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公开(公告)号:CN101465366A
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200810185338.3
申请日:2008-12-22
申请人: 原子能委员会
发明人: 布鲁诺·穆里
CPC分类号: G09G3/3208 , G02B5/201 , G02B5/22 , G09G2300/0426 , G09G2300/0443 , G09G2300/0452 , G09G2340/145 , H01L27/3218 , H01L27/322
摘要: 公开了包括滤色器和电子对准的光电发射元件的显示装置。所述显示装置通过像素(1)的矩阵实现。每一个像素(1)包括在一个或两个组织方向中、组织在像素(1)内的多个分像素(2)。每一个分像素(2)包括:滤色器(3),其面对多个光电发射元件(5)而排列;不透明区域(7),其用于隔离滤色器(3)。在像素(1)的每一个组织方向中,光电发射元件(5)具有其两倍比滤色器(3)的间距小的重复间距。每一个滤色器(3)的大小均小于或等于所述方向中的光电发射元件(5)的大小。所述装置包括光电发射元件(5)的电源控制电路,所述电源控制电路包括用于选择面对每一个像素(1)的滤色器(3)放置的光电发射元件(5)的部件。
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公开(公告)号:CN101458260A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200810209884.6
申请日:2008-09-28
申请人: 原子能委员会
CPC分类号: B81C1/00206 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/00835 , B01J2219/00846 , B01J2219/00862 , B01J2219/00869 , B01J2219/00873 , B01L3/502707 , B01L3/502753 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/12 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81C2201/019 , B81C2203/038
摘要: 本发明涉及制造微流控元件(1)的方法,微流控元包括至少一个填充纳米结构(13a,13b,13c)的封闭的微通道(2)。通过预先在基片(7)的表面内形成开口,构成微通道的底壁(3)和两个相对的侧壁(4,5),制造出微通道。填充微通道的纳米结构(13a,13b,13c)通过原位生长形成,以构成沉积在侧壁(4,5)和底壁(3)上的金属催化剂层。在纳米结构形成之前,通过将保护顶盖(11)密封在基片(7)的表面上微通道(2)被封闭。通过在顶盖(11)的材料和用于原位生长纳米结构(13a,13b,13c)及沉积在设计用来接触顶盖(11)的基片(7)的表面上的催化剂的金属之间形成低共熔混合物,从而获得密封。
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公开(公告)号:CN100501401C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200480001311.4
申请日:2004-05-14
申请人: 原子能委员会
发明人: 埃里克·埃赞 , 马里-阿斯特丽·萨戈 , 菲利普·普拉代勒
IPC分类号: G01N33/53
CPC分类号: G01N33/53
摘要: 本发明涉及一种检出和/或测定样品中氟化物(F-)或氟化氢(HF)浓度的方法,其包括以下步骤:在水溶液中将所述样品与甲硅烷基化的有机化合物接触,以此得到测量溶液,所述甲硅烷基化的有机化合物在氢氟酸或氟化物的存在时发生去甲硅烷基化,使得可以分别检出和/或测定甲硅烷基化的有机化合物和去甲硅烷基化的有机化合物;在所述测量溶液检出和/或测定去甲硅烷基化的有机化合物的出现或甲硅烷基化的有机化合物的消失,如果样品中存在氟化物或氟化氢,则会出现去甲硅烷基化的有机化合物出现或甲硅烷基化的有机化合物消失这种现象。就氟化物或氟化氢的检测而言,本发明的方法检测的量级可以轻易地达到1×10-2升HF/106升(10ppb,气体样品),或0.5至1μg/ml(液体样品)。本发明的试剂盒包含实施该方法所需的成分。本发明方法的检测限为0.001μg/ml。
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公开(公告)号:CN101449369A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200780011620.3
申请日:2007-03-28
申请人: 原子能委员会 , S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
IPC分类号: H01L21/762
CPC分类号: H01L21/76254
摘要: 提供一种从衬底制造薄膜的方法,该方法包括以下步骤:(1)在例如由硅制成的衬底中注入例如镓的非气体种类的离子,根据衬底的材料选择注入条件和该种类,以使得能够形成在某层中分布的在某一深度上限定的析出物,这些析出物由熔点低于衬底的熔点的固相制成;(2)任选地使衬底的该表面与刚性体紧密接触;和(3)通过在析出物为液相的条件下由于施加机械和/或化学拆分应力而在析出物的层上使衬底断裂来拆分薄膜。
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公开(公告)号:CN100495797C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200580026464.9
申请日:2005-07-08
申请人: 原子能委员会
IPC分类号: H01M10/04
CPC分类号: H01M10/0585 , H01M2/0257 , H01M4/0421 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , Y10T29/49115
