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公开(公告)号：CN108304785A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810040243.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自建神经网络的交通标志检测与识别方法，属于机器学习及深度学习技术领域，该方法根据拍摄到的图像运用数字图像理论中的颜色分割获取交通标志在图片中的非真实感兴趣区域，使用SVM分类器得到真实感兴趣区域，再将真实的感兴趣区域放进自建卷积神经网络中进行识别分类。采用本发明的技术方案能对交通标志使用状态进行快速准确识别和分类，达到快速、可靠和识别准确的实时要求，并且省时省力。
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公开(公告)号：CN108133989A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711383273.9
申请日：2017-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种基于多量子阱的GaN横向LED器件的制备方法。该制备方法包括：选取蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上制备包括GaN的多量子阱蓝光材料；刻蚀所述蓝光材料形成黄光灯芯槽；在所述黄光灯芯槽中制备包括GaN的多量子阱黄光材料；制备第一电极、第二电极和第三电极，以完成所述基于多量子阱的横向LED器件的制备；其中，所述第一电极为整个器件的负电极，所述第二电极为所述蓝光材料的正电极，所述第三电极为所述黄光材料的正电极。本发明通过将多种色彩的材料制备在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。
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公开(公告)号：CN106784116B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710074465.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于长波光通信的光电探测器及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取N型Si或SOI衬底；在所述衬底上生长Ge缓冲层；在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层；在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层；在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层；在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2；光刻引线以制备所述光电探测器。本发明制备的用于长波光通信的光电探测器测器兼容Si CMOS工艺，克服了暗电流大，低于1800nm连续波段探测问题，高效，且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变，调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。
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公开(公告)号：CN104992942B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510411372.8
申请日：2015-07-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/165 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法，该器件从下往上依次包括硅衬底、弛豫SiGe缓冲层、弛豫Si0.7Ge0.3虚衬底、n+δ掺杂层、弛豫Si0.7Ge0.3间隔层、应变Si沟道、弛豫Si0.7Ge0.3中间层、应变Si0.5Ge0.5沟道、弛豫Si0.7Ge0.3帽层和应变Si帽层。本发明采用张应变Si材料作n‑MOSFET沟道，压应变SiGe材料作p‑MOSFET沟道，n‑MOSFET与p‑MOSFET采用垂直层叠结构，二者共用一个多晶SiGe栅电极，电子和空穴的迁移率均有较大提高，提高了芯片的集成度、速度，为Si基器件和集成电路的高速、高频化发展开辟新的技术途径。
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公开(公告)号：CN107329130A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710491807.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01S7/41
CPC classification number: G01S7/415
Abstract: 本发明属于信号处理技术领域，具体的说是涉及一种基于雷达通信一体化系统接收端的信号处理方法。本发明的方法主要是先针对雷达通信一体化系统接收信号的特征提出了模型，针对建立的模型，通过一系列的处理方法对信号进行提纯处理，并去除杂波，最后对目标进行DOA估计。本发明的有益效果为，本发明的方法在雷达通信一体化系统的接收端可以较好的检测出目标，从而可以很好的实现雷达探测的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106991693A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710161906.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G06K9/6221 , G06N7/02 , G06T2207/20228
Abstract: 本发明提出了一种基于模糊支持权重的立体匹配方法，其方案是：获取左右两幅视图，并计算在不同视差下左右视图对应点的匹配代价，并对其分别进行带权的模糊C均值聚类，得到每个像素点的隶属度；为左右视图中的每个像素点选取窗口，计算窗口内的像素点对该点的模糊支持权重；计算在不同视差下左右视图中对应窗口的总匹配代价；选取最小匹配代价的视差值作为像素点的最优视差值；分别获取左右视图上所有像素点的视差值，获取左右视图中视差值不一致的点，并对其进行替换；再对左视图上像素点的视差值做中值滤波，完成对左右视图像素点的匹配。本发明减小了在遮挡区域及深度不连续区域的误匹配，可用于三维重建和测量。
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公开(公告)号：CN106982219A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710260870.6
申请日：2017-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种IEC 60870‑5‑104通信访问控制方法，通过提取IEC 60870‑5‑104协议中控制域第一个八位位组的第1位、控制域第一个八位位组的第2位、控制域第三个八位位组的第1位、类型标识和传送原因作为特征，利用神经网络学习上述特征的特定组合，从而得到访问控制的标准匹配规则；再将捕获的数据包通过预处理得到待检测序列，将得到的序列与标准匹配规则进行匹配，判断数据包是否允许通过，从而完成IEC 60870‑5‑104通信访问控制。
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公开(公告)号：CN106784116A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710074465.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/035209 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于长波光通信的光电探测器及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取N型Si或SOI衬底；在所述衬底上生长Ge缓冲层；在所述Ge缓冲层上生长N型GeSn缓冲层；在所述GeSn缓冲层上生长GeSn/Ge多量子阱有源层；在所述GeSn/Ge多量子阱有源层上生长GeSn接触层；在所述GeSn接触层上采用等离子体化学气相沉积工艺生长SiO2；光刻引线以制备所述光电探测器。本发明制备的用于长波光通信的光电探测器测器兼容Si CMOS工艺，克服了暗电流大，低于1800nm连续波段探测问题，高效，且能够在GeSn量子阱中引入不同的应变，调节量子阱的带隙结构以扩展光电探测器的吸收波长范围和吸收系数。
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公开(公告)号：CN106449734A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611187762.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/0684 , H01L29/66219
Abstract: 本发明涉及一种GaAs-Ge-GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs-Ge-GaAs异质结构的SPiN二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基SPiN二极管。
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公开(公告)号：CN106301054A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610795774.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M7/5395 , H02M1/12
CPC classification number: Y02E10/56 , H02M7/5395 , H02M1/12 , H02M2001/123
Abstract: 本发明公开一种级联H桥光伏逆变器的改进型POD调制策略，包括：根据每个H桥模块左右桥臂的开关状态得到所述两个H桥模块包含的16个开关状态；在所述两个H桥模块的直流输入电压相同时，计算所述16个开关状态中每个开关状态对应的所述两个H桥模块寄生电容电压之和；选择出所述两个H桥模块总的寄生电容电压之和保持不变的所有开关状态，并组成两种开关状态组合；根据所述两种开关状态组合，通过调制波与载波进行比较，生成PWM驱动信号，并对所述两个H桥模块的开关管进行控制，该调制策略有效地提高了光伏并网逆变器漏电流的抑制效果。
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