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公开(公告)号:CN105097887B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201510628785.1
申请日:2015-09-28
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 邹成
CPC分类号: B05D1/04 , B05B5/00 , B05B9/03 , B05B15/00 , B05D1/32 , G02F1/1333 , H01L21/77 , H01L27/32 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/0076 , H01L51/5012
摘要: 本发明公开一种OLED显示面板的制作方法,其包括:提供一基板(10);将喷雾装置(20)设置于所述基板(10)上方,并向喷雾装置(20)施加正向电压;向所述基板(10)上的将要沉积有机材料的区域施加反向电压,且向所述将要沉积有机材料的区域之外的区域施加正向电压;所述喷雾装置(20)喷出雾状的有机材料,以使所述雾状的有机材料沉积在所述将要沉积有机材料的区域中。本发明还公开一种利用该制作方法制作的OLED显示面板。本发明无需利用掩模板来制作各子像素,并且采用电喷涂方式的喷涂装置喷出雾状有机材料,而采用电喷涂方式喷涂的喷涂装置无需具有高的精确度,大大地降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN107686961A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201710648565.4
申请日:2017-08-01
申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
发明人: 陈仁杰
CPC分类号: H01L51/56 , C23C14/042 , H01L51/0002 , H01L51/0011 , C23C14/24
摘要: 一种掩膜,其包括一支撑板及设置于该支撑板一表面上的多个掩膜单元,该支撑板上开设有多个通孔,每一个掩膜单元完全覆盖所述多个通孔中的一个,每一个掩膜单元上开设有贯穿其的多个开口,每一个开口与该掩膜单元覆盖的通孔相连通,每一个掩模单元被划分为一中心区域和一边缘区域,其中该边缘区域位于该中心区域的周边并围绕该中心区域;在每一个掩模单元中,沿着从该边缘区域指向该中心区域的方向,所述多个开口的尺寸逐渐变小。所述掩膜用于沉积OLED显示面板,可降低或避免Shadow Effect。
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公开(公告)号:CN107621718A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201710579773.3
申请日:2017-07-17
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/1333
CPC分类号: H01L27/016 , G02F1/133512 , G02F1/133528 , G02F1/133536 , G02F1/133553 , G02F1/133617 , G02F1/13363 , G02F2001/133548 , G02F2001/133638 , G02F2202/36 , G02F2413/01 , G02F2413/02 , G02F2413/03 , G02F2413/05 , H01L27/14621 , H01L51/0002 , H01L51/0512 , H01L51/5293
摘要: 本申请提供了一种显示设备及其制造方法。该显示设备包括:显示基板;与显示基板相对的相对基板;和布置在显示基板和相对基板之间的光量控制层。显示基板包括:第一基板;布置在第一基板上的薄膜晶体管;和连接到薄膜晶体管的像素电极。相对基板包括:第二基板;布置在第二基板上的颜色转换层;和布置在颜色转换层上的第一偏振器。第一偏振器包括:基底基板;和布置在基底基板的一个表面上的线性偏振器。第一偏振器与像素电极相对。基底基板的其上布置有线性偏振器的一个表面具有约60nm或更小的平坦度。
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公开(公告)号:CN107394062A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710599383.2
申请日:2017-07-20
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 侯文军
CPC分类号: H01L51/0002 , H01L27/3244 , H01L51/0012 , H01L51/50
摘要: 本发明实施例公开了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置,该方法包括:形成包括有机材料和电磁场响应颗粒的薄膜;施加外加电场和/或磁场,使电磁场响应颗粒在外加电场和/或磁场的作用下带动有机材料流动,形成平坦化后的平坦层,本发明实施例通过添加电磁场响应颗粒,使得在外加电场和/或磁场的作用下,电磁场响应颗粒运动,并带动有机材料随着电磁场响应颗粒的运动而运动,实现了平坦层的平坦化,使平坦层上制作的OLED膜层更加均匀,同时,还提高了OLED器件中像素内发光均匀性。
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公开(公告)号:CN107293644A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201610205368.0
申请日:2016-04-01
申请人: 中央大学
CPC分类号: Y02E10/549 , H01L51/0002 , H01L51/0003 , H01L51/42 , H01L51/44
摘要: 本发明的题目是大面积钙钛矿膜及钙钛矿太阳能电池模块及其制作方法。一种大面积钙钛矿膜的制作方法包括以下步骤:提供起始溶液至导电基板上以形成膜材,其中钙钛矿以ABX3的通式表示,起始溶液的溶质至少包括A、B、及X;以及施加反溶剂于膜材。
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公开(公告)号:CN104254929B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201280072226.1
申请日:2012-06-19
