所述控制器可识别所述行锤击侵害者且将中毒数据注入所述过程中以减轻所述行锤击侵害者。

公开(公告)号：CN116364143A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211715046.2

申请日：2022-12-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 何源 ,  潘栋

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097

摘要： 本申请涉及用于行锤击计数器垫的设备和方法。存储器阵列可具有数个存储器垫和一个计数器存储器垫。所述计数器垫存储计数值，每个计数值与一个其它存储器垫中的一行相关联。当存取行时，将所述计数值读出、变更并写回到所述计数器垫。在一些实施例中，所述计数值可以在所述计数器垫的存取逻辑内处理，并且可以向所述存储体逻辑提供行锤击旗标。在一些实施例中，所述计数器垫可具有折叠架构，其中每个感测放大器耦合到所述计数器垫中的多个位线。作为目标刷新的部分，可以使用所述计数值确定所存取行是不是侵略者，使得其受害者可以刷新。