公开(公告)号：CN108277683B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201810063395.8

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  张玉飞 ,  黄建华 ,  郑康 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  徐胜 ,  王丽萍

IPC: D21H15/10 ,  D21H13/34 ,  D21H11/00 ,  D21C5/00 ,  D21H21/30 ,  D21H17/34 ,  D21F13/00 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开了一种基于蛋白纤维或细胞纤维素的柔性荧光纸的制备方法，利用蚕丝以及细胞纤维素进行处理简单的处理，形成一维蛋白纤维或细胞纤维素；随后将其分散在CdSe量子点溶液中，使CdSe量子点附着在一维蛋白纤维或细胞纤维素上；然后再用PVP材料对负载在一维蛋白纤维或细胞纤维素上的量子点进行包覆；最后使用真空抽滤、真空烘干等工艺制备出可以发出各种荧光的荧光纸。本发明制得的荧光纸机械强度较高，可弯曲折叠等并且具有较高的发光性能，相比于传统的反光类材料有较广的警示视角，可以应用特殊服饰、指示和警示领域并取代反光类的贴纸材料。

公开(公告)号：CN108232042A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810065630.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  叶冰清 ,  胡海龙 ,  陈恩果 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  赖寿强

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/502

Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术，在图案化的ITO玻璃衬底上，分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层，再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺，最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度，从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率，使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。

公开(公告)号：CN108190959A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810061274.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶冰清 ,  艾经伟 ,  刘佳慧 ,  张余祥 ,  胡海龙 ,  陈耿旭 ,  徐胜 ,  林诗敏

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。

公开(公告)号：CN108130085A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810063616.1

申请日：2018-01-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  赵志伟 ,  阮玉帅 ,  叶冰清 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  徐胜 ,  赖寿强

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上，组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心，并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜，最后通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，成为最有可能提高半导体量子点处光场强度，提升激发光利用效率，从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。

公开(公告)号：CN106653576A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710045367.9

申请日：2017-01-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈耿旭 ,  郭太良 ,  陈惠鹏 ,  胡海龙 ,  叶芸

IPC: H01L21/02 ,  C01B32/188

CPC classification number: H01L21/02697

Abstract: 本发明涉及一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供一具有电极的基板，所述电极由金属材料构成；（2）将所述基板置于碳源的环境下，利用激光照射所述电极的表面，被照射处原位生长出石墨烯膜层。本发明一方面降低了金属电极被氧化的风险，另一方面利用激光辐照的方法产生的局域高温仅处于诱导出石墨烯生长的电极表面，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构；配合光束的扫描运动，还可实现快速而精细的图形化结构；另外，石墨烯良好的导电性能也将有助于提升整个器件的性能。