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公开(公告)号：CN110798204B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201911221221.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本发明公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本发明的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。
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公开(公告)号：CN112506259B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011258748.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，包括单极点高增益OTA、功率传输PMOS管Tp、第一反馈电阻R1和第二反馈电阻R2，所述单极点高增益OTA包括电压源VDD、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10。本发明所提供的参考电压缓冲器具有非常低的输出阻抗低频值，且额外电路开销小，有利于维持低功耗。
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公开(公告)号：CN112865710A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110079667.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种折叠式共源共栅结构全差分运算放大器，包括PMOS管P1、PMOS管P2、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7和NMOS管N8；在PMOS管P1的源极引入偏置电流源IB2，在PMOS管P2的源极引入偏置电流源IB3，并在NMOS管N5、NMOS管N6、NMOS管N7和NMOS管N8之间引入辅助放大器A；以及在NMOS管N1和NMOS管N2之上添加NMOS管N3和NMOS管N4，以提高输出电阻。本发明能够在不引入额外功耗的情况下增强折叠点的等效电阻，因而具有比传统结构高的直流电压增益，因此，可以大幅降低连接到折叠点的相关MOS管的沟道长度而不用担心直流电压增益不足，从而能够极大地降低折叠点的寄生电容以实现更宽的带宽。
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公开(公告)号：CN112506259A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011258748.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，具有低输出电阻的CMOS参考电压缓冲器，包括单极点高增益OTA、功率传输PMOS管Tp、第一反馈电阻R1和第二反馈电阻R2，所述单极点高增益OTA包括电压源VDD、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10。本发明所提供的参考电压缓冲器具有非常低的输出阻抗低频值，且额外电路开销小，有利于维持低功耗。
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公开(公告)号：CN110798204A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911221221.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/693
Abstract: 本发明公开了一种缓冲近电源电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3组成的超级源极跟随器。本发明的缓冲近电源电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近电源电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现对近电源电压的缓冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109546975A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910086766.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种适应于深亚微米CMOS工艺的电源电压较低特点的运算跨导放大器，包括带有差分输入级和共源输出级的基本结构，以及给差分输入级提供偏置电流的自适应偏置镜像电流源电路。在深亚微米CMOS工艺下(标称电源电压为1～1.2V)，本发明运算跨导放大器的输入偏置电压仍然能够设置成与输出共模电压VOCM相等的值，即电源电压的一半，虽然此时尾电流源的压降很小，但是仍能维持恒定电流，因而本发明的运算跨导放大器仍然可以获得较高的共模抑制比。基于本发明的运算跨导放大器的反相比例放大器不但在维持最大输入输出摆幅的同时规避了建立问题，而且不再需要额外的输入共模反馈电路。与传统结构相比，额外增加的NMOS管和偏置恒定电流源仅对运算跨导放大器贡献共模噪声，不会带来闭环带宽减小、噪声恶化等问题。
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公开(公告)号：CN109283965A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811469369.1
申请日：2018-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种低压降镜像电流源电路,包括镜像对称的第一PMOS管P1和第二PMOS管P2、以及第一参考电流源I1、第二参考电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2；第一参考电流源I1的一端分别连接到电压源VDD、第一PMOS管P1的源极和第二PMOS管P2的源极，第一参考电流源I1的输出端分别连接到第一PMOS管P1的栅极、第二PMOS管P2的栅极和第二NMOS管N2的漏极，第二参考电流源I2的一端接地，第二参考电流源I2的输出端分别连接到第一NMOS管N1的源极和第二NMOS管N2源极，第一PMOS管P1的漏极连接到第二NMOS管N2的栅极并作为电流输出端，第二PMOS管P2的漏极分别连接到第一NMOS管N1的漏极和栅极。本发明能够实现更稳定输出电流的同时降低所需电流源压降。
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公开(公告)号：CN104135291B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410335578.2
申请日：2014-07-15
Applicant: 苏州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种以脉冲充电形式实现的连续接近式寄存器型模数转换器，包括电压‑电流转换模块、电荷再分布DAC模块、缓冲器模块、积分器模块、比较器模块和控制逻辑模块，所述电荷再分布DAC模块由电容器阵列及与所述电容器阵列相连的开关组成，所述电压‑电流转换模块的电流输出端连接到电荷再分布DAC模块的输入端，所述电荷再分布DAC模块的输出端连接到积分器模块的输入端，所述缓冲器模块位于电荷再分布DAC模块和积分器模块之间，所述积分器模块的输出端连接到比较器模块的输入端，所述比较器模块的输出端连接到控制逻辑模块的输入端，所述控制逻辑模块的输出端连接到所述开关。本发明的模数转换器在分辨率保持很高的情况下仍可以保持高速。
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公开(公告)号：CN103885325B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410082524.X
申请日：2014-03-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开一种芯片级原子钟气室及其制备方法。具体为采用SOI硅片，在作为衬底的硅层上制备腔体，用以放置碱金属、充入惰性气体，并用玻璃封闭腔体，最后在作为器件层的硅层一侧设置支撑材料对器件进行保护，从而完成高稳定性的芯片级原子钟气室的制备；本发明只需通过一次关键的静电键合即可完成原子钟气室的制备，避免了因为静电键合的质量不好而导致气室稳定性差的问题；提高了产品成品率；本发明公开的气室结构简单合理，所以制得的气室体积小，使用简单，并且制备成本低，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102945066B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210420376.9
申请日：2012-10-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种带压力敏感膜的电子记事本，包括输入模块和控制模块，其特征在于：所述输入模块主要由硬板和复合在硬板上的压力敏感膜构成，所述压力敏感膜的可操作区域不小于B5；所述压力敏感膜的输出信号端与所述控制模块的输入端口间形成电学连接；所述控制模块中设有控制面板，控制面板上设有人机交互界面。本发明对纸张和笔没有特殊要求，能够适应普通人的书写和使用习惯，有利于使用者保持思路流畅，可提高课堂学习、会议工作的效率，符合信息化时代的要求，有利于人们的交流、传输和存储。
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