公开(公告)号：CN100474556C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200480029322.3

申请日：2004-10-28

申请人： S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 ,  原子能委员会

发明人： 纳古耶特-福恩格·纳古耶恩 ,  伊恩·凯瑞福克 ,  克里斯蒂尔·拉加赫-布兰查德

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种薄层灾变转移方法，根据所述方法，往一个源基片中给定深度处注入第一物类离子或气体和第二物类离子或气体，该第一物类能够产生缺陷，而第二物类能够占据这些缺陷，将一个加强件与该源基片紧密接触，对该源基片在给定温度下进行给定时间的热处理，以便在大致上给定的深度产生一个脆弱化的内埋区域，但并不引发薄层的热脱离，对该源基片施加一个局部能量供应，例如机械应力，以便引发一个薄层的灾变脱离，该薄层在与所述表面的相对侧有一个粗糙度低于给定阈值的表面。

公开(公告)号：CN1864256A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029322.3

申请日：2004-10-28

申请人： S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 ,  原子能委员会

发明人： 纳古耶特-福恩格·纳古耶恩 ,  伊恩·凯瑞福克 ,  克里斯蒂尔·拉加赫-布兰查德

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种薄层灾变转移方法，根据所述方法，往一个源基片中给定深度处注入第一物类离子或气体和第二物类离子或气体，该第一物类能够产生缺陷，而第二物类能够占据这些缺陷，将一个加强件与该源基片紧密接触，对该源基片在给定温度下进行给定时间的热处理，以便在大致上给定的深度产生一个脆弱化的内埋区域，但并不引发薄层的热脱离，对该源基片施加一个局部能量供应，例如机械应力，以便引发一个薄层的灾变脱离，该薄层在与所述表面的相对侧有一个粗糙度低于给定阈值的表面。