申请人: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC分类号: H01L51/0562 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/102 , H01L51/105
摘要: 本发明涉及有机场效应晶体管,所述有机场效应晶体管包括:第一电极(1)和第二电极(2),所述电极提供源电极和漏电极,与第一和第二电极(1,2)电接触的本征有机半导体层(3),栅电极(6),在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝缘层(5),和包含有机基质材料和有机掺杂剂的掺杂有机半导体层(4),其中在栅极绝缘层(5)和本征有机半导体层(3)之间设置掺杂有机半导体层(4),其中在掺杂有机半导体层(4)中形成第一和第二电极(1,2)之间的电荷载子沟道。此外,本发明涉及用于制造有机场效应晶体管的方法。
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公开(公告)号:CN104711514B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201510161261.6
申请日:2015-04-07
申请人: 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 井杨坤
IPC分类号: C23C14/12
CPC分类号: H01L51/0002 , C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/542 , H01L51/56
摘要: 本发明提供一种成膜装置及方法,所述装置用于在基板的目标位置形成有机材料薄膜,所述装置包括气体输送机构、气体喷射机构,其中:气体输送机构:用于将有机材料的蒸汽和惰性气体的混合气体输送到气体喷射机构;气体喷射机构:用于将所述气体输送机构输送来的混合气体喷射到基板上的目标位置。所述方法通过本发明所提供的成膜装置将有机材料的蒸汽和惰性气体的混合气体输送到基板上的目标位置,使得所述有机材料在所述目标位置上沉积,沉积过程中,所述有机材料沉积过程初期的混合气体流速小于沉积过程中期的混合气体流速。本发明所提供的成膜装置和方法使得有机材料沉积成膜过程容易控制,适用大多数尺寸的目标基板。
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公开(公告)号:CN104756276B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201380042123.5
申请日:2013-03-26
申请人: 铣益系统有限责任公司
CPC分类号: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/56 , H01L51/0002 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要: 本发明公开了有机物沉积装置及利用该装置的有机物沉积方法。本实施例的有机物沉积装置包括:主腔室,划分成第一沉积区域和第二沉积区域,第一基板从一个中心点沿着第一径向向上述第一沉积区域引入或从上述第一沉积区域引出,第二基板从上述中心点沿着第二径向向上述第二沉积区域引入或从上述第二沉积区域引出;第一基板装载部,用于向上述第一径向装载并安置上述第一基板;第二基板装载部,用于向上述第二径向装载并安置上述第二基板;扫描仪,包括:线形的有机物沉积源,用于喷射有机物粒子;源移动单元,与上述有机物沉积源相结合,并使上述有机物沉积源沿着上述第一基板或上述第二基板的表面进行直线移动,以便向上述第一基板或上述第二基板的表面喷射上述有机物粒子;旋转单元,使上述源移动单元进行旋转,以使上述线形的有机物沉积源与上述第一基板或上述第二基板的一边保持平行;以及扫描仪移动单元,使上述扫描仪进行往返移动,以使上述扫描仪位于上述第一沉积区域或上述第二沉积区域。
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公开(公告)号:CN106299125A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610956686.0
申请日:2016-10-27
申请人: 武汉华星光电技术有限公司
发明人: 刘哲
CPC分类号: H01L51/0002 , H01L51/0021
摘要: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括:提供一基板;在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案,其中,有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区,第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式,本发明能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性,进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。
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公开(公告)号:CN106098956A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610563128.8
申请日:2016-07-14
申请人: TCL集团股份有限公司
CPC分类号: H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/5004 , H01L51/0002 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要: 本发明提供了一种QLED及其制备方法。所述QLED,包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极,还包括第一混合异质结层和/或第二混合异质结层,其中,所述第一混合异质结层由空穴传输材料和发光量子点混合制成,并设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间;所述第二混合异质结层由电子传输材料和发光量子点混合制成,并设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间。
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