一种Micro-LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN113745261B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202110822816.2

    申请日:2021-07-21

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法,其中的光子集成芯片的信息传感与存储单元包括从下至上依次对准叠合设置的Micro‑LED、平滑层、铁电半导体、介质层和钝化层,还包括源极、漏极和栅极,所述源极和漏极分别嵌入在介质层的底部两侧并与铁电半导体接触,所述栅极嵌入在钝化层的底部并位于介质层的上方中间位置。本发明可以实现对光信息同步传感与存储,提高信号处理效率,简化电路结构,在未来光子芯片和图像识别领域具有重要的应用前景。

    半导体装置及其制备方法
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116314240A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310342093.5

    申请日:2023-03-31

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 潘安练

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制备方法,半导体装置包括驱动背板、键合层、显示像素区和多个互连层,驱动背板一侧间隔设置有多个电极触点,键合层设置于驱动背板设置有电极触点的一侧,键合层上与各电极触点相接触的部位均开设有通孔;显示像素区包括多个间隔设置于键合层背离驱动背板一侧的发光单元,多个发光单元的阳极均与键合层连接;互连层、发光单元、通孔为一一对应关系,互连层的一部分容置于通孔中,并与电极触点连接,互连层的另一部分设置于键合层朝向发光单元的一侧,并与发光单元的阴极连接。本发明的半导体装置一方面能减小制备时所需的刻蚀空间,有利于半导体装置进一步微缩化,也无需采用极高的对准精度,简化制备工艺。

    一种可编程的磁控流体微显示器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154092A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310233677.9

    申请日:2023-03-13

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明具体公开了一种可编程的磁控流体微显示器件及其显示方法,包括电路板、蓝光MicroLED和磁控发光单元,磁控发光单元开设有微流体通道,微流体通道内填充有基液,基液内装有若干个透光率低的磁性粒子和无磁性的光致发光量子点,所述磁性粒子和光致发光量子点均为纳米级,微流体通道的前后两侧设有若干组匹配对应的电磁板,电磁板将微流体通道分割成与若干组电磁板一一对应的若干个微区域单元,且每一组电磁板均通过对应电磁板上设置的电极与外部连接用于改变对应微区域单元的磁场方向。本发明通过控制电磁板电流流向以控制对应微区域单元磁场方向,实现了对应微区域单元的显色与不显色,进而实现了整个面板的色彩化编码和图案化。

    一种成分定量分析方法、测试系统及存储介质

    公开(公告)号:CN112683859B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202011321390.4

    申请日:2020-11-23

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 潘安练

    Abstract: 本发明公开了一种成分定量分析方法、测试系统及存储介质,方法包括:获取若干样品被激光激发后的光谱数据以及每个样品中成分的真实含量;然后利用各个样品的光谱数据训练偏最小二乘法回归+支持向量机回归模型,偏最小二乘法回归模型训练时,将训练集中各个样品对应贡献度最大的光谱数据作为输入数据,对应样品各成分的真实含量作为训练标签;支持向量机回归模型训练时,利用训练后的偏最小二乘法回归模型获取预测集中样品各成分的预测含量,并将预测含量与真实含量的残差作为训练标签,以及将预测集中各个样品的光谱数据作为输入数据,本发明基于构建的模型实现成分的定量测量,并构建出一套利用激光诱导击穿光谱的成分定量分析的测试系统。

    一种无机-有机LED混合彩色显示器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114843317A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210373367.2

    申请日:2022-04-11

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 潘安练

    Abstract: 本发明公开了一种无机‑有机LED混合彩色显示器件及其制备方法,该显示器件采用无机蓝、绿晶圆堆叠布局,有机红光OLED平行于蓝、绿晶圆的布局方式,有效减小了显示器件的尺寸,提升了像素密度。有机红光OLED‑无机蓝、绿晶圆的组合方式,有效消除了因红光材料尺寸下降而导致的红光外量子效率急剧下降的问题,在提升了小尺寸红光材料的外量子效率的同时,也提升了显示器件的整体转化效率。该显示器件在垂直方向上采用非对准金属键合无机蓝、绿晶圆后,通过蒸镀集成有机红光OLED,该制备方法具有简单易行,容错率高,制备精度高和成本低廉等优点,在新一代高精细显示器上有着广泛的应用前景。

