公开(公告)号：CN101449369B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200780011620.3

申请日：2007-03-28

申请人： 原子能委员会 ,  S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司

发明人： A·托赞 ,  B·富尔 ,  A·加尼耶

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 提供一种从衬底制造薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)在例如由硅制成的衬底中注入例如镓的非气体种类的离子，根据衬底的材料选择注入条件和该种类，以使得能够形成在某层中分布的在某一深度上限定的析出物，这些析出物由熔点低于衬底的熔点的固相制成；(2)任选地使衬底的该表面与刚性体紧密接触；和(3)通过在析出物为液相的条件下由于施加机械和/或化学拆分应力而在析出物的层上使衬底断裂来拆分薄膜。

公开(公告)号：CN101449369A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780011620.3

申请日：2007-03-28

申请人： 原子能委员会 ,  S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司

发明人： A·托赞 ,  B·富尔 ,  A·加尼耶

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 提供一种从衬底制造薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)在例如由硅制成的衬底中注入例如镓的非气体种类的离子，根据衬底的材料选择注入条件和该种类，以使得能够形成在某层中分布的在某一深度上限定的析出物，这些析出物由熔点低于衬底的熔点的固相制成；(2)任选地使衬底的该表面与刚性体紧密接触；和(3)通过在析出物为液相的条件下由于施加机械和/或化学拆分应力而在析出物的层上使衬底断裂来拆分薄膜。