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公开(公告)号：CN202854664U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220559092.3
申请日：2012-10-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种带压力敏感膜的电子记事本，包括输入模块和控制模块，其特征在于：所述输入模块主要由硬板和复合在硬板上的压力敏感膜构成，所述压力敏感膜的可操作区域不小于B5；所述压力敏感膜的输出信号端与所述控制模块的输入端口间形成电学连接；所述控制模块中设有控制面板，控制面板上设有人机交互界面。本实用新型对纸张和笔没有特殊要求，能够适应普通人的书写和使用习惯，有利于使用者保持思路流畅，可提高课堂学习、会议工作的效率，符合信息化时代的要求，有利于人们的交流、传输和存储。
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公开(公告)号：CN211089632U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201922308617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本实用新型公开了一种高线性度宽摆幅CMOS电压跟随器，当输入电压低至0V时，所有MOS管都能够充分工作在饱和区，因而能够保证电压跟随器能够正常工作；随着输入电压增高，PMOS管P9漏端电压会迫近电源电压VDD，此时PMOS管P9进入线性区，导致PMOS管P9的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使NMOS管N3进入线性区，电压跟随器仍能正常工作。因此PMOS管P9栅极电压可以低至小于2Vdsat，PMOS管P9的栅极电压允许摆幅得到较大的扩展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211089594U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201922246422.8
申请日：2019-12-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路，在宽电压范围内为跨导单元主体电路提供较为恒定的偏置电流，利用栅极电压的自适应调整和预留的较大电压回旋空间，其中偏置电压Vbias1选择较低值，使得电流源I1a刚刚能够饱和，这样，随着输入电压的升高，PMOS管M4a和PMOS管M5a进入线性区之后还能再拓展一些输入电压范围，直到PMOS管M7a也进入线性区，本实用新型的优点在于，可以获取更宽的电压输入范围，对于纳米级CMOS工艺来说是非常重要的特性，同时为跨导主体电路提供的偏置电流非常稳定，即其偏置电流对输入电压的依赖性非常小，有利于提高线性度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209692711U
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201920586088.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器，包括偏置电路和运算跨导放大器主体电路，所述偏置电路为运算跨导放大器主体电路提供偏置电流；本实用新型的优点在于，能够在输入共模电压较大变化范围内实现较好CMRR性能的同时，维持输入差分对跨导值的稳定，且输入级尾电流源在较低压降时仍然能够提供较为恒定的偏置电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203720553U
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201420050120.8
申请日：2014-01-26
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本实用新型公开一种碱金属谐振器，其为玻璃-硅-玻璃三明治结构，包括谐振腔腔体与包围腔体的六个侧面，在由硅片构成的一个侧面上设有一开口，开口的一端与谐振腔连通，另一端由焊料封闭；所述焊料与硅片之间设有金属层；谐振腔腔体内放有碱金属并充有缓冲气体。根据本实用新型的碱金属谐振器，碱金属可以通过其侧面预留的开口进入谐振腔中，不会与静电键合互相影响；焊料将开口封闭，使谐振腔密闭，保持谐振腔中的缓冲气体；与现有相比，本实用新型提供的碱金属谐振器制备方法简单、成本低、性能优异，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203455615U
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201320363589.2
申请日：2013-06-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本实用新型公开了一种原子钟，由电子学系统和物理封装构成，所述物理封装包括激光器、转换光路、1/4波片、碱性原子泡气室和光电探测器，其特征在于：所述转换光路包括四端口光纤耦合器、与光纤耦合器相连的四条光纤、自聚焦透镜和增反膜，所述激光器的输出端连接第一光纤，第二光纤连接自聚焦透镜，第三光纤连接光电探测器；所述增反膜位于碱性原子泡气室的出射侧，将出射光反射回碱性原子泡气室。本实用新型可以使得激光器和光电探测器远离碱性原子泡气室，减少温度和磁场对其的影响，提高原子钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN203289410U
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201320363630.6
申请日：2013-06-24
Applicant: 苏州大学
IPC: H03L7/26
Abstract: 本实用新型公开了一种CPT原子频标，由电子学系统和物理封装构成，所述物理封装沿光路传递方向主要依次由激光器、转换光路、1/4波片、碱性原子泡气室和光电探测器组成，其特征在于：所述转换光路包括连接光纤和自聚焦透镜，所述连接光纤连接激光器的输出端和自聚焦透镜，自聚焦透镜输出的平行光进入1/4波片。本实用新型将带尾纤的激光器与带尾纤的自聚焦透镜连接，可以使得激光器远离碱性原子泡气室，减少温度和磁场对其的影响；光纤的使用，可以减少光的损耗；并且自聚焦透镜可以产生平行光束，该光束经过1/4波片后易于得到圆偏振光。
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公开(公告)号：CN210536611U
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201922136818.7
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本实用新型公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本实用新型的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209345112U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201920155437.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种适应于深亚微米CMOS工艺的电源电压较低特点的运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，以及给差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路。在深亚微米CMOS工艺下(标称电源电压为1～1.2V)，本实用新型运算跨导放大器的输入偏置电压仍然能够设置成与输出共模电压VOCM相等的值，即电源电压的一半，虽然此时尾电流源的压降很小，但是仍能维持恒定电流，因而本实用新型的运算跨导放大器仍然可以获得较高的共模抑制比。基于本实用新型的运算跨导放大器的反相比例放大器不但在维持最大输入输出摆幅的同时规避了建立问题，而且不再需要额外的输入共模反馈电路。与传统结构相比，额外增加的NMOS管和偏置恒定电流源仅对运算跨导放大器贡献共模噪声，不会带来闭环带宽减小、噪声恶化等问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209297190U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201821976120.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开了一种低压降镜像电流源电路,包括镜像对称的第一PMOS管P1和第二PMOS管P2、以及第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2；第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，第二参考电流源I2的一端接地，第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。本实用新型能够实现更稳定输出电流的同时降低所需电流源压降。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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