用于沉积OLED显示面板的掩膜

    公开(公告)号:CN107686961A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201710648565.4

    申请日:2017-08-01

    发明人: 陈仁杰

    IPC分类号: C23C14/04 C23C14/24 H01L51/56

    摘要: 一种掩膜,其包括一支撑板及设置于该支撑板一表面上的多个掩膜单元,该支撑板上开设有多个通孔,每一个掩膜单元完全覆盖所述多个通孔中的一个,每一个掩膜单元上开设有贯穿其的多个开口,每一个开口与该掩膜单元覆盖的通孔相连通,每一个掩模单元被划分为一中心区域和一边缘区域,其中该边缘区域位于该中心区域的周边并围绕该中心区域;在每一个掩模单元中,沿着从该边缘区域指向该中心区域的方向,所述多个开口的尺寸逐渐变小。所述掩膜用于沉积OLED显示面板,可降低或避免Shadow Effect。

    一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置

    公开(公告)号:CN107394062A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710599383.2

    申请日:2017-07-20

    发明人: 侯文军

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/50 H01L27/32

    摘要: 本发明实施例公开了一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置,该方法包括:形成包括有机材料和电磁场响应颗粒的薄膜;施加外加电场和/或磁场,使电磁场响应颗粒在外加电场和/或磁场的作用下带动有机材料流动,形成平坦化后的平坦层,本发明实施例通过添加电磁场响应颗粒,使得在外加电场和/或磁场的作用下,电磁场响应颗粒运动,并带动有机材料随着电磁场响应颗粒的运动而运动,实现了平坦层的平坦化,使平坦层上制作的OLED膜层更加均匀,同时,还提高了OLED器件中像素内发光均匀性。

    一种成膜装置及方法
    67.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104711514B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201510161261.6

    申请日:2015-04-07

    发明人: 井杨坤

    IPC分类号: C23C14/12

    摘要: 本发明提供一种成膜装置及方法,所述装置用于在基板的目标位置形成有机材料薄膜,所述装置包括气体输送机构、气体喷射机构,其中:气体输送机构:用于将有机材料的蒸汽和惰性气体的混合气体输送到气体喷射机构;气体喷射机构:用于将所述气体输送机构输送来的混合气体喷射到基板上的目标位置。所述方法通过本发明所提供的成膜装置将有机材料的蒸汽和惰性气体的混合气体输送到基板上的目标位置,使得所述有机材料在所述目标位置上沉积,沉积过程中,所述有机材料沉积过程初期的混合气体流速小于沉积过程中期的混合气体流速。本发明所提供的成膜装置和方法使得有机材料沉积成膜过程容易控制,适用大多数尺寸的目标基板。

    有机物沉积装置及利用该装置的有机物沉积方法

    公开(公告)号:CN104756276B

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201380042123.5

    申请日:2013-03-26

    IPC分类号: H01L51/56 H05B33/10

    摘要: 本发明公开了有机物沉积装置及利用该装置的有机物沉积方法。本实施例的有机物沉积装置包括:主腔室,划分成第一沉积区域和第二沉积区域,第一基板从一个中心点沿着第一径向向上述第一沉积区域引入或从上述第一沉积区域引出,第二基板从上述中心点沿着第二径向向上述第二沉积区域引入或从上述第二沉积区域引出;第一基板装载部,用于向上述第一径向装载并安置上述第一基板;第二基板装载部,用于向上述第二径向装载并安置上述第二基板;扫描仪,包括:线形的有机物沉积源,用于喷射有机物粒子;源移动单元,与上述有机物沉积源相结合,并使上述有机物沉积源沿着上述第一基板或上述第二基板的表面进行直线移动,以便向上述第一基板或上述第二基板的表面喷射上述有机物粒子;旋转单元,使上述源移动单元进行旋转,以使上述线形的有机物沉积源与上述第一基板或上述第二基板的一边保持平行;以及扫描仪移动单元,使上述扫描仪进行往返移动,以使上述扫描仪位于上述第一沉积区域或上述第二沉积区域。

    一种有机薄膜晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN106299125A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610956686.0

    申请日:2016-10-27

    发明人: 刘哲

    IPC分类号: H01L51/40 H01L51/05

    CPC分类号: H01L51/0002 H01L51/0021

    摘要: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括:提供一基板;在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案,其中,有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区,第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式,本发明能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性,进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。

    一种QLED及其制备方法
    70.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106098956A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610563128.8

    申请日:2016-07-14

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明提供了一种QLED及其制备方法。所述QLED,包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极,还包括第一混合异质结层和/或第二混合异质结层,其中,所述第一混合异质结层由空穴传输材料和发光量子点混合制成,并设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间;所述第二混合异质结层由电子传输材料和发光量子点混合制成,并设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间。