    一种二维原子晶体多层转角WS2纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113666418A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110644688.7

    申请日:2021-06-09

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种二维原子晶体多层转角WS2纳米材料及其制备方法。所述WS2纳米材料由n层WS2原子层堆叠形成,所述n≥2,堆叠方式为层间连续转角,层与层之间相互独立,相邻两层原子层之间的扭转角度为A,A为0°~60°中的任意角度。所述多层转角WS2纳米结构随着厚度的增大呈风车状。本发明首次采用简单的金纳米颗粒诱导成核方法合成了具有连续扭转角度的多层WS2纳米结构,该方法可推广于其他过渡金属硫族化合物转角结构的制备。所制备的样品具有较高的结晶质量,层间扭转角度多样,对于研究纳米级新型转角光电子学及光电集成器件有重要的意义。

    一种小尺寸面发射近红外激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113659432A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110914547.2

    申请日:2021-08-10

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种小尺寸面发射近红外激光器及其制备方法。所述激光器包括由底部分布式布拉格反射微腔和顶部分布式布拉格反射微腔构成的分布式布拉格反射微腔;所述底部分布式布拉格反射微腔的顶部为二氧化硅层,该层二氧化硅层布置有单晶铒镱硅酸盐纳米片,底部分布式布拉格反射微腔由厚度为185.5nm的五氧化二钽层和厚度为263.7nm二氧化硅层交替分布9次构成,顶部分布式布拉格反射微腔由厚度为263.7nm二氧化硅层和厚度为185.5nm的五氧化二钽层交替分布8次构成;所述单晶铒镱硅酸盐纳米片也与顶部分布式布拉格反射微腔中的一层二氧化硅层接触。本发明结构设计合理、制备简单可控,便于工业化应用。

    PbS薄膜的敏化方法、红外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112310242A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010515219.0

    申请日:2020-06-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 孙景 潘安练

    Abstract: 本发明涉及一种新的用于PbS薄膜的敏化方法,该方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理实现PbS薄膜的敏化。本发明还涉及一种基于PbS薄膜的红外光电探测器及制备方法,所述探测器包括导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层;所述p型半导体层为经过紫外臭氧敏化处理的PbS薄膜;所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。本发明采用UVO敏化处理,敏化温度低,耗能少、操作简单、敏化效果显著。此外,本发明为一种具有二极管结构的可室温工作的高灵敏红外光电探测器,其比探测率明显优于传统光敏电阻式探测器。

    转移钙钛矿纳米线和黑磷薄膜复合材料的显微镜及方法

    公开(公告)号:CN109541790B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201811528789.2

    申请日:2018-12-13

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种转移钙钛矿纳米线和黑磷薄膜复合材料的显微镜及方法,包括光学显微镜机构,其特征在于,光学显微镜机构下设置有两个高低错落的三维转移平台,三维转移平台可沿X轴、Y轴和Z轴方向移动,其中较高三维转移平台上设置玻璃悬臂,玻璃悬臂一端粘贴柔性基底,柔性基底粘附有纳米线样品,较矮三维转移平台上设置目标基底,目标基底与材料样品相对放置,并处于光学显微镜机构中的物镜下方,两个三维平移台均可在三个维度实现微米级精准移动。本发明适用于二维薄膜材料、一维纳米线等低维纳米材料的定向转移,具有多功能、高精度、高容错率、多途径可视化、多倍数拍照成像和录像等技术特点。

    二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN110416065A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910688508.8

    申请日:2019-07-29

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括:采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层,然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层,并在NaI的辅助下,在600-700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结。本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单,原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺,能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素,实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长。本发明提出了一种新的生长机制,能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程,为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。

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