稀土类磁石的制造方法
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103227019A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310024371.9

    申请日:2013-01-23

    Abstract: 本发明提供稀土类磁石的制法,该制法不使用Dy、Tb等重稀土金属,能够在比以往稀土类磁石制法低温的条件下使提高矫顽力(尤其是高温环境下的矫顽力)的改性合金扩散渗透,由此能尽可能廉价地制造矫顽力高的稀土类磁石。该制法包括以下两步,第1步:将成为稀土类磁石材料的粉末加压成形来制造成形体(S),所述粉末由RE-Fe-B系主相MP(RE:Nd、Pr中的至少一种)和位于主相MP周围的RE-X合金(X:金属元素)的晶界相BP构成;第2步:使由共晶或富含RE的过共晶组成的RE-Y合金(Y:是金属元素且不含重稀土元素)构成的改性合金(M)与成形体(S)或将成形体(S)热塑性加工而成的稀土类磁石前体(C)接触,进行热处理而使改性合金M的熔液扩散渗透于成形体(S)、稀土类磁石前体(C)来制造稀土类磁石(RM)。

    Sm-Fe-N系磁性材料及其制造方法
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118824668A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410463136.X

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本公开为Sm‑Fe‑N系磁性材料及其制造方法。提供即使削减Sm的使用量也能够尽可能抑制各向异性磁场的下降且提高饱和磁化的Sm‑Fe‑N系磁性材料及其制造方法。本公开的磁性材料具备具有规定的晶体结构的主相。主相的组成由(Sm(1‑x‑y‑z)LaxCeyR1z)2(Fe(1‑p‑q‑s)CopNiqMs)17Nh表示,R1是规定的稀土元素等,M是规定的元素,并且,满足0.25≤x+y≤0.73、0.25≤x≤0.73、x/(x+y)≥0.80、0≤z≤0.10、0.10≤p+q≤0.53、p+q≥1.45(x+y)‑0.5485、0≤s≤0.10和2.9≤h≤3.3。本公开的制造方法包含将具备结晶相的前驱体氮化的工序,所述结晶相具有由(Sm(1‑x‑y‑z)LaxCeyR1z)2(Fe(1‑p‑q‑s)CopNiqMs)17表示的组成。

    数据解析系统以及数据解析方法

    公开(公告)号:CN112951342B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202011386666.7

    申请日:2020-12-02

    Abstract: 本公开提供数据解析系统以及数据解析方法,在避免测量数据的解析结果的偏差的同时,提高测量数据的解析精度。数据解析系统(1)具备:测量数据取得部(21),取得经由通信部(10)接收到的、分析材料而得到的测量数据;数据解析部(22),使用已训练的机器训练模型来处理测量数据,输出测量数据的解析结果;储存处理部(27),将包括测量数据和处理测量数据而得到的处理结果的数据组作为解析结果数据组,储存到存储装置(30)的解析结果数据库(32);训练用数据组取得部(28),取得经由通信部(10)接收到的、包括根据解析结果数据组在外部进行的针对测量数据的处理结果的评价的结果的训练用数据组;以及训练部(29),根据训练用数据组,使机器训练模型再训练。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115602703A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202210765593.5

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有:n型氧化镓半导体层,具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域;电极层,层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结;以及第一p型氧化镍半导体层,以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上,并且在从层叠方向观察时,所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。

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