-
公开(公告)号：CN102636967B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210116763.3
申请日：2012-04-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体纳米光刻结构，包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层，所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间，所述共振腔包括第一金属层、第二金属层和光刻胶层，所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间，所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层，所述第一光栅层位于所述上基底层和第一金属层之间，所述第二光栅层位于所述下基底层和第二金属层之间。本发明还公开了一种表面等离子体纳米光刻方法。利用第一光栅层和第二光栅层来激发第一金属层与光刻胶层以及第二金属层与光刻胶层界面的表面等离子波，从而可以大大提高光刻技术的分辨率；另外，本发明采用双光束曝光，可以实现良好的曝光深度和可见度。
-
公开(公告)号：CN103389537A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310343575.9
申请日：2013-08-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种宽带反射型亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法，该波片包括由下至上依次设置的玻璃基片、第一金属层、玻璃层和第二金属层，第二金属层由若干周期性的二维环形孔径阵列构成，二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等，当入射的线偏振光以偏振方位角θ从第二金属层上方入射时，第二金属层上的反射场沿两正交方向分量的位相Фx，Фy满足相位差为π/2，π或3π/2;并且当θ=45°时，振幅分量Ex、Ey相等。本发明通过优化设计，在1.55um波长处实现了1/4波片的功能，且在130nm的超宽波长范围内，两正交分量的相位差变化低于π/2的2%，整个波带范围内反射率都达到90%。
-
公开(公告)号：CN103323896A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310290506.6
申请日：2013-07-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印技术的周期式啁啾结构等离子激元光谱吸收装置，所述装置包括基底、依次位于基底上的第一金属层、绝缘体层和第二金属层，所述第一金属层、绝缘体层和第二金属层构成若干等离子谐振腔，所述等离子激元光谱吸收装置具有若干基于纳米压印技术压印而成的压缩腔，压缩腔之间形成有若干光栅结构，所述光栅周期至少在沿X方向或Z方向或同时两个方向上是线性啁啾的。本发明通过适当调整光栅啁啾系数和上金属层/绝缘体层/下金属层谐振腔的模压深度来实现和拓宽整个禁带的带宽，给实现低且平坦的反射禁带提供了可能。在相位匹配和亚波长尺寸的限制条件下，通过适当的设计，可以实现宽带的近完美吸收。
-
公开(公告)号：CN102981205A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210575507.0
申请日：2012-12-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法，该波片包括SiO2基片及位于所述基片上的银膜，银膜由若干周期性的二维环形孔径阵列构成，二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等，当入射的线偏振光以偏振方位角从基片下方入射时，通过基片和银膜后的透射场沿两正交方向分量的位相满足或并且当时，振幅分量Ex、Ey相等。本发明提供的等离子1/4波片结构简单、易于集成，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN102263183B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110242940.8
申请日：2011-08-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州纳维科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管，它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层，量子阱、p型层；在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层；或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102866556A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210374989.3
申请日：2012-09-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343 , G02F1/1339 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及光学透镜领域，公开了一种液晶变焦透镜及其变焦控制方法。液晶变焦透镜的电极板上具有圆环形衍射电极结构，圆环型衍射电极的半径满足，其中rj表示第j个圆环的半径，λ0为设计波长，F0为焦距常数，p为相位深度，取值大于1；相邻圆环形衍射电极结构对应区域之间的光程差满足条件，其中ΔnLC(V)为外加电压值为V时相邻区域液晶材料的折射率差，d为液晶层的厚度。通过改变电控装置输出的驱动电压，控制相邻区域液晶材料的折射率差，从而实现变焦。本发明基于相位深度p大于1的圆环形电极结构，有利于降低电极的加工精度要求，提高透镜的衍射效率；且直接通过输出驱动电压实现变焦，简化了外围控制电路，操作简便。.
-
公开(公告)号：CN102636967A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210116763.3
申请日：2012-04-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体纳米光刻结构，包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层，所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间，所述共振腔包括第一金属层、第二金属层和光刻胶层，所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间，所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层，所述第一光栅层位于所述上基底层和第一金属层之间，所述第二光栅层位于所述下基底层和第二金属层之间。本发明还公开了一种表面等离子体纳米光刻方法。利用第一光栅层和第二光栅层来激发第一金属层与光刻胶层以及第二金属层与光刻胶层界面的表面等离子波，从而可以大大提高光刻技术的分辨率；另外，本发明采用双光束曝光，可以实现良好的曝光深度和可见度。
-
公开(公告)号：CN101572286B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910033968.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由n型区、p型区和量子阱结构组成的工作区，衬底，绝缘介质膜，透明电极和金属电极；其特征在于：在发光二极管芯片的出光表面上制备浮雕式或嵌入式光栅，光栅的周期为50～600nm，占空比为0.2～0.9，厚度为50～400nm纳米。与传统的LED外置偏光板实现偏振相比，本发明采用将光栅结构直接集成制作于LED芯片表面技术方案，不需要外置的偏光板等结构，实现了LED芯片的出光为偏振光的目的，因此，发光器件的整体体积大大缩小，性能优化，成本降低。同时，它可通过半导体光刻工艺一次性集成在发光芯片上，易实现产业化和推广应用。
-
公开(公告)号：CN102263183A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110242940.8
申请日：2011-08-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州纳维科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有二维表面周期结构的偏振出光发光二极管，它是一种有源偏振出光光学器件。它的发光二极管芯片包括基底、n型层，量子阱、p型层；在p型层的上表面制备具有二维周期结构的金属表面层；或制备一介质过渡层与具有二维周期结构的金属表面层的复合结构。二维周期点阵的一个方向x，它的周期a为70～180纳米，与x垂直的y方向的周期b为a的40%～80%。介质过渡层的折射率n满足条件为1.0
-
公开(公告)号：CN102252258A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110194441.6
申请日：2011-07-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州纳维科技有限公司
IPC: F21S10/02 , F21V8/00 , F21V9/10 , F21W121/00
Abstract: 本发明公开了一种多彩变幻的光纤照明系统，包括发光器、耦合器、程控器和光纤束；所述的光纤束由n股体发光的细光纤绞合在一起形成一根发光的集合光纤束，n为大于1的整数；在n股细光纤中，有1～n股的细光纤在不同的位置被截成两断，截断面上涂有反射材料，截断后的细光纤绞合在一起将集合光纤束分为若干段；集合光纤束两端的细光纤通过耦合器与发光器耦合；程控器控制发光器，集合光纤束的每一段同时发出相同或不同的色彩。发光器通过程控不断变幻色彩和发光强度，通过细光纤不同的组合方式使集合光纤束在不同的部位耦合出不同的、不断变化的色彩，该光纤照明系统具有多彩变幻的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
221
records
(took 0.031 seconds)