摘要: 本发明涉及一种包括贯穿连接的微电池及其生产方法。本发明的微电池包括具有正面(2)和背面(3)的支座(1),以及布置于支座(1)的正面(2)上的第一集流器(4)和第二集流器(5)。包括被电解质(7)隔离的阳极(6)和阴极(8)的叠层布置于集流器(4和5)上。阳极(6)和阴极(8)分别接触第一集流器(4)和第二集流器(5)。保护层(9)覆盖所述叠层。该微电池包括连接(10),其与第一集流器(4)和第二集流器(5)接触,并从正面(2)贯穿支座(1)到达其背面(3)。该叠层优选地基本上覆盖支座(1)的整个正面(2)。用于生产微电池的方法,包括:在支座(1)的正面(2)内蚀刻形成深度小于支座(1)厚度的腔体;使用导电材料填充该腔体;以及去除支座(1)背面(3)的一层,从而显露容纳在该腔体内的导电材料。
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公开(公告)号:CN101431597A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200810171783.4
申请日:2008-10-23
申请人: 原子能委员会
发明人: 阿诺·韦尔当
CPC分类号: H04N5/33 , H04N5/3456 , H04N5/3651
摘要: 本发明涉及读取二维像素矩阵(12)的方法及实施这种方法的设备。所述矩阵以形成宏像素的像素块(16)来组织,每一个宏像素可以在高分辨率模式和/或低分辨率模式下以相互独立的方式来读取。根据本发明的方法包括如下步骤:在为宏像素选择(50)高分辨率读出模式期间,读取(58)并存储(60)所述宏像素的像素的值,以便限定基准宏像素;在随后对所述宏像素的高分辨率读出循环(62)期间,形成(66)所述宏像素的像素的读取值与所述基准宏像素的对应像素的值之间的差值。
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公开(公告)号:CN100485300C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200580033789.X
申请日:2005-09-23
申请人: 阿尔法拉瓦尔维卡布公司 , 阿尔法拉瓦尔股份有限公司 , 法国原子能委员会
CPC分类号: F28F3/046 , F28F3/04 , F28F3/083 , F28F2215/10
摘要: 本发明涉及板式热交换器,它包括组装的多个板(2-5),以在它们之间限定流体循环流道(6-8)。每个板包含被限定在波纹峰线(35)与波纹谷线(32)之间的起伏(25)或波纹。板的至少一个部分含有位于波纹峰线与谷线之间的下陷变形(30,31)及升高变形(33)。这个交换器对于使这些升高的及下陷的变形相对于邻板(48,25)之间的接触点(51,54)进行布置来确定流道是值得注意的。
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公开(公告)号:CN100474557C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200480029823.1
申请日:2004-10-28
申请人: S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 , 原子能委员会
发明人: 纳古耶特-丰·纳古耶 , 伊恩·凯莱弗科 , 克里斯泰勒·拉加赫-布兰查德 , 康斯坦丁·鲍尔戴勒 , 奥莱利·陶泽恩 , 弗兰克·弗奈尔
IPC分类号: H01L21/762
CPC分类号: H01L21/76254
摘要: 本发明涉及一种薄层自持转移方法,根据该方法,在相对于源基片一个表面的一给定深度,以一定的剂量往该源基片中注入至少一种物类的离子,将一个加强件与该源基片紧密接触,在给定的温度给定的时间下,向该源基片施加热处理,以便基本上在给定的深度产生一个脆弱化的内埋区域,而不引发薄层的热脱离,以时间上局部化的方式向该源基片施加一个受控能量脉冲,以便引发被界定在表面与脆弱化埋层之间的薄层相对于该源基片的其余部分的自持脱离。
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公开(公告)号:CN100474556C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200480029322.3
申请日:2004-10-28
申请人: S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 , 原子能委员会
发明人: 纳古耶特-福恩格·纳古耶恩 , 伊恩·凯瑞福克 , 克里斯蒂尔·拉加赫-布兰查德
IPC分类号: H01L21/762
CPC分类号: H01L21/76254
摘要: 本发明涉及一种薄层灾变转移方法,根据所述方法,往一个源基片中给定深度处注入第一物类离子或气体和第二物类离子或气体,该第一物类能够产生缺陷,而第二物类能够占据这些缺陷,将一个加强件与该源基片紧密接触,对该源基片在给定温度下进行给定时间的热处理,以便在大致上给定的深度产生一个脆弱化的内埋区域,但并不引发薄层的热脱离,对该源基片施加一个局部能量供应,例如机械应力,以便引发一个薄层的灾变脱离,该薄层在与所述表面的相对侧有一个粗糙度低于给定阈值的表面。
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公开(公告)号:CN101390454A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200780006389.9
申请日:2007-02-20
申请人: 法国原子能委员会
发明人: 克里斯托夫·吉罗尔德 , 阿诺·布尔吉耶 , 利昂内尔·布吕吉埃 , 弗洛朗·勒莫尔
IPC分类号: H05H1/34
CPC分类号: H05H1/34 , B05B7/224 , H05H1/48 , H05H2001/3421
摘要: 本发明涉及一种转移弧等离子体炬,包括:使用冷却流体(21)冷却的套筒(25)以及插入该套筒内的电极,该电极由可消耗材料制成,并且该炬包括用于供应由该材料制成的电极的装置(80),以便补偿电极的腐蚀。
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