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公开(公告)号：CN105489536B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201511032135.7
申请日：2015-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L23/495
摘要： 本发明公开了一种引线框架推送设备。所述引线框架推送设备包括支撑机构、从动件及驱动装置。所述支撑机构用于支撑引线框架。所述从动件可移动地设置，所述从动件移动时推动位于所述支撑机构上的引线框架移动地设置。所述驱动装置直接驱动所述从动件或通过传动机构驱动所述从动件地设置。本发明结构简单，使用安全，可防止损坏引线框架，降低废品率及报废成本。
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公开(公告)号：CN108063106A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201810036154.4
申请日：2018-01-15
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方，清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内，第一液管的出液口对应于晶圆上的对准标记，且第一液管的出液口的大小与对准标记的大小相适配。喷嘴设于清洗桶上，喷嘴与第一液管的进液口相连通，喷嘴用于向第一液管内通入刻蚀剂和清洗剂。真空管道设于清洗桶上，真空管道与环形空间相连通，真空管道的远离所述清洗桶的一端用于连接于真空设备。该对准标记重现清洗装置能够减少刻蚀剂和清洗剂的用量，减少对晶圆的二次污染。
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公开(公告)号：CN108033248A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711496479.2
申请日：2017-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种针式元件处理用输送装置，包括：导轨和夹具，其中，导轨包括水平设置的第一轨道和第二轨道，第一轨道和第二轨道之间于竖直方向上存在位置差；夹具包括：支撑机构和抵压机构，其中，支撑机构和抵压机构沿导轨滑动地设置，支撑机构和抵压机构于水平方向上沿导轨同步地运动，第一轨道和第二轨道其中之一使支撑机构与抵压机构于竖直方向上相对远离地运动，另一轨道使支撑机构与抵压机构于竖直方向上相对靠近地运动。本发明能够方便地夹持针式元件使其进行各种处理。本发明结构简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN105428283B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201511032141.2
申请日：2015-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种引线框架浸泡设备。引线框架浸泡设备包括放料装置、处理槽，和取料装置。所述处理槽包括槽体、传动机构和固持机构。所述槽体具有槽腔，该槽体的槽腔用于灌装化学处理液。所述传动机构设置在所述槽体的槽腔内。所述固持机构包括至少两个限位件。所有相邻两个限位件之间间隔设置且所述间隔大于或等于半导体引线框架的厚度。所述放料装置包括第一夹持机械手。所述第一夹持机械手设置在所述槽体上方。所述第一夹持机械手可升降并可水平移动地设置。所述第二夹持机械手设置在所述槽体上方。所述第二夹持机械手可升降并可水平移动地设置。所述引线框架浸泡设备对引线框架处理更全面。
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公开(公告)号：CN104658947B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410853888.3
申请日：2014-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽；所述清洗槽设有容腔；晶圆支撑装置；所述晶圆支撑装置设置在所述容腔内，用于支撑晶圆；喷头；所述喷头可朝向晶圆喷射液体或气体地设置。本发明提供晶圆清洗装置，可对晶圆进行清洗处理，自动化程度大，生产效率高，对晶圆的清洗效果好、清洗良品率高。
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公开(公告)号：CN107357143A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710613216.9
申请日：2017-07-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42 , C11D1/66 , C11D1/22 , C11D3/60 , C11D3/39 , C11D3/32 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/04
CPC分类号： G03F7/422 , C11D1/22 , C11D1/66 , C11D3/042 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/3942 , C11D11/0047
摘要： 本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。所述的清洗剂，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.5％-20％的含碘氧化剂、0.5％-20％的含硼蚀刻剂、1％-50％的吡咯烷酮类溶剂、1％-20％的腐蚀抑制剂、0.01％-5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5-13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本发明的清洗剂能够在对金属和低k介电材料影响较小的情况下高效率地移除硬掩膜残留物的氮化物，选择性好，具有非常广阔的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN104576408B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410855483.3
申请日：2014-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种引线框架处理设备，包括处理槽及驱动装置；所述处理槽具有容腔和开口，通过所述开口，可将引线框架放入所述容腔内；所述驱动装置设置有驱动轴，所述驱动轴穿过所述处理槽伸入所述容腔内；还包括用于携带引线框架的挂架；所述挂架可放入所述容腔内，并可从所述容腔内取出地设置；所述挂架放入所述容腔内后，所述挂架与所述驱动轴联动设置；所述驱动装置通过所述驱动轴驱动所述挂架活动。本发明将携带引线框架的挂架放入处理槽内，通过驱动装置通过驱动轴驱动挂架活动，处理引线框架方便且安全。
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公开(公告)号：CN104562123B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410854612.7
申请日：2014-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆电镀装置，其特征在于，包括：电镀槽；所述电镀槽设有容腔；所述容腔用于存放电镀液；晶圆输送装置；所述晶圆输送装置位于所述电镀槽的一侧，用于将晶圆输送至所述容腔内。本发明提供晶圆电镀装置，可对晶圆进行电镀处理，自动化程度大，生产效率高，生产稳定性好，大大提高了晶圆的电镀品质及良品率。
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公开(公告)号：CN107338459A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710611905.6
申请日：2017-07-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C25D3/38
CPC分类号： C25D3/38
摘要： 本发明公开了一种整平剂、含其的金属电镀组合物、制备方法及应用。所述的金属电镀组合物的原料包括金属电镀液和整平剂，所述金属电镀液包括铜盐、酸性电解质、卤离子源和水；所述整平剂的制备方法包括以下步骤：在第二有机溶剂中，将一个或多个RX和一种或多种具有式I结构的化合物进行反应，即可。本发明的金属电镀组合物可用于印刷电路板电镀和集成电路铜互连电镀工艺中，可实现无空洞和缺陷、镀层杂质低、均镀性佳、结构致密、表面粗糙度小的效果，具有较好的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN104617016B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410855452.8
申请日：2014-12-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：晶圆电镀前处理装置；所述晶圆电镀前处理装置用于对晶圆进行电镀前处理；晶圆电镀装置；所述晶圆电镀装置用于对晶圆进行电镀处理；晶圆清洗装置；所述晶圆清洗装置用于对电镀后的晶圆进行清洗处理；机械手；所述机械手用于将晶圆从上述一个装置运送至另一个装置。本发明的晶圆处理装置将晶圆电镀前处理装置、晶圆电镀装置、晶圆清洗装置有机结合，通过机械手运送晶圆，大大提高了工作效率，节省人力，晶圆运送稳定性提高，降低了晶圆损坏、报废的概率。
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