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公开(公告)号：CN110798163A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911210864.5
申请日：2019-12-02
Applicant: 苏州大学
IPC: H03G3/30 , H03K19/0944
Abstract: 本发明公开了一种宽摆幅单位增益电压缓冲器，当输入(输出)电压较低时，第五NMOS管N5进入线性区，第五NMOS管N5的栅极电压显著升高，只要第五NMOS管N5的栅极电压没有上升到VDD-2Vdsat，第四NMOS管N4就能维持恒定偏置电流，进而第四NMOS管N4的源极电压能够跟随其栅极电压。此时OTA的输出级的第三NMOS管N3能够充分工作在饱和区，因而OTA能够维持高电压增益，同时由于OTA和源极跟随器都在闭环回路中，充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，即便输入电压非常靠近地，也能够精确的实现电压缓冲，因此，本发明的单位增益电压缓冲器具有宽输入范围的特点。
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公开(公告)号：CN110798204B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201911221221.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本发明公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本发明的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112506259B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011258748.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，包括单极点高增益OTA、功率传输PMOS管Tp、第一反馈电阻R1和第二反馈电阻R2，所述单极点高增益OTA包括电压源VDD、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10。本发明所提供的参考电压缓冲器具有非常低的输出阻抗低频值，且额外电路开销小，有利于维持低功耗。
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公开(公告)号：CN112506259A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011258748.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，包括单极点高增益OTA、功率传输PMOS管Tp、第一反馈电阻R1和第二反馈电阻R2，所述单极点高增益OTA包括电压源VDD、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10。本发明所提供的参考电压缓冲器具有非常低的输出阻抗低频值，且额外电路开销小，有利于维持低功耗。
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公开(公告)号：CN110798204A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911221221.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本发明公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本发明的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。
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公开(公告)号：CN210724703U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201922116922.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 苏州大学
IPC: H03G3/30 , H03K19/0944
Abstract: 本实用新型公开了一种宽摆幅单位增益电压缓冲器，当输入(输出)电压较低时，第五NMOS管N5进入线性区，第五NMOS管N5的栅极电压显著升高，只要第五NMOS管N5的栅极电压没有上升到VDD‑2Vdsat，第四NMOS管N4就能维持恒定偏置电流，进而第四NMOS管N4的源极电压能够跟随其栅极电压。此时OTA的输出级的第三NMOS管N3能够充分工作在饱和区，因而OTA能够维持高电压增益，同时由于OTA和源极跟随器都在闭环回路中，充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，即便输入电压非常靠近地，也能够精确的实现电压缓冲，因此，本实用新型的单位增益电压缓冲器具有宽输入范围的特点。
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公开(公告)号：CN210536611U
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201922136818.7
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本实用新型公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本实用新型的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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