-
公开(公告)号：CN110021589A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910372425.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率组件以及电压转换方法。其中，该功率组件包括：驱动板、绝缘栅双极型晶体管以及弹簧电阻，其中，弹簧电阻的第一端与驱动板相连接，弹簧电阻的第二端与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接。本发明解决了现有的功率组件中绝缘栅双极型晶体管与弹簧通过邦定线连接，导致功率组件体积大的技术问题。
-
公开(公告)号：CN210640235U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921685655.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本实用新型提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208478320U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821288481.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本实用新型将封装体浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208422903U
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201821259335.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208256642U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820617150.0
申请日：2018-04-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 江伟
IPC: H01L21/768 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/97
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件及集成半导体器件，该半导体器件包括：铜桥框架；引线框架；铜桥框架与所述引线框架之间设置有芯片，引线框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架与芯片之间通过结合材连接，铜桥框架、芯片与引线框架通过塑封材料塑封在一起，铜桥框架背离芯片一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片一侧从所述塑封材料中露出。这种半导体器件结构由于铜桥框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，引线框架背离芯片的一侧从塑封材料中露出，从而加强了芯片的散热，延长了器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214848626U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121195951.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型提供一种IPM模块的下桥连接结构、IPM模块和电子设备，该IPM模块的下桥连接结构包括基板、下桥芯片、公共端焊盘、下桥引脚、第一连接导线以及第二连接导线；基板上设置有桥接导体部；各下桥引脚与下桥芯片电连接，下桥芯片的发射极与各第一连接导线的一端电连接，各第一连接导线的另一端与各桥接导体部一一对应电连接，各桥接导体部与各第二连接导线的一端一一对应电连接，各第二连接导线的另一端与公共端焊盘电连接。通过在基板上设置与基板上其他金属元件不连接的桥接导体部，使得下桥芯片的发射极能够通过第一连接导线和第二连接导线连接至公共端焊盘，避免了发射极感生电流，避免影响到开通速度，避免因开通慢增加损耗。
-
公开(公告)号：CN213692041U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023058405.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开一种引线框架及芯片封装结构，该引线框架包括：散热片，散热片具有相对的第一表面和第二表面，以及，连接第一表面和第二表面的第三表面，第一表面具有用于安装芯片的基岛区；沿第二表面的边缘具有第一区域，沿第一区域具有间隔设置的多个镂空结构，每个镂空结构由第一表面贯穿至第二表面。在上述引线框架中，当利用该引线框架封装芯片时，芯片安装在第一表面的基岛区，可以通过在第一表面一侧注入塑封料以形成塑封结构，塑封结构覆盖在第一表面，并将芯片包裹，且填充于上述多个镂空结构中，增加了与散热片的结合面积，从而，提高引线框架与塑封结构的结合强度，可有效避免引线框架和塑封结构分层或开裂。
-
公开(公告)号：CN210866167U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921685666.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/13
Abstract: 本实用新型涉及电子电器技术领域，具体涉及一种功率器件及其基板。该基板包括绝缘部、导热部、第一导电部和第二导电部，所述绝缘部沿自身厚度方向相对的两侧中，一侧连接有所述导热部，另一侧连接有所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部之间具有绝缘间隔；所述绝缘部位于所述绝缘间隔的部分处设置有沉槽，所述沉槽自所述绝缘部的表面向所述导热部所在的方向延伸。本实用新型所提供的基板即便尺寸相对较小，其绝缘可靠性也相对较高，安全隐患相对较小。
-
公开(公告)号：CN208507648U
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201821102208.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种电子元件封装结构及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，解决了现有技术封装保护层与芯片之间封装应力不匹配导致的芯片受损、失效的技术问题。该封装结构包括电子元件、保护层和应力缓冲层，应力缓冲层介于电子元件与保护层之间，且应力缓冲层能缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力。通过在电子元件与保护层之间设置应力缓冲层来缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力，减少电子元件的失效损坏，防止水汽入侵，隔绝离子污染，提高电子元件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN206340524U
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201621174836.4
申请日：2016-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 江伟
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种压模头，包括：本体、压模内腔、外部导流槽及内部导流槽；所述压模内腔设置在所述本体上；所述外部导流槽、内部导流槽设置在所述压模内腔上，所述内部导流槽进一步包括两条相交的槽体，所述槽体的交汇处呈现出一中心图案。通过上述方式，本实用新型实施例能够。区别于现有技术，利用所述压模头能够提高熔融焊锡的流动性，使得压模头压出来的片状焊锡更为均匀，使得焊接后的半导体元器件有很好的封装效果及更高的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.069 seconds)
